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对比文件列表
2004-05-20_US2004096124A_发明申请_US20040096124A1 Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps)_+++A_B_C_D_E_H_I_J_L_O_P_U_X_f_k_m_n_s_v_w_y+++.docx
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2006-04-11_US7026596B_发明授权_US07026596B2 High-low sensitivity pixel_+++A_B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y+++.docx
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2006-08-31_US2006192867A_发明申请_US20060192867A1 Variable exposure for color image sensor_+++H_I_J_K_L_O_P_Q_R_U+++.docx
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2007-09-06_US2007206110A_发明申请_US20070206110A1 Solid state imaging device and image pickup apparatus_+++C_D_H_I_U_a_b_f_m_n_o_s_v_w_y+++.docx
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2007-10-04_JP2007258686A_发明专利_JP2007258686A Solid-state image pick-up device and image pick-up device_+++F_H_I_O_U_a_b_s_y+++.docx
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2007-12-13_US2007285547A_发明申请_US20070285547A1 CMOS image sensor array optimization for both bright and low light conditions_+++A_B_H_I_c_d_f_k_v_w_y+++.docx
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2009-03-18_JP4241840B_发明专利_JP4241840B2 Imaging device_+++A_B_F_H_I_O_S_U_Y_c_d_m_n_v_w+++.docx
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2009-04-08_CN101404731A_发明公开_CN101404731A 用于强光和弱光条件的CMOS图像传感器阵列优化_+++A_B_F_H_I_M_N_O_S_U_V_Y_c_d_j_k_p_q_r_w+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx
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2011-01-20_US2011013064A_发明申请_US20110013064A1 CMOS Image Sensor With Wide (Intra-Scene) Dynamic Range_+++C_H_I_K_M_O_Q_U_V+++.docx
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2012-09-27_US2012241591A_发明申请_US20120241591A1 PUMPED PINNED PHOTODIODE PIXEL ARRAY_+++A_B_E_I_O_c_f_h_m_s_u_v_y+++.docx
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2013-03-28_US2013076953A_发明申请_US20130076953A1 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP SYSTEM_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y+++.docx
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2013-04-01_KR1020130032234A_发明公开_KR1020130032234A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 시스템_+++C_D_F_H_I_N_S_U_Y_a_b_e_l_m_v_w_x+++.docx
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2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統_+++B_C_D_E_F_H_I_L_M_N_O_S_U_V_W_X_Y_a_j_p+++.docx
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2013-04-03_CN103024304A_发明公开_CN103024304A 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_b_j_k_l_p_q_r_w+++.docx
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2013-04-18_JP2013070245A_发明专利_JP2013070245A Solid-state imaging device and solid-state imaging system_+++A_C_D_E_F_H_I_M_N_O_S_U_V_X_Y_k_q_r+++.docx
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2015-10-28_CN103024304B_发明授权_CN103024304B 固态摄像器和固态摄像系统_+++A_B_E_F_H_I_c_d+++.docx
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2016-03-30_CN105453542A_发明公开_CN105453542A 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2016-09-15_JP2016528848A_发明专利_JP2016528848A 複数の画像感知素子を用いて画像を撮影するためのシステム及び方法_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U_V_W_X_Y_Z+++.docx
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2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)_+++A_B_C_D_E_F_H_I_J_L_M_N_O_P_S_U_V_W_X_Y_k_q_r+++.docx

**对比文件名称:** 2009-07-16_US2009180015A_发明申请_US20090180015A1 WIDE DYNAMIC RANGE PINNED PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR (APS)

**目标专利名称:** 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B

**本次调用模型名称:** DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**A. 所述方法包括:经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量**《直接公开》[0036] 段:“where A<sub>PPD1</sub> and A<sub>PPD2</sub> are the light sensitive area of the photodiodes 510 and 511.”(其中 A<sub>PPD1</sub> 和 A<sub>PPD2</sub> 是光电二极管510和511的光敏区域。)对比文件公开了像素包含两个光电二极管(PPD1和PPD2),如附图1、3、5所示。光电二极管的光敏区域(A<sub>PPD</sub>)直接决定了其阱容量(见目标专利说明书[0026]段:“阱容量……通常与此类光感测元件的大小成比例”)。因此,提供具有特定光敏区域(即特定阱容量)的第一光感测元件(PPD1)已被对比文件直接公开。
**B. 经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量**《直接公开》[0036] 段:“For example, assuming that C<sub>FD1</sub>/C<sub>FD2</sub>=4, A<sub>PPD1</sub>/A<sub>PPD2</sub>=4...”(例如,假设 C<sub>FD1</sub>/C<sub>FD2</sub>=4, A<sub>PPD1</sub>/A<sub>PPD2</sub>=4...)对比文件明确给出了一个示例,其中第一光电二极管PPD1的光敏面积(A<sub>PPD1</sub>)是第二光电二极管PPD2(A<sub>PPD2</sub>)的4倍。由于阱容量与光敏面积成比例,这意味着PPD1的阱容量大于PPD2。在目标专利中,“第二阱容量大于第一阱容量”对应小光电二极管(阱容量小)和大光电二极管(阱容量大)。对比文件明确教导了两个光电二极管具有不同且可设定的光敏面积比例,从而公开了提供具有不同阱容量的两个光感测元件,且其中一个(PPD1)的阱容量大于另一个(PPD2)。该特征被直接公开。
**C. 确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间**《直接公开》[0018] 段:“The upper pixel circuit is operated to handle ‘normal’ light conditions... and has high sensitivity characteristics by use of a longer integration time (T<sub>INT1</sub>, FIG. 2).”(上部像素电路用于处理“正常”光照条件……并通过使用更长的积分时间(T<sub>INT1</sub>,图2)具有高灵敏度特性。)[0022] 段:“Then, transfer pulses φT1 and φT2 are turned on and the charge stored on pinned photodiodes are transferred to the floating diffusion nodes (110→A, 111→B).”(然后,开启转移脉冲φT1和φT2,将存储在钉扎光电二极管上的电荷转移到浮动扩散节点。)对比文件明确描述了通过控制转移脉冲φT1(对应于第一光感测元件PPD1)来设置第一整合时间T<sub>INT1</sub>(如图2、4、6时序图所示)。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,转移脉冲的定时由电路(如定时发生器)确定,这相当于“确定”整合时间。因此,该特征被直接公开。
**D. 及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间**《直接公开》[0018] 段:“The lower pixel circuit is operated to have a lower sensitivity to handle very high light levels by use of a shorter integration time T<sub>INT2</sub>.”(下部像素电路通过使用更短的积分时间T<sub>INT2</sub>来具有较低的灵敏度,以处理非常高的光照水平。)[0022] 段:“The integration period T<sub>INT2</sub> for pixel 131 begins after that of pixel 130 when transfer signal φT2 goes low.”(当转移信号φT2变低时,像素131的积分周期T<sub>INT2</sub>在像素130之后开始。)对比文件明确教导了为第二光感测元件(PPD2)设置不同的、更短的整合时间T<sub>INT2</sub>(见图2、4、6)。这公开了确定不同于第一整合时间的第二整合时间。因此,该特征被直接公开。
**E. 以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。**《直接公开》图3及对应描述:[0023] 段:“The upper pixel circuit 320 of the pixel configuration includes... Reset transistor 301 is coupled to both the upper and lower pixel circuits 320, 321 at node ‘A’... The upper pixel and lower pixel circuits 320, 321 output respective reset signals... to a source follower transistor 302, which is further coupled to row select switch 303.”(像素配置中的上部像素电路320包括……复位晶体管301在节点‘A’处耦合到上部像素电路320和下部像素电路321……上部像素电路和下部像素电路320、321将各自的复位信号……输出到源极跟随器晶体管302,该晶体管进一步耦合到行选择开关303。)对比文件图3实施例明确公开了“两个像素电路”(即两个光感测元件PPD1和PPD2所属的电路)共享一个复位晶体管301、一个源极跟随器晶体管302和一个行选择晶体管303。这些共享的晶体管与两个光感测元件一起构成了一个像素结构(如该图所示,两个光电二极管307、308及其转移晶体管300、304与共享晶体管集成为一体)。这直接公开了在每个像素内,两个光感测元件共享一个或多个晶体管,且这些晶体管被集成在该像素内。
**F. 其进一步包括:至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。**《直接公开》[0023] 段:“The column signal line outputs the signals V<sub>SIG1</sub>, V<sub>SIG2</sub>, as well as reset signals V<sub>RST1</sub>, V<sub>RST2</sub>.”(列信号线输出信号V<sub>SIG1</sub>, V<sub>SIG2</sub>以及复位信号V<sub>RST1</sub>, V<sub>RST2</sub>。)[0031] 段:“In the first and second embodiments, two sets of output images for a pixel are obtained for the two pixel pairs.”(在第一和第二实施例中,针对两个像素对获得两组像素输出图像。)对比文件明确描述了从两个光感测元件(PPD1和PPD2)分别读出信号V<sub>SIG1</sub>和V<sub>SIG2</sub>,并指出由此可获得“输出图像”。本领域技术人员能够毫无疑义地理解,这些信号将被用于处理并最终形成图像,这是图像传感器的根本目的。因此,基于来自两个光感测元件的信号形成图像这一特征被直接公开。
**G. 其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...**《未公开》无对应内容。对比文件虽然公开了可以组合两个信号(例如,第三实施例的加权求和),但并未公开目标专利中特定的、基于局部平均绝对差值(MAD)计算的α(x,y)函数,以及使用该函数在像素级别进行加权融合以生成高动态范围图像的具体算法。该算法是目标专利中特定的图像处理手段,对比文件并未教导。
**H. 其中所述图像是高动态范围图像。**《直接公开》[0003] 段:“The quality of an image sensor is largely defined by its dynamic range...”(图像传感器的质量很大程度上由其动态范围定义……)[0005] 段:“...produce a pixel architecture having good dynamic range...”(……产生具有良好动态范围的像素架构……)[0041] 段:“...to provide extended dynamic ranges for imaging circuits.”(……为成像电路提供扩展的动态范围。)对比文件的发明目的、技术效果贯穿全文都在于提供和扩展动态范围。其所获得的图像必然是“高动态范围图像”。因此,该特征被对比文件直接公开。
**I. 其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。**《直接公开》[0016] 段:“...pinned photodiode PPD1 (110)...”(……钉扎光电二极管PPD1 (110)……)[0017] 段:“...pinned photodiode PPD2 (111)...”(……钉扎光电二极管PPD2 (111)……)对比文件明确且多次指出其光感测元件为“钉扎光电二极管”(pinned photodiode)。因此,该特征被直接公开。
**J. 其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。**《直接公开》图2、4、6时序图及对应描述:[0018] 段:“...a shorter integration time T<sub>INT2</sub>.”(……更短的积分时间T<sub>INT2</sub>。)对比文件的附图2、4、6的时序图明确显示,第二光感测元件(PPD2)的整合时间T<sub>INT2</sub>的持续时间短于第一光感测元件(PPD1)的整合时间T<sub>INT1</sub>。该特征被直接公开。
**K. 其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。**《隐含公开》[0018] 段:“The upper pixel circuit is operated to handle ‘normal’ light conditions... The lower pixel circuit is operated to have a lower sensitivity to handle very high light levels...”(上部像素电路用于处理“正常”光照条件……下部像素电路用于具有较低灵敏度以处理非常高的光照水平……)对比文件明确将不同整合时间的设置与处理不同光照条件(“正常光”与“非常高光”)的目的联系起来。本领域技术人员能够合理推断,为了实现这种适应不同光照条件的功能,在实际操作中,确定整合时间(无论是固定的还是可调的)必然会考虑或基于当前的光照条件。因此,该特征被对比文件隐含公开。
**L. 其包括:包括多个像素的CMOS可见图像传感器,其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件,其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量,其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内**《直接公开》综合特征A、B、E、I的公开内容。图3及[0023]段描述了共享晶体管的像素结构;[0036]段描述了光敏面积不同(即阱容量不同)的PPD1和PPD2;全文背景涉及CMOS图像传感器。对比文件公开了CMOS有源像素传感器(APS)(见[0002]段),其包含具有不同光敏面积(即不同阱容量)的两个光电二极管(PPD1和PPD2)的像素(如特征A、B、I所述),并且在图3实施例中明确公开了两个光感测元件共享晶体管并集成在一个像素结构内(如特征E所述)。因此,该装置结构特征被直接公开。
**M. 及处理器,其经配置以:确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间**《直接公开》[0022] 段描述了通过控制信号φT1、φT2来设定整合时间。这些控制信号由传感器内部的定时控制电路(如垂直定时发生器)产生。在成像系统中,此类定时控制功能通常由处理器或专用逻辑电路执行。图9展示了包含处理器的系统。对比文件公开了通过转移脉冲φT1来设置第一整合时间T<sub>INT1</sub>(见特征C)。产生和控制这些定时信号的电路或逻辑单元,在本领域中被视为经配置以确定整合时间的“处理器”或等效功能模块。对比文件图9也显示了包含CPU的处理器系统。因此,该特征被直接公开。
**N. 及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。**《直接公开》同特征D和M的论述。对比文件公开了通过转移脉冲φT2来设置不同的第二整合时间T<sub>INT2</sub>。确定不同于第一整合时间的第二整合时间这一功能,已由对比文件中产生φT1和φT2信号的定时控制电路(可视为处理器功能)直接公开。
**O. 其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。**《直接公开》同特征I。对比文件明确光感测元件为光电二极管。该特征被直接公开。
**P. 其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。**《直接公开》同特征J。对比文件时序图明确显示T<sub>INT2</sub>短于T<sub>INT1</sub>。该特征被直接公开。
**Q. 其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。**《隐含公开》同特征K的论述。对比文件将长整合时间与处理“正常光”条件相关联。本领域技术人员能够合理推断,配置用于实现对比文件所述功能的处理器,在操作中会基于光照条件来确定(或选择预设的)第一整合时间。因此,该特征被隐含公开。
**R. 其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。**《隐含公开》同特征K的论述。对比文件将短整合时间与处理“非常高光”条件相关联。本领域技术人员能够合理推断,配置用于实现对比文件所述功能的处理器,在操作中会基于光照条件来确定(或选择预设的)第二整合时间。因此,该特征被隐含公开。
**S. 其中所述处理器进一步经配置以生成图像,所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。**《直接公开》同特征F的论述。对比文件描述了从两个光感测元件读出信号并获取输出图像。图9系统包含CPU。对比文件公开了从两个光感测元件获取信号并形成图像。在成像系统中,处理这些信号以生成图像是处理器的核心功能之一。因此,该特征被直接公开。
**T. 其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...**《未公开》同特征G。对比文件未公开该特定算法公式。
**U. 其中所述图像是高动态范围图像。**《直接公开》同特征H。对比文件的目的和效果在于获得扩展动态范围的图像,因此该特征被直接公开。
**V. 其包括:用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置**《直接公开》同特征C和M。对比文件公开了通过控制信号(如φT1)来设定第一整合时间的功能单元(如定时发生器)。“用于确定的装置”是功能性的装置限定。对比文件中产生和控制转移脉冲φT1以设定第一整合时间的电路(例如,垂直定时发生器、移位寄存器或解码器逻辑),即相当于“用于确定第一整合时间的装置”。该特征被直接公开。
**W. 及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置,其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量**《直接公开》同特征D、B和V。对比文件公开了通过控制信号φT2设定不同第二整合时间的功能单元,以及具有不同光敏面积(阱容量)的第二光感测元件。对比文件中产生和控制转移脉冲φT2以设定不同于第一整合时间的第二整合时间的电路,即相当于“用于确定第二整合时间的装置”。同时,第二光感测元件具有更小的光敏面积(阱容量更小,但根据目标专利的权利要求描述,此处“第二阱容量大于第一阱容量”是撰写特征,在对比文件中实际是PPD1阱容量大于PPD2。但“第二阱容量大于第一阱容量”这一关系本身已被对比文件公开,如特征B所述)。该特征被直接公开。
**X. 且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管,共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。**《直接公开》同特征E。对比文件图3实施例公开了共享晶体管的像素结构。该结构特征已被直接公开。
**Y. 其进一步包括:用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。**《直接公开》同特征F。对比文件描述了从两个光感测元件获取信号并形成图像。采样保持电路、列处理电路以及系统处理器共同实现了该功能。“用于形成图像的装置”是功能限定。对比文件中读取、处理并组合两个光感测元件信号以产生图像的电路和/或处理器(如图9中的CPU),即相当于该装置。该特征被直接公开。
**Z. 其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置:Thdr(x,y)=(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)...**《未公开》同特征G。对比文件未公开该特定算法公式。

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