**对比文件名称：** 2013-03-28_US2013076953A_发明申请_US20130076953A1 SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP SYSTEM
**目标专利名称：** 230用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法CN105453542B
**模型名称：** GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《直接公开》<br>所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量 | [0031] “Each unit cell 14 has a first pixel 13a of a high sensitivity, and a second pixel 13b of a low sensitivity. The first pixel 13a of a high sensitivity has a first photodiode 11a of a quadrangular shape having a large area...” | 对比文件公开了固态图像拾取设备包含多个单元（相当于多个像素），每个单元包含第一像素13a，该第一像素具有第一光电二极管11a。光电二极管是典型的光感测元件，其本身具有电荷存储能力，即“阱容量”。因此，对比文件直接公开了通过像素的第一光感测元件（第一光电二极管）提供第一阱容量这一技术特征。 |
| 技术特征B：<br>经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | [0031] “The second pixel 13b of a low sensitivity has a second photodiode 11b of a quadrangular shape having a smaller area than that of the first photodiode 11a...” [0032] “Because the area of the first photodiode is larger than that of the second photodiode 11b, a saturation level of the first pixel 13a is higher than a saturation level of the second pixel 13b.” | 对比文件公开了第二像素13b具有第二光电二极管11b，且其面积小于第一光电二极管11a的面积。同时，明确说明了第一光电二极管的饱和电平（saturation level）高于第二光电二极管。本领域技术人员公知，光电二极管的饱和电平与其阱容量直接相关，面积更大的光电二极管通常具有更大的阱容量。因此，对比文件公开的第二光电二极管面积更小、饱和电平更低，实质上隐含了其阱容量小于第一光电二极管的阱容量，这与目标专利中“第二阱容量大于第一阱容量”的要求正好相反。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| 技术特征C：《直接公开》<br>确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | [0066] “A period from when the first reading gate 15a is turned off at the timing of T9 to when the first reading gate 15a is turned off at the timing of T3 is the photoelectric conversion period t1 of the first pixel 13a.” 以及图5、图12的时序图。 | 对比文件在运动检测模式（图5）和宽动态范围模式（图12）中，均明确描述了第一像素13a具有其特定的光电转换周期（photoelectric conversion period t1）。光电转换周期即电荷积累的时间，相当于目标专利中的“整合时间”。通过控制第一读取门15a和复位晶体管18等元件的操作时序，可以确定该时间。因此，对比文件直接公开了确定用于第一光感测元件的第一整合时间。 |
| 技术特征D：《直接公开》<br>确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间 | [0066] “A period from when the second reading gate 15b is turned off at the timing of T7 to when the second reading gate 15b is turned off at the timing of T6 is the photoelectric conversion period t2 of the second pixel 13b.” [0068] “While the photoelectric conversion period t2 of the second pixel 13b is regarded as two times of the photoelectric conversion period t1 of the first pixel 13a...” | 对比文件明确描述了第二像素13b具有其光电转换周期t2，并且在运动检测模式下，该周期t2被设置为第一像素周期t1的两倍（n倍）。因此，第二整合时间（t2）不同于第一整合时间（t1）。这通过控制第二读取门15b和复位晶体管18等元件的操作时序来实现。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征E：《直接公开》<br>以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | [0036] “In each unit cell 14, there are provided a first reading gate 15a... a second reading gate 15b... a detecting unit 16... an output circuit 17 of a unit cell... a reset transistor 18...” 图3等效电路图。 | 对比文件的每个单元14（对应目标专利的像素）包含第一光电二极管11a和第二光电二极管11b。图3的等效电路显示，两个光电二极管共享同一个检测单元16、同一个复位晶体管18、同一个放大器晶体管AMPTr和同一个地址晶体管ADDRESSTr。这些共享的晶体管被集成在该单元（像素）内。因此，对比文件直接公开了在每个像素内，两个光感测元件共享一个或多个晶体管的技术特征。 |
| 技术特征F：《直接公开》<br>其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。 | [0054] “An image forming unit 26 that forms an image based on a signal that is output from the third switch SW3 is connected to the third switch SW3.” [0070] “...the differential amplifier Diff-AMP outputs a differential signal based on a difference between the first detection signal and the second detection signal.” [0145] “...the wide dynamic range mode can be realized by simultaneously performing reading of the first signal charge and reading of the second signal charge and by adding both signal charges...” | 对比文件公开了图像形成单元26，用于基于输出信号形成图像。该输出信号来源于对第一检测信号（基于第一信号电荷）和第二检测信号（基于第二信号电荷）的处理。例如，在运动检测模式下，输出二者的差分信号；在宽动态范围模式下，输出二者的和信号。因此，对比文件直接公开了基于来自两个光感测元件的信号形成图像。 |
| 技术特征G：<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 无对应内容。 | 对比文件描述了通过差分放大器进行信号减法（运动检测模式）或通过同时读取进行信号加法（宽动态范围模式）来组合两个像素的信号。但并未公开目标专利中所述的、包含局部平均绝对差值（MAD）计算和调谐参数α的复杂图像融合算法或具体公式。该公式是目标专利中实现特定图像效果（如平稳切换、处理运动）的具体手段。对比文件未公开此技术特征。 |
| 技术特征H：《直接公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | [0131] “...a wide dynamic range mode can be realized directly based on, for example, a basic configuration of the solid-state image pickup system 10...” [0147] “Therefore, the wide dynamic range mode can be realized...” | 对比文件明确提出了“宽动态范围模式（wide dynamic range mode）”，并详细说明了在该模式下通过组合第一和第二像素的信号来扩展动态范围的原理（见[0140]-[0147]及图14）。在该模式下形成的图像即是高动态范围图像。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征I：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。 | [0031] “The first pixel 13a of a high sensitivity has a first photodiode 11a...” “The second pixel 13b of a low sensitivity has a second photodiode 11b...” | 对比文件明确指出第一像素包含第一光电二极管11a，第二像素包含第二光电二极管11b。因此，两个光感测元件均为光电二极管，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征J：<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | [0068] “While the photoelectric conversion period t2 of the second pixel 13b is regarded as two times of the photoelectric conversion period t1 of the first pixel 13a...” | 在对比文件公开的运动检测模式中，第二像素的光电转换周期t2被设置为第一像素周期t1的n倍（例如2倍），即t2 > t1。这与目标专利中“第二整合时间短于第一整合时间”的要求（通常TS < TL）正好相反。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| 技术特征K：<br>其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。 | 无对应内容。 | 对比文件描述了为第一和第二像素设置不同的光电转换周期（如1：n），以实现运动检测或宽动态范围模式。但并未提及这些整合时间是“基于光照条件”动态确定的。其整合时间的设置是为了实现特定的操作模式，而非响应于实时的光照条件变化。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| 技术特征L：<br>其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内 | [0029] “The solid-state image pickup device 10 shown in FIG. 1 is the solid-state image pickup device 10 of a CMOS type...” [0031] “Each unit cell 14 has a first pixel 13a... has a first photodiode 11a... The second pixel 13b... has a second photodiode 11b...” [0036] “In each unit cell 14, there are provided a first reading gate 15a... a second reading gate 15b... a detecting unit 16... an output circuit 17... a reset transistor 18...” | 对比文件公开了CMOS型固态图像拾取设备（相当于CMOS可见图像传感器），其包含多个单元（像素），每个单元包含第一光电二极管和第二光电二极管（第一、第二光感测元件），并且它们共享检测单元、复位晶体管等。这与特征L中除“第二阱容量大于第一阱容量”外的其他部分相同。然而，如特征B所述，对比文件公开的第二光电二极管面积更小，其阱容量小于第一光电二极管，与“第二阱容量大于第一阱容量”的要求不符。因此，特征L作为一个整体技术方案，未被对比文件公开。 |
| 技术特征M：《直接公开》<br>及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间 | [0056] “A control unit 27 that controls the vertical register 25 and the common output circuit 17′ is connected to the vertical register 25 and the common output circuit 17′.” 结合[0066]关于光电转换周期t1的描述。 | 对比文件公开了控制单元27，其控制垂直寄存器25和公共输出电路17'。垂直寄存器25通过控制第一读取门15a、复位晶体管18等的时序，来确定第一像素的光电转换周期t1（即第一整合时间）。控制单元27作为处理器或包含处理器，其功能配置包括确定第一整合时间。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征N：《直接公开》<br>及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。 | [0056] 同上。结合[0066]关于光电转换周期t2不同于t1的描述。 | 同理，控制单元27通过控制垂直寄存器25，来确定第二像素的光电转换周期t2（即第二整合时间），并且t2不同于t1。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征O：《直接公开》<br>其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。 | [0031] “The first pixel 13a of a high sensitivity has a first photodiode 11a...” “The second pixel 13b of a low sensitivity has a second photodiode 11b...” | 同特征I，对比文件直接公开了两个光感测元件均为光电二极管。 |
| 技术特征P：<br>其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。 | [0068] “While the photoelectric conversion period t2 of the second pixel 13b is regarded as two times of the photoelectric conversion period t1 of the first pixel 13a...” | 同特征J，在对比文件公开的模式中，第二整合时间（t2）长于第一整合时间（t1）。因此，未公开该技术特征。 |
| 技术特征Q：<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。 | 无对应内容。 | 同特征K，对比文件未公开基于光照条件动态确定整合时间。控制单元27设定整合时间是为了实现特定模式（运动检测或宽动态范围），而非响应光照条件。 |
| 技术特征R：<br>其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。 | 无对应内容。 | 同特征K和Q，对比文件未公开基于光照条件动态确定整合时间。 |
| 技术特征S：《直接公开》<br>其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。 | [0054] “An image forming unit 26 that forms an image based on a signal that is output from the third switch SW3...” [0070], [0145]关于信号组合的描述。 | 控制单元27控制整个系统，使得输出电路（差分放大器等）基于来自第一和第二光感测元件的信号（差分或和信号）输出信号，并由图像形成单元26生成图像。因此，处理器（控制单元27）的配置包括生成基于来自两个光感测元件信号的图像。该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征T：<br>其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 无对应内容。 | 同特征G，对比文件未公开该特定图像组合公式。 |
| 技术特征U：《直接公开》<br>其中所述图像是高动态范围图像。 | [0131], [0147] 关于“wide dynamic range mode”的描述。 | 同特征H，对比文件直接公开了在宽动态范围模式下生成高动态范围图像。 |
| 技术特征V：《直接公开》<br>其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置 | [0056] “A control unit 27 that controls the vertical register 25 and the common output circuit 17′...” 结合[0066]关于确定光电转换周期t1的描述。 | 对比文件中的控制单元27、垂直寄存器25及相关电路，共同作用以设置第一像素的光电转换周期t1（第一整合时间）。这构成了用于确定第一整合时间的装置。根据美国专利实践，“用于……的装置”通常对应执行该功能的结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征W：《直接公开》<br>及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量 | [0056] 同上。结合[0066]关于确定光电转换周期t2不同于t1的描述。 | 同理，对比文件中的控制单元27、垂直寄存器25及相关电路，也构成了用于确定第二整合时间（t2）的装置，且t2不同于t1。然而，如特征B所述，对比文件未公开“第二阱容量大于第一阱容量”。因此，特征W中“第二阱容量大于第一阱容量”这一限定未被公开，导致特征W作为一个整体未被公开。但仅就“用于确定第二整合时间的装置，且第二整合时间不同于第一整合时间”而言，已被公开。 |
| 技术特征X：《直接公开》<br>且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。 | [0036]及图3等效电路。 | 同特征E，对比文件直接公开了每个单元（像素）内两个光感测元件共享晶体管的结构。该结构本身即可视为“用于共享”的装置。 |
| 技术特征Y：《直接公开》<br>其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。 | [0054] “An image forming unit 26 that forms an image based on a signal...” 结合输出电路（如差分放大器Diff-AMP）。 | 对比文件中的图像形成单元26，结合处理第一和第二检测信号的输出电路（如差分放大器），共同构成了用于基于两个光感测元件的信号形成图像的装置。该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征Z：<br>其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)... | 无对应内容。 | 同特征G和T，对比文件未公开基于该特定公式形成图像的装置或方法。 |
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