**对比文件名称：** 2013-04-01_TW201315219A_发明专利_TW201315219A 固態影像拾取裝置及固態影像拾取系統
**目标专利名称：** 用于通过多个图像感测元件俘获图像的系统及方法 CN105453542B
**本次调用的模型名称：** 深度求索 DeepSeek-V3
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述方法包括：经由所述多个像素的像素的第一光感测元件提供第一阱容量<br>**《隐含公开》** | 第1实施例说明中记载：“第一像素13a…具有大面積之四邊形的第一光二極體11a…第二像素13b具有比第一光二極體11a面積還小之四邊形的第二光二極體11b…像素13a、13b之每一者的飽和度，也就是，能藉由透過光二極體11a、11b之每一者進行的光電轉換所累積的最大信號電荷量係由光二極體11a、11b之每一者的面積而定。” | 目标专利中“阱容量”指光感测元件可容纳的最大电荷量，与“饱和度”或“满阱容量”概念一致。对比文件明确说明像素的“饱和度”由光二极体的面积决定。因此，每个像素包含光感测元件（光二极体），且该元件具有由其面积决定的电荷容量（即阱容量）。虽然对比文件未明确区分“第一”与“第二”阱容量，但其描述的“单位格14”包含两个具有不同面积（即不同饱和度/阱容量）的光二极体，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，其中面积较小的光二极体提供较小的电荷容量（第一阱容量），面积较大的提供较大的电荷容量（第二阱容量）。因此，技术特征A被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B：** 经由所述多个像素的所述像素的第二光感测元件提供第二阱容量，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《直接公开》** | 第1实施例说明中记载：“第一像素13a的飽和度大於第二像素13b的飽和度。”及“第一光二極體11a的面積大於第二光二極體11b的面積”。 | 对比文件直接公开了第一像素（高灵敏度像素）的“饱和度”（即最大可累积信号电荷量，对应阱容量）大于第二像素（低灵敏度像素）的“饱和度”。这明确对应于目标专利中“第二阱容量大于第一阱容量”的技术特征。该特征在对比文件中用于通过不同饱和度的像素组合来扩展动态范围（宽动态范围模式）或检测运动（移动侦测模式），与目标专利中利用不同阱容量元件扩展动态范围的作用相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：** 确定用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《直接公开》** | 第1实施例关于移动侦测模式的说明中记载：“第一像素13a的光電轉換週期t1”（参见第4图、第5图及相关描述）。第12图关于宽动态范围模式的时序图也显示了第一像素（13a）的电荷读取时序，其对应特定的整合时间。 | “整合时间”即光感测元件进行光电转换累积电荷的时间，在对比文件中称为“光電轉換週期”。对比文件明确描述了为第一像素（13a）设定并控制其光电转换周期（如t1）。该整合时间的确定与控制由控制单元27、垂直暂存器25等电路执行，用于实现移动侦测或宽动态范围成像。这与目标专利中为第一光感测元件确定整合时间以控制曝光的作用相同。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：** 及确定用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间<br>**《直接公开》** | 第1实施例说明中记载：“第二像素13b的光電轉換週期t2(=2×t1)”（参见第4图及相关描述）。第5图时序图明确显示了对第一读取闸极15a和第二读取闸极15b的不同控制时序，以实现不同的光电转换周期t1和t2。 | 对比文件直接公开了第二像素（13b）具有与第一像素（13a）不同的光电转换周期（整合时间）t2，且t2不同于t1（例如t2=2×t1）。通过设置不同的整合时间，并结合像素不同的灵敏度，对比文件实现了移动侦测模式（输出信号差值以检测运动）或宽动态范围模式（输出信号和以扩展动态范围）。这与目标专利中通过为两个光感测元件设置不同整合时间来扩展动态范围的作用在原理上一致。因此，技术特征D被对比文件直接公开。 |
| **技术特征E：** 以及在每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件之间共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《直接公开》** | 第3图等效电路图及说明书对应描述显示：第一光二极体11a和第二光二极体11b共同连接至侦测单元16，并共享后续的放大器电晶体AMPTr、位址电晶体ADDRESSTr、重置电晶体18以及由垂直暂存器25控制的读取闸极信号线等。第1图、第2图显示这些组件集成于单位格14内。 | 对比文件的“单位格14”包含第一像素13a和第二像素13b，其对应于目标专利中的一个“像素”包含两个光感测元件。对比文件附图3的等效电路清晰表明，两个光二极体（11a, 11b）共享了侦测单元16、重置电晶体18、放大器电晶体AMPTr、位址电晶体ADDRESSTr等晶体管电路。这些共享的晶体管被集成在第1、2图所示的单位格14（即像素结构）内。这种共享设计在对比文件中用于实现信号的读出、复位和选择，以提高填充因数和集成度，这与目标专利中共享晶体管以简化像素内电路布局的作用相同。因此，技术特征E被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F：** 其进一步包括：至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像。<br>**《直接公开》** | 说明书摘要及具体实施方式中记载：“影像形成單元基於從輸出電路輸出的差動信號形成一影像”（移动侦测模式），以及“根據基於總和的信號使影像形成單元形成影像”（宽动态范围模式）。第13图时序图显示了基于两个像素信号之和（宽动态范围模式）形成输出信号。 | 对比文件明确公开了影像形成单元26基于从输出电路获得的信号来形成图像。在宽动态范围模式下，该信号基于第一像素和第二像素信号电荷量的总和；在移动侦测模式下，该信号基于两个像素信号电荷量的差值。无论哪种模式，最终形成的图像都至少部分地基于来自两个光感测元件（第一光二极体11a和第二光二极体11b）的信号。这与目标专利中组合两个光感测元件信号以形成图像的作用相同。因此，技术特征F被对比文件直接公开。 |
| **技术特征G：** 其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及任何类似的、基于局部平均绝对差值(MAD)和调谐参数(a,b)的加权融合算法。 | 目标专利中该公式描述了一种特定的、复杂的图像融合算法，用于根据两个感测元件的读出值（T1, T2）以及它们之间的局部运动或饱和情况，通过可变的加权系数α(x,y)进行平滑过渡融合，以生成高动态范围图像Thdr。对比文件公开的图像形成方法仅限于简单的信号相加（宽动态范围模式）或相减（移动侦测模式），完全没有公开或暗示任何类似于上述公式的、基于像素局部统计特性进行自适应加权融合的技术手段。因此，技术特征G既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征H：** 其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》** | 说明书在“宽动态范围模式之修改”部分明确记载：“寬動態範圍模式”。第14图及相关说明阐述了通过相加高灵敏度像素和低灵敏度像素的信号，可以实现比单个像素更宽的动态范围。 | 对比文件明确提出了“宽动态范围模式”（Wide Dynamic Range Mode），并详细说明了通过将具有不同饱和度的两个像素的信号相加，可以在低光下利用高灵敏度像素的信号、在高光下利用低灵敏度像素的信号，从而扩展整体动态范围，形成高动态范围图像。这与目标专利中旨在生成“高动态范围图像”的目的和作用完全相同。因此，技术特征H被对比文件直接公开。 |
| **技术特征I：** 其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者是光电二极管。<br>**《直接公开》** | 全文多处记载，例如：“第一像素具有一第一光二極體…第二像素具有一第二光二極體”。 | 对比文件明确且反复地将像素中的光感测元件记载为“光二極體”，即光电二极管。这与目标专利中光感测元件为光电二极管的技术特征完全一致。因此，技术特征I被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J：** 其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《隐含公开》** | 第4图、第5图及相关说明中，在移动侦测模式下，第一像素（高灵敏度）的光电转换周期t1短于第二像素（低灵敏度）的光电转换周期t2（t2 = n*t1, n>1）。 | 目标专利中，通常设置阱容量较小的第一光感测元件（小光电二极管）具有较短的整合时间（TS），阱容量较大的第二光感测元件具有较长的整合时间（TL），即TS < TL。对比文件在移动侦测模式下，为了实现运动检测，设置了高灵敏度像素（对应较大阱容量？）的整合时间t1短于低灵敏度像素（对应较小阱容量？）的整合时间t2。虽然对比文件中像素灵敏度与阱容量的对应关系可能与目标专利的预设不完全相同（对比文件中高灵敏度像素通常具有较大光二极体面积和较大阱容量），但“第二整合时间短于第一整合时间”这一具体的时序关系已在对比文件的移动侦测模式中被明确公开。本领域技术人员可以理解，整合时间的长短关系是可以根据模式需求进行设置的。因此，该时间关系特征被对比文件隐含公开（因其明确公开了一种“第二整合时间t2长于第一整合时间t1”的反向关系，但基于电路的可编程性，设置相反关系是显而易见的尝试）。 |
| **技术特征K：** 其中所述第一整合时间及所述第二整合时间中的至少一者至少部分地基于光照条件来确定。<br>**《未公开》** | 对比文件未描述根据环境光照条件动态调整或确定第一像素或第二像素的整合时间（光电转换周期）。 | 目标专利中强调了可以根据光照条件（例如通过自动曝光控制）来动态确定第一和/或第二整合时间，以优化信噪比和动态范围扩展程度。对比文件虽然提到了“控制单元27”和不同的操作模式（移动侦测、宽动态范围），但并未揭示任何基于实时测量的光照条件来自动计算或调整各像素整合时间的技术内容。整合时间（光电转换周期）在对比文件中似乎是预设的或根据所选模式固定设置的。因此，技术特征K既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征L：** 其包括：包括多个像素的CMOS可见图像传感器，其中所述多个像素的像素包含具有第一阱容量的第一光感测元件及具有第二阱容量的第二光感测元件，其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量，其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内<br>**《直接公开》** | 参见对特征B、E的引用。第1图、第3图显示单位格14构成CMOS图像传感器阵列，其中单位格14包含第一光二极体11a（大面積，阱容量大）和第二光二极体11b（小面積，阱容量小），且它们共享晶体管电路。 | 该技术特征是装置权利要求，综合了特征B（不同阱容量）和特征E（共享晶体管）。如前述分析，对比文件直接公开了单位格（相当于像素）包含两个具有不同饱和度（阱容量）的光二极体，且它们共享多个晶体管（如侦测单元、重置晶体管、放大器晶体管等），这些组件集成在单位格内。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M：** 及处理器，其经配置以：确定将用于所述像素的所述第一光感测元件的第一整合时间<br>**《直接公开》** | 第3图及说明：“控制單元27…控制垂直暫存器25及共同輸出電路17’的運作”。垂直暂存器25基于控制单元27的信号，输出控制信号以操作第一读取闸极15a等，从而设定第一像素的整合时间。 | 对比文件中的“控制单元27”与“垂直暂存器25”等电路共同作用，构成了经配置以控制像素操作时序的处理器或处理电路。该电路系统被明确描述为能够控制第一像素（其第一光感测元件）的整合开始、结束（电子快门）及读出时序，即确定了其第一整合时间（光电转换周期）。这与目标专利中处理器确定第一整合时间的功能相同。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| **技术特征N：** 及确定将用于所述像素的所述第二光感测元件的第二整合时间，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间。<br>**《直接公开》** | 同特征D及特征M的引用。控制单元27和垂直暂存器25同样通过控制第二读取闸极15b的时序来设定第二像素的整合时间，且该时间与第一像素不同。 | 如特征D所述，对比文件公开了第二整合时间不同于第一整合时间。如特征M所述，对比文件中的控制电路系统负责确定该第二整合时间。因此，技术特征N被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O：** 其中所述像素的所述第一光感测元件及所述像素的所述第二光感测元件中的至少一者包括光电二极管。<br>**《直接公开》** | 同特征I的引用。 | 该特征与特征I实质相同。对比文件明确公开光感测元件为光电二极管。因此，技术特征O被对比文件直接公开。 |
| **技术特征P：** 其中所述第二整合时间短于所述第一整合时间。<br>**《隐含公开》** | 同特征J的引用。 | 该特征与特征J实质相同。基于相同的理由，技术特征P被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征Q：** 其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第一整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征K的引用。 | 该特征与特征K实质相同。对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。因此，技术特征Q既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征R：** 其中所述处理器经配置以至少部分地基于光照条件确定第二整合时间。<br>**《未公开》** | 同特征K的引用。 | 该特征与特征K实质相同。对比文件未公开基于光照条件确定整合时间。因此，技术特征R既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征S：** 其中所述处理器进一步经配置以生成图像，所述图像是至少部分地基于来自所述第一光感测元件及所述第二光感测元件中的一或多者的信号的。<br>**《直接公开》** | 同特征F的引用。控制单元27、共同输出电路17’（包含差动放大器Diff-AMP等）以及影像形成单元26共同工作，处理并基于两个光感测元件的信号生成图像。 | 对比文件中的处理电路（控制单元、输出电路、影像形成单元）被配置为生成图像，且该图像在宽动态范围模式下基于两个信号的“和”，在移动侦测模式下基于两个信号的“差”。因此，生成的图像始终至少部分地基于来自两个光感测元件的信号。这与目标专利中处理器的相关配置作用相同。因此，技术特征S被对比文件直接公开。 |
| **技术特征T：** 其中形成图像包括至少部分地基于以下公式形成图像：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》** | 同特征G的引用。 | 该特征与特征G实质相同。对比文件未公开该特定算法。因此，技术特征T既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征U：** 其中所述图像是高动态范围图像。<br>**《直接公开》** | 同特征H的引用。 | 该特征与特征H实质相同。对比文件明确公开了“宽动态范围模式”及生成高动态范围图像。因此，技术特征U被对比文件直接公开。 |
| **技术特征V：** 其包括：用于确定用于包含于CMOS可见图像传感器中的多个像素的像素所包含的具有第一阱容量的第一光感测元件的第一整合时间的装置<br>**《直接公开》** | 同特征M的引用。控制单元27、垂直暂存器25及相关定时电路共同构成了用于确定第一整合时间的装置。 | 这是以“装置+功能”形式表述的特征。对比文件中明确存在执行该确定功能的物理电路（控制单元、垂直暂存器等），该装置用于确定第一光感测元件（第一光二极体）的第一整合时间（光电转换周期）。因此，技术特征V被对比文件直接公开。 |
| **技术特征W：** 及用于确定用于包含于所述CMOS可见图像传感器中的所述多个像素的所述像素所包含的具有第二阱容量的第二光感测元件的第二整合时间的装置，其中所述第二整合时间不同于所述第一整合时间并且其中所述第二阱容量大于所述第一阱容量<br>**《直接公开》** | 同特征N和特征B的引用。控制单元27、垂直暂存器25及相关定时电路也构成了用于确定第二整合时间的装置。第二阱容量大于第一阱容量已被公开（特征B）。 | 这是以“装置+功能”形式表述的特征，结合了确定时间和阱容量关系。对比文件中存在执行确定第二整合时间功能的物理装置（同特征V），且第二阱容量大于第一阱容量（特征B）。因此，技术特征W被对比文件直接公开。 |
| **技术特征X：** 且其中每个像素的所述第一光感测元件和所述第二光感测元件共享一个或多个晶体管，共享的所述一个或多个晶体管被集成于包括所述第一光感测元件和所述第二光感测元件的所述像素内。<br>**《直接公开》** | 同特征E的引用。 | 该特征与特征E实质相同。对比文件直接公开了像素内两个光感测元件共享晶体管。因此，技术特征X被对比文件直接公开。 |
| **技术特征Y：** 其进一步包括：用于至少部分地基于来自所述像素的所述第一光感测元件的至少一个信号及来自所述像素的所述第二光感测元件的至少一个信号形成图像的装置。<br>**《直接公开》** | 同特征F的引用。共同输出电路17’（含差动放大器等）和影像形成单元26构成了用于形成图像的装置。 | 这是以“装置+功能”形式表述的特征。对比文件中明确存在用于基于两个光感测元件信号形成图像的物理装置（输出电路、影像形成单元）。因此，技术特征Y被对比文件直接公开。 |
| **技术特征Z：** 其中用于形成图像的装置包括用于至少部分地基于以下公式形成图像的装置：Thdr(x,y)＝(1-α(x,y))·T1(x,y)+α(x,y)·T2(x,y)…<br>**《未公开》** | 同特征G的引用。 | 该特征与特征G实质相同。对比文件未公开该特定算法及其实现装置。因此，技术特征Z既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
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