对比文件名称：2003-07-18_JP2003204203A_发明专利_JP2003204203A Filter with directional coupler and communication device
目标专利名称：1182通孔过渡及其制作方法CN105453332B
本次调用的模型名称：本模型（基于深度学习的专利评估模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括两个端部分(L1，L5) 未公开** | 对比文件未明确提及“端部分”作为独立结构。 | 对比文件描述内导体103由高阻抗部分101和低阻抗部分102交替连接而成，但未定义或区分专门的端部分。内导体的两端仅为整体内导体的末端，未作为具有特定功能或结构的独立组成部分。目标专利中端部分是与高阻抗、低阻抗部分并列的特定结构，且直接耦接传输线，对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征B：高阻抗部分(L2，L3，L4) 《直接公开》** | [0006]段：“高インピーダンス部１０１”（高阻抗部分101）。 | 对比文件明确记载了内导体或线电极中具有高阻抗部分，其作用是通过其电感特性构成低通滤波器。目标专利中高阻抗部分同样作为等效电感元件，形成阶梯式阻抗低通滤波结构以增大带宽。特征内容与作用实质相同，本领域技术人员可直接确定。 |
| **技术特征C：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4) 《直接公开》** | [0006]段：“低インピーダンス部１０２”（低阻抗部分102）。 | 对比文件明确记载了内导体或线电极中具有低阻抗部分，其作用是通过其电容特性构成低通滤波器。目标专利中低阻抗部分同样作为等效电容元件，形成阶梯式阻抗低通滤波结构。特征内容与作用实质相同，本领域技术人员可直接确定。 |
| **技术特征D：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间 《隐含公开》** | [0006]段：“高インピーダンス部１０１と、低インピーダンス部１０２とを交互に接続したような形状の内導体１０３”（高阻抗部分101和低阻抗部分102交替连接成一体形状的内导体103）。 | 对比文件公开了高阻抗部分与低阻抗部分交替连接形成内导体，内导体的两端（即整体结构的末端）自然构成端部分。虽然未明确命名端部分，但交替布置必然存在于两端之间，且该结构在对比文件中起到形成低通滤波器的作用。目标专利中同样通过交替布置形成阶梯式阻抗结构。本领域技术人员可合理推断出该技术方案。 |
| **技术特征E：所述通孔过渡形成在基底中 未公开** | 对比文件未涉及通孔过渡形成于基底内的结构。 | 对比文件图19、20所示滤波器为同轴结构（内导体置于外导体内）或微带结构（线电极位于基板表面），未采用通孔过渡形式，也未将各部分形成于基底介电层内部。 |
| **技术特征F：其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层 未公开** | 对比文件未提及各部分延伸通过介电层。 | 对比文件中的内导体为实心金属或表面线电极，不涉及垂直穿过多个介电层的结构。 |
| **技术特征G：其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底 未公开** | 对比文件未指定基底材料类型。 | 对比文件仅述及诱电体基板（介电基板），但未限定为LTCC、HTCC、LCP或PCB等特定多层基底材料。 |
| **技术特征H：其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4 未公开** | 对比文件未指定低阻抗部分的具体数目。 | 对比文件仅示例性给出高/低阻抗部分交替，未限定数目为4。 |
| **技术特征I：其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3 未公开** | 对比文件未指定高阻抗部分的具体数目。 | 对比文件仅示例性给出高/低阻抗部分交替，未限定数目为3。 |
| **技术特征J：其中每个部分的形状都为圆柱形 《隐含公开》** | [0006]段：“径が小さく、軸長が長い高インピーダンス部１０１と、径が大きく、軸長が短い低インピーダンス部１０２”（直径小、轴长长的高阻抗部分101和直径大、轴长短的低阻抗部分102）。 | 对比文件描述高阻抗部分和低阻抗部分采用直径和轴长参数，结合图19示出的内导体整体为圆柱形，可合理推断所有部分（包括端部）均为圆柱形。目标专利中所有部分也为圆柱形以实现同轴对齐。 |
| **技术特征K：所有部分都是同轴对齐的 《隐含公开》** | [0006]段：“内導体１０３を外導体１０４内に配置”（内导体103配置在外导体104内）。 | 对比文件内导体103为连续的一体结构，自然保证高阻抗、低阻抗及两端部分沿同一轴线设置。目标专利中同轴对齐是减小不连续性的重要特征，本领域技术人员可合理推断出该结构对齐方式。 |
| **技术特征L：其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小 未公开** | 对比文件未涉及与端部分的面积比较。 | 对比文件未定义端部分，更未公开高阻抗部分与端部分的横截面面积关系。 |
| **技术特征M：低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大 未公开** | 对比文件未涉及与端部分的面积比较。 | 对比文件未定义端部分，更未公开低阻抗部分与端部分的横截面面积关系。 |
| **技术特征N：其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线 未公开** | 对比文件未明确传输线耦接方式。 | 对比文件未提及端部分与传输线的直接耦接结构。 |
| **技术特征O：其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成 未公开** | 对比文件未指定导体材料。 | 对比文件仅一般性提及导体，未限定为金或银。 |
| **技术特征P：其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成 未公开** | 对比文件未涉及LTCC或Ferro A6S。 | 对比文件未公开该具体基底材质。 |
| **技术特征Q：所述Ferro A6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002 未公开** | 对比文件未涉及Ferro A6S参数。 | 对比文件未公开该具体介电参数。 |
| **技术特征R：其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um 未公开** | 对比文件未涉及LTCC层厚度。 | 对比文件未公开该具体厚度值。 |
### 公开性代码总结
- 直接公开：技术特征B、C
- 隐含公开：技术特征D、J、K
<<<B>>><<<C>>><<<d>>><<<j>>><<<k>>>