对比文件名称：2001-12-13_US2001050370A_发明申请_US20010050370A1 Light irradiating device, manufacturing method thereof, and lighting apparatus using the light irradiating device
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译成中文) | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45 《隐含公开》 | 对比文件[0009]公开了一种光照射装置，包括树脂，该树脂用作透镜并覆盖光半导体芯片，从而透镜相对于芯片的位置由模具确定，实现了准确定位。 | 对比文件虽然没有明确提及“载体”，但通过树脂透镜将光半导体芯片包封并形成透镜，借助模具精确定位，实现了光学元件相对于光学半导体元件的准确定位，其功能与目标专利中载体使光学元件准确定位的作用相同，本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 《隐含公开》 | 对比文件[0011]公开了制造方法步骤：准备导电箔，形成隔离沟槽，安装光半导体芯片，模塑树脂以覆盖芯片并形成透镜，去除导电箔背面等。 | 对比文件公开的方法包括使光学元件准确定位的步骤，例如通过模具使树脂形成透镜，限定透镜相对于芯片的位置，从而准确定位，因此隐含公开了该方法包括使得光学元件准确定位的步骤。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10) 《隐含公开》 | 对比文件[0041]公开了导电箔的材料可以是Cu-Al、Al-Cu-Al等合金，其中Al-Cu-Al可视为三层复合导电箔，即导电多层基片。 | 对比文件虽未使用“导电多层载体基片”术语，但公开了Al-Cu-Al这种三层复合导电箔，本领域技术人员可合理推断其具有多层结构，且可用于后续加工形成导体，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) 《隐含公开》 | 对比文件[0041]公开的Al-Cu-Al导电箔，其结构为Al层、Cu层、Al层，分别对应于上部、中间、下部载体层。 | 对比文件公开的Al-Cu-Al复合箔自然地具有上部Al层、中间Cu层、下部Al层，与目标专利的上部、中间、下部载体层结构相对应，因此隐含公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) 《隐含公开》 | 对比文件[0049]通过半蚀刻在导电箔中形成隔离沟槽，从而形成导电路径，这些导电路径可视为上部导体结构；若导电箔为多层，则蚀刻涉及上部层和中间层。 | 对比文件通过蚀刻在导电箔中形成导体结构，本领域技术人员可理解，在多层导电箔（如Al-Cu-Al）中，该导体结构必然形成于上部层和中间层中，因此隐含公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) [未公开] | 对比文件[0057]将绝缘树脂67覆盖在导电箔上，但树脂是模塑成型的，并填充沟槽，不是预先形成的图案化绝缘间隔层，且树脂本身即为透镜。 | 对比文件没有提供独立的图案化绝缘间隔层，其树脂层直接作为光学元件，并且未形成类似目标专利的绝缘间隔层结构，因此不公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) [未公开] | 对比文件[0057]的树脂覆盖后，芯片被完全埋入树脂中，没有形成空腔，而是被树脂填充。 | 对比文件没有形成任何腔体，芯片被包封在树脂内，因此不公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) [未公开] | 对比文件[0056]将光半导体芯片65安装在导电箔上，并通过引线键合连接，不是在腔中。 | 对比文件没有腔，芯片直接连接在导电箔表面，而非在腔中连接，因此不公开。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 [未公开] | 对比文件没有腔，也没有关于腔深度的任何描述。 | 对比文件未公开腔的深度，也不存在腔与芯片高度的比较，因此不公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 [未公开] | 对比文件[0057]通过模具使树脂形成透镜形状，从而限定透镜相对于芯片的位置，但这不是通过腔。 | 对比文件没有腔，其定位方式是通过模具成型树脂，而非通过腔的形貌限定，因此不公开。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 《隐含公开》 | 对比文件[0041]的Al-Cu-Al中，中间Cu层与上下Al层金属不同。 | 对比文件隐含公开了中间层与上下层金属不同，这与目标专利特征一致，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻 [未公开] | 对比文件没有公开选择性蚀刻，也未描述选择金属以使中间层可被蚀刻而上下层不被蚀刻。 | 对比文件未涉及金属的选择性蚀刻特性，因此不公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 [未公开] | 对比文件没有公开不同层的蚀刻选择性。 | 对比文件未公开任何使上层和下层基本保持原样的蚀刻剂，因此不公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 [未公开] | 对比文件[0051]公开了在湿蚀刻时，导电膜62悬垂在隔离沟槽上方类似帽檐，这改善了树脂的粘附，但这是钻蚀导电箔本身，而非钻蚀上部载体层，且非通过选择性蚀刻中间层形成。 | 对比文件没有多层结构，其形成的帽檐结构与目标专利的凹槽结构和形成方式不同，因此不公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤 《隐含公开》 | 对比文件[0011]等公开了制造方法包括多个步骤，例如准备导电箔、形成沟槽、安装芯片、模塑树脂、去除背面等。 | 对比文件的方法包括多个步骤，本领域技术人员可理解该方法包含后续步骤，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 [未公开] | 对比文件没有中间绝缘层，也未在导电箔与树脂之间提供其他绝缘层。 | 对比文件未公开中间绝缘层，因此不公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22 [未公开] | 对比文件没有中间绝缘层，也没有倒装芯片凸块连接结构。 | 对比文件未公开中间绝缘层及其配合加热加压实现电连接的功能，因此不公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 [未公开] | 对比文件[0056]使用引线键合，没有凸块连接。 | 对比文件未公开凸块和焊盘的电连接方式，因此不公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22 [未公开] | 对比文件没有凸块和中间膜。 | 对比文件未公开相关结构，因此不公开。 |
| 技术特征T：43)。 [未公开] | 同上。 | 不公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤 《隐含公开》 | 对比文件[0011]等公开了制造方法包括后续步骤，如去除背面、分离器件等。 | 对比文件的方法包括多个步骤，隐含公开了还包括后续步骤。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 [未公开] | 对比文件[0065]通过去除导电箔背面，使导电路径的背面暴露，但这不是在“下部载体层”中形成的，而是去除部分材料后暴露的同一层。 | 对比文件没有下部载体层，其导电路径的背面暴露是同一导电箔的背面，并非在下部载体层中单独形成引线，因此不公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离。 《隐含公开》 | 对比文件[0065]公开了通过去除导电箔背面，使树脂暴露，导电路径彼此分离，从而实现电隔离。 | 对比文件公开了导电路径被树脂隔离，彼此电隔离，与目标专利引线电隔离的作用相同，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 [未公开] | 对比文件[0056]通过引线键合连接，而不是凸块和焊盘。 | 对比文件未公开凸块和焊盘的连接方式，因此不公开。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 [未公开] | 同上。 | 不公开。 |
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