对比文件：2005-07-27_CN1647268A_发明公开_CN1647268A 载体、制造载体和电子器件的方法
目标专利：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：无（基于通用模型）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位（不公开） | 对比文件全文未提及光学元件、光学半导体元件或光学定位。 | 对比文件涉及一般电子器件（如半导体元件），未涉及光学元件及光学定位，因此该特征未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（不公开） | 对比文件全文未提及光学元件、光学半导体元件或光学定位。 | 同特征A，不公开。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)（直接公开） | “提供第一金属层、中间层和第二金属层的堆叠”（说明书第4页第2段）；“图4示出了第一个步骤以后的载体30，在该第一个步骤中，Cu的第一金属层11、Al的中间层12和Cu的第二金属层13相互附着。” | 对比文件明确公开了提供导电多层载体基片（Cu/Al/Cu堆叠），与目标专利的“导电多层载体基片”实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)（直接公开） | “第一金属层（相当于上部载体层）、中间层（相当于中间载体层）、第二金属层（相当于下部载体层）”（说明书第4页第2段，图4）。 | 对比文件的三层金属堆叠（第一金属层、中间层、第二金属层）与目标专利的结构一一对应，因此直接公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13,12)中形成(206,207)上部导体结构(22)（直接公开） | “通过蚀刻该第一金属层和中间层，形成连接导体31-35”（图1，说明书第3页第2段）；“第一金属层11和中间层12被蚀刻，从而在连接导体31-35的侧面中形成凹进16”。 | 对比文件通过蚀刻第一金属层和中间层形成导体结构（连接导体），与目标专利在上部载体层和中间载体层中形成上部导体结构相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208,209)图案化的绝缘间隔层(26)（不公开） | 对比文件未公开任何绝缘间隔层；其第一蚀刻掩模14为金属粘合剂层（NiPdAu），并非绝缘层。 | 目标专利的绝缘间隔层是用于形成腔并限定光学元件位置的绝缘层，对比文件仅公开金属蚀刻掩模，无绝缘层，且无类似功能，因此不公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)（不公开） | 对比文件未公开绝缘间隔层，也未公开在该层中形成腔。 | 由于对比文件无绝缘间隔层，故不可能形成腔，因此不公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)（不公开） | 对比文件未公开腔结构，元件直接通过倒装芯片或引线键合连接至导体，不存在腔。 | 目标专利的腔用于容纳并连接元件，对比文件无此腔，因此不公开。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度（不公开） | 对比文件未公开腔，未涉及深度与元件高度的关系。 | 不公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置（不公开） | 对比文件未涉及光学元件，也未涉及腔用于定位。 | 不公开。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的（直接公开） | “中间层12包括Al.99Si.01，第一和第二金属层包括Cu”（说明书第3页第2段，图1）。 | 对比文件明确中间层为Al合金，第一、第二金属层为Cu，材质不同，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻（直接公开） | “该中间层最优选地由可以相对于第一金属层选择性地蚀刻的材料制成”（说明书第3页第2段）；“利用KOH溶液蚀刻Al中间层”。 | 对比文件公开了中间层材料可被选择性蚀刻，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样（直接公开） | “蚀刻剂使用相对于第一金属层是选择性的”（说明书第2页第4段）；“相对于第一金属层出现蚀刻不足”。 | 对比文件公开了蚀刻剂对第一金属层（Cu）基本无作用，而对中间层（Al）有选择性，因此直接公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固（直接公开） | “在第一金属层11和中间层12被蚀刻，从而在连接导体31-35的侧面中形成凹进16”（图1，说明书第3页第2段）；“封装40延伸到凹进16，导致形成机械锚定”。 | 对比文件通过选择性蚀刻中间层形成凹进（undercut），用于封装材料锚固，与目标专利的凹槽作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤（不公开） | 对比文件未公开中间绝缘层相关步骤。 | 该特征为引入后续步骤的引导，但对比文件无对应步骤，故不公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层（不公开） | 对比文件未公开任何中间绝缘层。 | 目标专利的中间绝缘层位于载体与绝缘间隔层之间，对比文件无绝缘间隔层，也无中间绝缘层，因此不公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（不公开） | 对比文件未公开中间绝缘层，也未公开通过加热加压穿透绝缘层实现电连接的方式。 | 对比文件虽有可液化的层（用于抵消凸块变形），但并非绝缘层，且不用于通过加热加压实现连接，故不公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（不公开） | 同特征Q。 | 不公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22)（不公开） | 同特征Q。 | 不公开。 |
| 技术特征T：43)（不公开） | 同特征Q。 | 不公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤（隐含公开） | 对比文件明确公开了形成下部导体结构的步骤（例如“构图第二金属层13形成接触面”，说明书第4页第4段，图9）。 | 对比文件的方法包括在第二金属层中形成导体结构的步骤，因此隐含公开了“还包括以下步骤”这一引导特征。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线（直接公开） | “在第二金属层13中形成接触面，该接触面用作外部连接”（图9，说明书第4页第4段）；“第二金属层13具有与第二粘合剂层17相同的图案，形成接触面”。 | 对比文件通过蚀刻第二金属层形成接触面（引线），用于外部连接，因此直接公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离（直接公开） | “第二金属层13被构图，使得形成分离的接触面，彼此电隔离”（图1，图9，说明书第3页第2段）。 | 对比文件通过蚀刻使第二金属层形成独立的接触面，实现电隔离，因此直接公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | “具有连接区域21的半导体元件20通过连接装置22连接到连接导体31-35，该连接装置为Au的隆起”（图1，说明书第3页第2段）；“倒装芯片技术”。 | 对比文件明确公开了通过凸块（Au隆起）与焊盘（连接导体）的倒装芯片连接，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 同特征X。 | 同特征X，直接公开。 |
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