对比文件的名称：2006-09-20_EP1537603A_发明公开_EP1537603A4 POWER SURFACE MOUNT LIGHT EMITTING DIE PACKAGE
目标专利的名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：无
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：《直接公开》所述载体能够使得光学元件(45,61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位 | 对比文件[0028]：“发光管芯封装10包括底部散热器20、顶部散热器40和透镜50”，以及[0041]：“反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的凸缘44”。 | 对比文件公开了透镜50覆盖安装垫，并由反射板40的凸缘44支撑，从而透镜相对于LED组件60准确定位，因此载体（封装）能够使得光学元件相对于光学半导体元件准确定位。 |
| 技术特征B：《未公开》61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 | 对比文件未公开明确的方法步骤引述。 | 对比文件描述了封装结构，但未以“方法包括以下步骤”的形式公开制造方法，因此未公开该特征。 |
| 技术特征C：《未公开》提供(201)导电多层载体基片(10) | 对比文件[0029]：“衬底20由高导热但电绝缘的材料制成，例如氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)”。 | 对比文件公开的衬底是绝缘陶瓷，并非导电多层载体基片，因此未公开该特征。 |
| 技术特征D：《未公开》所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) | 对比文件未公开多层载体基片结构。 | 对比文件衬底为单层绝缘材料，没有上部、下部、中间载体层，因此未公开。 |
| 技术特征E：《未公开》在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) | 对比文件[0029]：“迹线22和24以及焊盘32、34、36可以用导电材料制造”，但迹线形成在衬底表面，并非在多层金属层中。 | 对比文件没有上部载体层和中间载体层的概念，导体结构形成在绝缘衬底上，因此未公开。 |
| 技术特征F：《未公开》在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) | 对比文件[0039]：“顶部散热器40由高导热材料制成，如铝、铜、陶瓷、塑料、复合材料等”，以及“介电材料可用于覆盖迹线”。 | 对比文件公开的顶部散热器是金属的，非绝缘间隔层；虽然提到介电涂层，但并非图案化的绝缘间隔层，因此未公开。 |
| 技术特征G：《未公开》所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) | 对比文件未公开绝缘间隔层图案化形成腔。 | 对比文件的腔由反射板（金属）形成，并非绝缘间隔层图案化形成，因此未公开。 |
| 技术特征H：《隐含公开》在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) | 对比文件[0028]：“顶部散热器（反射板）实质上围绕安装垫”，[0032]：“LED组件60安装在安装垫28上并通过键合线62连接到迹线”。 | 对比文件公开了反射板形成的腔围绕安装垫，LED在腔中连接到迹线，虽然腔的结构不同，但功能相同，因此本领域技术人员可以合理推断该特征，隐含公开。 |
| 技术特征I：《隐含公开》当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 | 对比文件图3显示反射板深度，但未明确说明深度关系。 | 从对比文件图3和描述，反射板深度通常大于LED高度以容纳LED，本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：《直接公开》所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45,61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 | 对比文件[0041]：“反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的凸缘44”。 | 对比文件公开了由反射板形成的腔通过凸缘44支撑透镜，从而限定透镜相对于LED的位置，因此直接公开。 |
| 技术特征K：《未公开》所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有多层金属载体，因此未公开。 |
| 技术特征L：《未公开》所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有相关教导，因此未公开。 |
| 技术特征M：《未公开》所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有选择性蚀刻的教导，因此未公开。 |
| 技术特征N：《未公开》由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有凹槽结构，因此未公开。 |
| 技术特征O：《未公开》还包括以下步骤 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有明确方法步骤，因此未公开。 |
| 技术特征P：《未公开》在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有中间绝缘层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：《未公开》所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有中间绝缘层及相应的配置，因此未公开。 |
| 技术特征R：《未公开》43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开凸块连接通过中间绝缘层，因此未公开。 |
| 技术特征S：《未公开》所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22 | 对比文件未公开。 | 对比文件没有公开凸块面向中间膜，因此未公开。 |
| 技术特征T：《未公开》43)。 | 对比文件未公开。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征U：《未公开》还包括以下步骤 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征V：《未公开》在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 | 对比文件[0034]：“底部焊盘34”，但未在下部载体层中形成。 | 对比文件有底部焊盘用于电连接，但不是形成在下部载体层中，因此未公开。 |
| 技术特征W：《未公开》所述引线彼此电隔离。 | 对比文件[0032]：迹线22和24分别提供阳极和阴极连接，彼此隔离。 | 对比文件迹线电隔离，但不是在权利要求所述的多层载体结构中，因此未公开。 |
| 技术特征X：《隐含公开》其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 | 对比文件[0033]：“安装垫28可以配置为允许LED组件60的倒装芯片附着”。 | 对比文件提到倒装芯片附着，本领域技术人员知道倒装芯片使用凸块和焊盘连接，因此可以合理推断出该特征，隐含公开。 |
| 技术特征Y：《隐含公开》其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 | 同上。 | 同上，隐含公开。 |
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