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对比文件列表
1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx
2026-07-22 17:34
1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
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1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx

## 对比文件名称

1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser

## 目标专利名称

1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

## 本次调用的模型名称

DeepSeek

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:包括,衬底(2)【直接公开】对比文件详细描述部分:“在衬底10上外延生长垂直结构。”(原文:A vertical structure is epitaxially grown on a substrate 10.)对比文件明确公开了衬底10,用于支撑外延层,与目标专利的衬底2作用相同,因此直接公开。
技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)【直接公开】对比文件详细描述部分:“在衬底10上形成下镜14……”(原文:There are formed over the substrate 10 a lower mirror 14...)下镜14为多层交替折射率材料构成的布拉格反射器。对比文件公开了设置于衬底上的下镜14(第一布拉格反射器叠层),与目标专利的第一布拉格反射器叠层5结构和位置对应,直接公开。
技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)【直接公开】对比文件详细描述部分:“上镜22由十二个周期的AlAs层和GaAs层构成……”(原文:Most of the upper mirror 22 was composed of twelve periods 70 of an AlAs layer 72 and a GaAs layer 74.)对比文件公开了上镜22(第二布拉格反射器叠层),与目标专利的第二布拉格反射器叠层9对应,直接公开。
技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔【直接公开】对比文件详细描述部分:“光学腔的端面由镜14和22限定。”(原文:The ends of the optical cavity are defined by the mirrors 14 and 22.)对比文件公开了下镜14和上镜22构成光学谐振腔,激光沿垂直于衬底的方向传播,形成光轴,直接公开。
技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出【直接公开】对比文件详细描述部分:“激光通过下镜14和衬底10发射。”(原文:laser light is emitted through that mirror 14 and through the substrate 10.)对比文件明确激光束从衬底侧沿光轴方向出射,直接公开。
技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)【直接公开】对比文件详细描述部分:“金层24具有两个功能:它将上镜22未反射的光反射回光学腔,并提供电接触。”(原文:The gold layer 24 performs two functions. It reflects back into the optical cavity whatever light has not been reflected by the upper mirror 22 and further provides an electrical contact 26 for electrical pumping of the laser.)对比文件的金层24沉积在上镜22顶部,作为金属反射器使上镜终止,与目标专利的金属性反射器层15功能相同,直接公开。
技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(3)定位并且覆盖一定区域【直接公开】对比文件详细描述部分:“金层24沉积在整个上镜22表面。”(原文:...coated with the gold layer 24 to a thickness of 150 nm.)金层中心位于激光腔光轴上。对比文件的金层24覆盖整个上镜22表面,其中心位于光轴上,即环绕光轴定位并覆盖一定区域(整个顶部表面),直接公开。
技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域【未公开】对比文件未涉及任何关于TEM00模式强度分布或金属层区域尺寸与模式强度的关系。对比文件没有公开金属层区域大小的具体限定,更没有教导根据TEM00模式强度分布选择区域,也未隐含公开任何相关尺寸设计,因此未公开。
技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)【未公开】第一部分:对比文件上镜22由12个周期(即12对)构成(原文:twelve periods 70)。第二部分:对比文件没有公开任何电流限制层。第一部分(至多15对)被直接公开(12对≤15对);第二部分(电流限制层)在对比文件中完全没有记载,对比文件仅通过台面结构限制电流,未采用具有电流孔的绝缘层结构。因此特征I整体未公开。
技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)【未公开】对比文件未公开任何电流限制层或电流孔结构。对比文件没有电流限制层,更无电流孔,因此未公开。
技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域【未公开】对比文件未公开电流孔,也无金属层与孔尺寸的比较。对比文件没有电流孔,无法建立金属层与孔区域的尺寸关系,因此未公开。
技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10【未公开】对比文件未公开电流孔,也无比例关系。对比文件没有电流孔,无法确定比例,因此未公开。
技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上【未公开】对比文件描述:“MBE生长完成后,将样品快速移至热蒸发腔室,镀上金层24。”(原文:...coated with the gold layer 24...)未提及绝缘层。对比文件的金层直接沉积在半导体上,没有绝缘层,因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层【未公开】对比文件未公开任何绝缘层。对比文件没有绝缘层,更无氧化硅层,因此未公开。
技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管【直接公开】对比文件详细描述部分:“下镜14并非完全反射,因此激光通过该镜和衬底10发射。”(原文:The lower mirror 14 is not completely reflecting so that laser light is emitted through that mirror 14 and through the substrate 10.)对比文件明确激光从衬底侧(底部)发射,属于底部发射结构,直接公开。
技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上【直接公开】对比文件详细描述部分:“金层24沉积在上镜22上。”(原文:...coated with the gold layer 24...)上镜22为最顶部布拉格反射器叠层。对比文件的金层24位于最顶部布拉格反射器叠层(上镜22)之上,与目标专利设置位置一致,直接公开。
技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕【未公开】对比文件没有环接触结构,金层24本身作为电接触,且覆盖整个上镜表面。对比文件的金层是连续层,周围没有独立的环接触,因此未公开。
技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5【直接公开】对比文件使用金层24(gold layer)作为金属反射器。本领域公知,金在典型VCSEL波长(如958nm)的折射率实部远低于0.5(例如约0.2-0.3)。对比文件公开了金作为金属反射器,其折射率实部低于0.5是金材料的固有属性,本领域技术人员阅读对比文件可直接确定,因此直接公开。
技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组【直接公开】对比文件明确使用金层24(gold layer 24),并提及银可替代金(原文:Silver could be thermally deposited in place of the gold for better reflectivity.)。对比文件公开了金作为金属反射器层,并提及可替代的银,因此直接公开。
技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低【未公开】对比文件未描述金属层覆盖度的变化,金层均匀覆盖整个表面。对比文件没有公开覆盖度变化,也没有任何渐变结构,因此未公开。
技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分【直接公开】对比文件详细描述部分:“金层24提供用于电泵浦的电接触26。”(原文:...further provides an electrical contact 26 for electrical pumping of the laser.)对比文件的金层24同时作为金属反射器和电接触的一部分,直接公开。
技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管【未公开】对比文件明确激光从衬底侧发射,属于底部发射。(原文:laser light is emitted through that mirror 14 and through the substrate 10.)对比文件是底部发射,不是顶部发射,因此未公开。
技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下【未公开】对比文件金层24位于上镜22之上,是最顶层,没有被埋置。对比文件金层在最顶部,不是埋置在反射器叠层之下,因此未公开。
技术特征X:还包括电接触层【未公开】对比文件的金层24本身既是金属性反射器层也是电接触层,但特征X与Y结合要求电接触层与金属性反射器层相交,对比文件没有其他电接触层。对比文件没有独立的电接触层与金属性反射器层相交,因此未公开。
技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分【未公开】对比文件没有描述任何电接触层与金属性反射器层相交的结构。对比文件没有公开这种相交部分,因此未公开。

## 公开性代码输出

根据上述判断,对比文件直接公开了以下技术特征:

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<O>>><<<P>>><<<R>>><<<S>>><<<U>>>

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