对比文件的名称：2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method
目标专利的名称：1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，衬底（2）《直接公开》 | 对比文件[0029]：“n型GaAs基板101” | 对比文件明确公开了n型GaAs基板101作为衬底，与目标专利的衬底2相对应，作用相同，均为提供支撑和导电。 |
| 技术特征B：设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层（5）《直接公开》 | 对比文件[0029]：“n型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー112” | 对比文件公开了n型GaAs/AlGaAs多层膜反射镜作为第一布拉格反射器叠层，设置在衬底上，与目标专利的第一布拉格反射器叠层5对应。 |
| 技术特征C：第二布拉格反射器叠层（9）《直接公开》 | 对比文件[0029]：“p型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー111” | 对比文件公开了p型GaAs/AlGaAs多层膜反射镜作为第二布拉格反射器叠层，与目标专利的第二布拉格反射器叠层9对应。 |
| 技术特征D：所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）形成具有光轴（3）的激光腔《直接公开》 | 对比文件[0013]：“活性層領域を挟んで垂直共振器を構成する上下２つのミラー層” | 对比文件公开了上下两个多层膜反射镜与活性层区域构成垂直共振器（激光腔），光轴垂直于基板，与目标专利的激光腔和光轴对应。 |
| 技术特征E：在操作中激光束沿着该光轴发出《直接公开》 | 对比文件[0029]：“基板表面から基板101に対して垂直方向にレーザ光を出射できる” | 对比文件公开了激光束从基板表面垂直方向出射，即沿光轴方向，与目标专利一致。 |
| 技术特征F：使布拉格反射器叠层（5，9）之一终止的金属性反射器层（15）《直接公开》 | 对比文件[0036]：“p型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー111上に形成されたアノード電極121は金属ミラーとしての機能も持っており” | 对比文件公开了阳极电极121同时作为金属反射镜，使p型多层膜反射镜（第二布拉格反射器叠层）终止，与目标专利的金属性反射器层15功能相同。 |
| 技术特征G：所述金属性反射器层（15）环绕所述光轴（15）定位并且覆盖一定区域《直接公开》 | 对比文件[0031]：“p型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー111で形成されたメサの上部及び側面がアノード電極121にて覆われている” | 对比文件公开了阳极电极覆盖p型多层膜反射镜的上部（即环绕光轴的中心区域），覆盖了一定区域，与目标专利的金属性反射器层定位和覆盖区域对应。 |
| 技术特征H：该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件全文未提及任何关于激光模式强度分布或金属反射器尺寸与模式强度关系的内容，本领域技术人员也不能从对比文件合理推断出该特征，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中被所述金属性反射器层（15）终止的布拉格反射器叠层（5，9）包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层；并且中所述垂直腔表面发射激光二极管（1）还包括电流限制层（8）《未公开》 | 对于电流限制层：对比文件[0030]：“AlAs選択的酸化可能層を中央部を除いて酸化した選択酸化層114は、電流狭窄を行って局所的に電流密度を高め”。<br>对于布拉格反射器层数：对比文件[0036]：“p型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー111の層数を削減することができる”。 | 对比文件公开了选择氧化层114作为电流限制层，但未公开被金属反射器终止的布拉格反射器叠层包括至多15对。虽然对比文件提到可以减少层数，但未给出具体数值，本领域技术人员不能毫无疑义地得出至多15对的结论，因此该特征整体未公开。 |
| 技术特征J：该电流限制层（8）具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔（81）《直接公开》 | 对比文件[0030]：“中央部を除いて酸化した選択酸化層114” | 对比文件公开了选择氧化层114中央未氧化部分作为电流孔，横向限制电流，与目标专利的电流孔81对应。 |
| 技术特征K：其中所述金属性反射器层（15）覆盖其大小不超过被所述孔（81）覆盖的区域的大小的区域《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件公开的阳极电极覆盖整个上表面，其大小远大于电流孔区域，没有公开金属反射器层覆盖区域不超过孔区域的关系，本领域技术人员也不能从对比文件合理推断，因此未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，被所述金属性反射器层（15）覆盖的所述区域至少是被所述孔（81）覆盖的区域的1/10《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件未公开任何关于金属反射器层覆盖区域与孔区域的比例关系，因此未公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述金属性反射器层（15）被沉积到绝缘层（13）上《未公开》 | 对比文件[0031]：“p型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー111で形成されたメサの上部及び側面がアノード電極121にて覆われている” | 对比文件公开的阳极电极直接沉积在p型多层膜反射镜上，中间没有绝缘层，因此未公开该特征。 |
| 技术特征N：其中所述绝缘层（13）是氧化硅层《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件未公开任何绝缘层，更未公开氧化硅绝缘层，因此未公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述垂直腔表面发射激光二极管（1）是底部发射激光二极管《直接公开》 | 对比文件[0031]：“レーザ光の取出しは、n型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー112、n型GaAs基板101を通して行う” | 对比文件公开了激光从n型基板侧取出，即底部发射，与目标专利的底部发射对应。 |
| 技术特征P：所述金属性反射器层（15）设置在沉积于所述衬底（2）上的最顶部布拉格反射器叠层（9）上《直接公开》 | 对比文件[0036]：“p型GaAs/AlGaAs多層膜ミラー111上に形成されたアノード電極121” | 对比文件公开了阳极电极设置在p型多层膜反射镜（最顶部布拉格反射器叠层）上，与目标专利一致。 |
| 技术特征Q：其中所述金属性反射层（15）周边被环接触（11）围绕《未公开》 | 对比文件[0031]：“メサの上部及び側面がアノード電極121にて覆われている” | 对比文件公开的阳极电极覆盖整个上表面和侧面，并非环接触围绕，未公开环接触结构，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属性反射器层（15）的折射率的实部低于0.5《隐含公开》 | 对比文件[0035]：“アノード電極121にCr/Au” | 对比文件公开了阳极电极使用金（Cr/Au），本领域技术人员公知，金在980nm等典型VCSEL激光波长处的折射率实部约为0.2，低于0.5，因此可以合理推断出该技术特征，所以隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属性反射器层（15）的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组《直接公开》 | 对比文件[0035]：“アノード電極121にCr/Au” | 对比文件公开了阳极电极包含金，金属于该组，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征T：其中所述金属性反射器层（15）的覆盖度从光轴（3）处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件公开的阳极电极覆盖度均匀，没有逐渐降低的覆盖度设计，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中所述金属性反射器层（15）形成电接触之一的至少一部分《直接公开》 | 对比文件[0036]：“アノード電極121は金属ミラーとしての機能も持っており” | 对比文件公开了阳极电极同时作为金属反射镜和电接触，即金属反射器层形成电接触的一部分，与目标专利一致。 |
| 技术特征V：其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管《直接公开》 | 对比文件[0038]：“アノード電極121に光取り出し用の窓を設ける” | 对比文件公开了在阳极电极上设置光取出窗的变体，即从p侧出射的顶部发射结构，因此直接公开了顶部发射激光二极管。 |
| 技术特征W：所述金属性反射器层（15）埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）之下《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件未公开金属反射器层埋置在DBR之下的结构，其顶部发射实施例中金属反射器仍在顶部，因此未公开。 |
| 技术特征X：还包括电接触层《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件阳极电极本身即为电接触层，没有额外的电接触层，因此未公开。 |
| 技术特征Y：该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分《未公开》 | 对比文件无相关记载 | 对比文件未公开与金属性反射器层相交的另外的电接触层，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<J>>><<<O>>><<<P>>><<<S>>><<<U>>><<<V>>><<<r>>>