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对比文件列表
1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2007-12-13_None_发明专利_JPWO2005062434A1 面発光レーザおよびレーザ投射装置_+++A_B_E_G_O_P_T_U_X_f_m_q+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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2008-09-25_WO2008114160A_发明申请_WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME_+++A_B_C_E_O_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
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WO2005062434A1_Description_20260712_1453_+++A_E_G_M_O_P_T_U_X_b_f_j+++.docx
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2007-12-13_None_发明专利_JPWO2005062434A1 面発光レーザおよびレーザ投射装置_+++A_B_E_G_O_P_T_U_X_f_m_q+++.docx

对比文件名称:2007-12-13_None_发明专利_JPWO2005062434A1 面発光レーザおよびレーザ投射装置

目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
特征A:包括,衬底(2)《直接公开》[0070]:“本实施方式1的面发光激光器100a具有:半导体基板2a的表面上层叠活性层3和反射层4而成的半导体层叠体110,形成在反射层4上的预定区域的下部电极6,以及形成在半导体基板2a背面侧的平面环形状的上部电极5。”对比文件明确公开了半导体基板2a,该基板即为目标专利中的衬底(2),二者结构完全相同,因此直接公开。
特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)《直接公开》[0070]:“反射层4”为DBR层;[0071]:“反射层4是交替层叠折射率不同的材料4a和4b而成的分布式布拉格反射层(以下称为DBR层)。”对比文件公开了DBR层4,该层设置在衬底2a上(通过活性层),属于布拉格反射器叠层,与目标专利的第一布拉格反射器叠层对应,因此直接公开。
特征C:第二布拉格反射器叠层(9)《未公开》无对比文件仅有一个DBR层(反射层4),另一反射器为外部镜1,并非设置在衬底上的布拉格反射器叠层,因此未公开第二布拉格反射器叠层。
特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔《未公开》无对比文件缺少第二布拉格反射器叠层,其谐振腔由DBR层4和外部镜1构成,与目标专利的两个布拉格反射器叠层结构不同,因此未公开该特征。
特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出《直接公开》[0075]:“该面发光激光器100a中,…激光8经由外部镜1射出到外部。此时,激光8被面发射,激光的出射方向是相对于半导体基板2a的表面垂直的方向。”对比文件公开了激光沿垂直于基板表面的方向出射,即沿着光轴方向,因此直接公开。
特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)《隐含公开》[0070]:“形成在反射层4上的预定区域的下部电极6”;[0071]:反射层4为DBR层;下部电极6为金属电极。对比文件的下部电极6是金属层,直接位于DBR层4上,虽然其主要功能为电接触,但本领域技术人员可以合理推断该金属层会反射穿过DBR的光,从而在光学上终止DBR,因此隐含公开。
特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(15)定位并且覆盖一定区域《直接公开》[0072]:“该下部电极6配置为其中心与上述环形状的上部电极5的中心一致”;下部电极6具有星形形状,覆盖一定区域。对比文件的下部电极6中心与光轴重合,且其星形形状覆盖了以光轴为中心的特定区域,因此直接公开。
特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域《未公开》无对比文件未提及TEM00模式强度分布,也未基于该强度定义电极尺寸,因此未公开。
特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)《未公开》无对比文件未公开DBR对数,且虽有电流停止层(绝缘层11、12)但并非目标专利的电流限制层,因此未公开。
特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)《未公开》无对比文件没有公开具有电流孔的电流限制层,因此未公开。
特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域《未公开》无对比文件没有电流孔,因此未公开。
特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10《未公开》无对比文件没有电流孔,因此未公开。
特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上《隐含公开》[0099]:“图3(a)所示的电流停止层由形成在下部电极600与DBR层4之间的、形成有多个孔的绝缘层11构成。”对比文件图3中,下部电极(其功能相当于金属性反射器层)沉积在绝缘层11上,本领域技术人员可以合理推断该结构可用于金属性反射器层的沉积,因此隐含公开。
特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层《未公开》无对比文件未指定绝缘层材料,因此未公开。
特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管《直接公开》[0070]:“半导体基板2a的背面侧形成有平面环形状的上部电极5”;[0075]:激光从外部镜1出射,外部镜位于基板侧。对比文件中,激光从基板侧(背面)出射,属于底部发射结构,因此直接公开。
特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上《直接公开》[0070]:“反射层4上的预定区域形成有下部电极6”;反射层4(DBR)设置在衬底2a上。对比文件的下部电极6设置在DBR层4上,该DBR层是沉积在衬底上的布拉格反射器叠层,且为最顶部(唯一)DBR,因此直接公开。
特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕《隐含公开》[0116]:“下部电极60由位于其中心部的圆形的内侧电极部60a和配置为包围该内侧电极部60a的环形状的外侧电极部60b构成。”对比文件实施例2中,内侧电极部(可视为金属性反射器层)被环形状的外侧电极部围绕,该外侧电极部相当于环接触,因此隐含公开。
特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5《未公开》无对比文件未提及金属折射率,因此未公开。
特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组《未公开》无对比文件未指定电极材料,因此未公开。
特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低《直接公开》[0072]:“该下部电极6与DBR层4接触的部分的面密度,在该下部电极6的中心部分较大,在其周边部分较小。”对比文件的下部电极6的星形形状导致其与DBR的接触面密度(即金属覆盖度)从中心向边缘逐渐减小,这直接对应于覆盖度的径向降低,因此直接公开。
特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分《直接公开》[0070]:“下部电极6”用于注入电流,是电接触的一部分。对比文件的下部电极6是金属电极,直接作为电接触层使用,因此直接公开金属性反射器层形成电接触的一部分。
特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管《未公开》无对比文件为底部发射,非顶部发射,因此未公开。
特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下《未公开》无对比文件没有该结构,因此未公开。
特征X:还包括电接触层《直接公开》[0070]:“下部电极6”和“上部电极5”均为电接触层。对比文件明确公开了上部电极和下部电极作为电接触层,因此直接公开。
特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分《未公开》无对比文件没有电接触层与金属性反射器层相交的结构,因此未公开。

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