对比文件名称：2004-05-20_JP2004146835A_发明专利_JP2004146835A Light source having led and emitter converter, and method for manufacturing the emitter converter
目标专利名称：1266用于LED的光散射和转换板CN102428583B
本次调用的模型名称：用户未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该光散射和转换板包括a）第一层（12）《直接公开》 | 对比文件图4描述：“支持体１７からなる発光変換体３が示されている。この支持体はベース微結晶（例えばＹＡＧ）だけを含む”。（中文：示出由支持体17构成的发光转换体3。该支持体只包含基础微晶（例如YAG））。以及“その後面（ＬＥＤを基準にして）は数ｍｍの深さの層１６を有する”。 | 对比文件明确公开发光转换体3包括支持体17作为一个层，该层由基础微晶材料构成，相当于第一层，且位于板中。因此特征A直接公开。 |
| 技术特征B：其具有散射属性《隐含公开》 | 对比文件未直接描述支持体17的散射属性，但提及“散乱センタとしてとりわけ異物微結晶がある”，以及多晶陶瓷体可具有散射特性。 | 支持体17由多晶微晶构成，本领域技术人员可合理推断其具有散射属性，且对比文件不排除散射，故特征B隐含公开。 |
| 技术特征C：基本上不具有转换属性《直接公开》 | 对比文件公开支持体17“只包含基础微晶（例如YAG）”，未掺杂。 | 支持体17不含掺杂物质，因此基本上不具有转换属性，直接公开。 |
| 技术特征D：第一层材料选自列表《直接公开》 | 对比文件公开支持体17材料可选“イットリウム−アルミニウム−ガーネット”、“酸化アルミニウム、イットリウム−アルミニウム−ガーネットの群および／または酸化イットリウム”。 | 这些材料均在目标专利列表中，因此特征D直接公开。 |
| 技术特征E：b）第二层（14）《直接公开》 | 对比文件公开“その後面（ＬＥＤを基準にして）は数ｍｍの深さの層１６を有する”，层16是掺杂的发光层。 | 对比文件直接公开了层16作为转换层，相当于第二层，特征E直接公开。 |
| 技术特征F：其具有转换属性《直接公开》 | 对比文件公开层16“Ｃｅのドーピングにより活性化されており、そこではＹＡＧ：Ｃｅが発光体として作用する”。 | 层16被掺杂激活，具有转换功能，特征F直接公开。 |
| 技术特征G：位于该主光源和该第一层之间的光路内《隐含公开》 | 对比文件图4中，层16位于支持体后面（远离LED），但对比文件也提到“セラミック体の前面領域または後面領域をセラミックベース材料により形成すると有利である。なぜならドープ物質により活性化されるからである。” | 对比文件教导可以选择前面区域激活，从而第二层可位于LED和第一层之间，因此本领域技术人员可合理推断该位置关系，特征G隐含公开。 |
| 技术特征H：第二层材料LubYcGddCeeAl5O12，0.09≤e≤0.24《未公开》 | 对比文件第二层材料为YAG:Ce，未公开Lu、Gd掺杂及Ce含量范围。 | 对比文件未公开该具体组成，且无启示，故未公开。 |
| 技术特征I：第二层材料Ca-氮氧化物《未公开》 | 对比文件未公开此类材料。 | 未公开。 |
| 技术特征J：A≥3*B且第一层密度≥90%且≤100%《未公开》 | 对比文件公开陶瓷体密度≥90%，但未公开厚度关系。 | 厚度关系未公开，密度部分虽公开但整体特征要求两者同时满足，故未公开。 |
| 技术特征K：B≥5µm且≤80µm，A≥50µm且≤1000µm《未公开》 | 对比文件未公开这些厚度范围。 | 未公开。 |
| 技术特征L：第二层基本上由陶瓷材料制成《直接公开》 | 对比文件第二层是掺杂的陶瓷体。 | 直接公开。 |
| 技术特征M：第一层散射系数>0且≤1000cm-1《未公开》 | 对比文件未公开散射系数。 | 未公开。 |
| 技术特征N：折射率差异Δn≥0.03且≤1《未公开》 | 对比文件未公开折射率差异。 | 未公开。 |
| 技术特征O：板包括第三层《未公开》 | 对比文件未公开在第一层和第二层之间的第三层。 | 未公开。 |
| 技术特征P：第三层在第一层和第二层之间《未公开》 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：第三层由粘合材料制成《未公开》 | 对比文件有接合层在LED和陶瓷体之间，但不在第一、二层之间。 | 未公开。 |
| 技术特征R：应用领域《未公开》 | 对比文件未具体列举这些应用。 | 未公开。 |
根据上述分析，对比文件直接公开的技术特征包括：A、C、D、E、F、L；隐含公开的技术特征包括：B、G。其他技术特征未公开。
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