对比文件名称：2009-02-25_CN101375420A_发明公开_CN101375420A 发光器件
目标专利名称：1266用于LED的光散射和转换板CN102428583B
本次调用的模型名称：本AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：该光散射和转换板包括a）第一层（12）** | 对比文件公开了“光散射元件6”，用于产生朗伯分布。具体描述：“固态光源3和转换元件4被光散射元件6所围住”（具体实施方式部分，图1对应描述），“光散射元件6包括硅基质材料，其中嵌入有具有0.2μm平均直径和0.05％的体积密度的散射颗粒”（实施例部分）。 | 对比文件虽未明确使用“第一层”术语，但公开了具有散射功能的光散射元件，该元件在功能上对应于目标专利的第一层，本领域技术人员可以合理推断其可作为光散射和转换板中的第一层，因此隐含公开。 |
| **技术特征B：其具有散射属性** | 对比文件明确：“光散射元件6被提供来根据初级辐射的第一部分、次级辐射...生成具有朗伯光分布的混合辐射”（发明内容部分），“光散射元件包括相同或不同的大小、材料和浓度的反射和/或折射颗粒”（具体实施方式部分）。 | 对比文件直接明确公开了光散射元件具有散射属性，与目标专利第一层的散射属性完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征C：基本上不具有转换属性** | 对比文件未提及光散射元件具有转换属性，其功能仅为散射，例如：“光散射元件6被提供来...生成具有朗伯光分布的混合辐射”（发明内容部分），未涉及光转换。 | 对比文件的光散射元件仅用于散射，不涉及光转换，本领域技术人员可以合理推断其不具有转换属性，且对比文件未有任何暗示其具有转换功能，因此隐含公开。 |
| **技术特征D：其中该第一层基本上由选自包含下述的群组的材料制成：玻璃、Al2O3、Y3Al5O12、RE3Al5O12，RE= 稀土金属、Y2O3、ZnS、AlON、AlPON、AlN、MgAl2O4、SiC、SiO2、Si3N4或者其混合物** | 对比文件光散射元件由硅基质材料和嵌入的散射颗粒制成，如：“光散射元件包括硅基质材料(折射率n＝1.45)，其中嵌入有具有0.2μm平均直径和0.05％的体积密度的散射颗粒”（实施例部分），“可以使用ZrO2或者TiO2作为光散射颗粒”（具体实施方式部分）。 | 对比文件光散射元件的主要材料是硅胶（有机硅），并非目标专利所列举的陶瓷或玻璃材料。虽然散射颗粒可能包含无机材料，但第一层整体材料并非由所列材料制成，且对比文件未教导使用所列材料作为散射层，因此未公开。 |
| **技术特征E：b）第二层（14）** | 对比文件公开了“转换元件4”，用于光转换，例如：“在初级辐射光线路径上布置的转换元件4，该转换元件4用于至少部分地吸收初级辐射的第二部分512和次级辐射521和522的辐射”（具体实施方式部分，图1对应描述）。 | 对比文件直接公开了转换元件，对应于目标专利的第二层，具有转换属性，因此直接公开。 |
| **技术特征F：其具有转换属性** | 同上，对比文件明确转换元件用于吸收并转换光。 | 对比文件直接明确公开转换元件具有转换属性，因此直接公开。 |
| **技术特征G：位于该主光源和该第一层之间的光路内** | 对比文件图1及描述显示转换元件4位于固态光源3上，光散射元件6围住它们，如：“固态光源3和转换元件4被光散射元件6所围住”（具体实施方式部分），“转换元件4被布置用于在初级辐射的第二部分512的光线路径上”（具体实施方式部分）。 | 对比文件中，转换元件（第二层）直接位于光源之上，光散射元件（第一层）在转换元件之后（远离光源），因此转换元件位于光源和光散射元件之间的光路中，与目标专利特征G一致，直接公开。 |
| **技术特征H：其中该第二层基本上由选自包含下述的群组的材料制成：LubYcGddCeeAl5O12，其中b+c+d+e=3，0.09≤e≤0.24** | 对比文件实施例中使用YAG:Ce陶瓷材料，如：“使用在450nm处具有最大发射的发射蓝光的LED和应用在固态光源上的YAG:Ce陶瓷材料”（实施例部分），“YAG:Ce粉”（实施例部分）。 | 对比文件公开了YAG:Ce，但未给出具体化学式中Ce的含量范围，也未涉及Gd、Lu等元素。YAG:Ce属于通式的一种，但Ce含量未明确，本领域技术人员无法确定是否在0.09-0.24范围内，且对比文件未公开该具体范围，因此未公开。 |
| **技术特征I：Ca1-x-y-z-0.5uMxSi1+u-v-zAl1-u+v+zN3-vOv:Euy,Cez，其中0≤u<0.2，0≤x<1，0.001≤y≤0.01，0.002≤y≤0.04，并且M=Sr、Ba、Mg；或混合物** | 对比文件未公开任何关于氮氧化物荧光粉的内容。 | 对比文件仅涉及YAG:Ce陶瓷，未提及所述氮氧化物荧光粉材料，因此未公开。 |
| **技术特征J：其中该第一层的厚度A和该第二层的厚度B满足A≥3*B；并且中该第一层基本上由密度为理论密度的≥90%且≤100%的陶瓷材料制成** | 对比文件实施例中，光散射元件厚度600μm，转换元件厚度250μm，即A=600，B=250，A/B=2.4<3。且光散射元件材料为硅胶，非陶瓷，密度未提及。 | 对比文件未公开厚度关系，且实际厚度比例不满足A≥3B。同时，第一层（光散射元件）并非陶瓷材料，无密度要求，因此特征J未公开。 |
| **技术特征K：该第二层的厚度B为≥5µm且≤80µm；并且第一层的厚度A为≥50µm且≤1000µm。** | 对比文件实施例中，转换元件厚度250μm，超出5-80μm范围；光散射元件厚度600μm，在50-1000μm范围内，但组合特征未公开。 | 对比文件第二层厚度为250μm，远大于80μm，不在要求范围，因此未公开。 |
| **技术特征L：其中该第二层基本上由陶瓷材料制成。** | 对比文件实施例中，转换元件包括陶瓷材料，密度98%，例如：“转换元件4包括具有理论的固态密度的97%以上的密度的陶瓷材料”（具体实施方式部分），“YAG:Ce陶瓷材料”（实施例部分）。 | 对比文件直接公开了转换元件由陶瓷材料制成，与目标专利第二层由陶瓷材料制成一致，直接公开。 |
| **技术特征M：其中该第一层A的散射系数为>0且≤1000cm-1。** | 对比文件未提及散射系数数值，仅通过颗粒大小和浓度描述散射特性，例如：“对于在0.2μm和0.5μm之间的平均颗粒直径，获得非常接近于理想的朗伯分布的光分布图案”（具体实施方式部分）。 | 对比文件没有给出散射系数的具体范围，本领域技术人员不能直接得到该数值，因此未公开。 |
| **技术特征N：其中该第一层和该第二层的折射率之间的折射率差异Δn为≥0.03且≤1。** | 对比文件给出了光散射元件基质折射率1.45，颗粒折射率1.6-2.6，但未给出转换元件折射率，也未比较两者差异。 | 对比文件未提及第一层和第二层之间的折射率差异，虽然材料折射率可以计算，但对比文件未给出任何教导或启示，本领域技术人员不能直接得出该差异范围，因此未公开。 |
| **技术特征O：其中该板包括第三层** | 对比文件在转换元件与光源之间有凝胶层，但未提及在第一层和第二层之间设置第三层。 | 对比文件没有公开光散射和转换板包括第三层，因此未公开。 |
| **技术特征P：该第三层被提供在该第一层和该第二层之间** | 同上，对比文件未公开第三层在第一层和第二层之间。 | 对比文件未公开第三层位于第一层和第二层之间，因此未公开。 |
| **技术特征Q：基本上由粘合材料制成。** | 对比文件未公开第三层，更未公开其材料。 | 对比文件未公开此特征。 |
| **技术特征R：该系统在一种或多种下述应用中被使用：- 办公室照明系统，- 家庭应用系统，- 商店照明系统，- 家居照明系统，- 重点照明系统，- 聚光照明系统，- 剧院照明系统，- 光纤应用系统，- 投影系统，- 自点亮显示器系统，- 像素化显示器系统，- 分段显示器系统，- 警告标志系统，- 医疗照明应用系统，- 指示标志系统，- 装饰照明系统，- 便携系统，- 汽车应用，以及- 温室照明系统。** | 对比文件未提及具体应用列表。 | 对比文件未公开照明系统用于所列具体应用，因此未公开。 |
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