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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
300，400)，包括半导体发光器件(220，320，420)
B
所述半导体发光器件(220，320，420)包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层(221，321，421)
C
透明陶瓷体(230，330，430)
D
所述透明陶瓷体(230，330，430)包括定位成与所述半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料
E
所述陶瓷体还具有面朝所述半导体发光器件(220，320，420)的底面(231，331，431)
F
所述陶瓷体具有与所述底面成斜角(234，334，434)的至少一个侧面(233，333，433)
G
所述斜角(234，334，434)大于95°或者小于85°
H
所述陶瓷体(230，330，430)的至少一个斜侧面(233，333，433)具有反射性涂层(452)。
权利要求 2
I
其中所述斜角(234，334，434)大于100°或者小于80°。
权利要求 3
J
其中在所述陶瓷体(230，330，430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451)。
权利要求 4
K
其中所述陶瓷体(230，330，430)具有设置有微褶皱的顶面(232，332，432)。
权利要求 5
L
其中所述陶瓷体(230，330，430)具有提供来包括光学功能的顶面(232，332，432)。
权利要求 6
M
其中所述陶瓷体(230，330，430)具有提供有反射性涂层(452)的顶面(232，332，432)。
权利要求 7
N
其中在所述陶瓷体(230，330，430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451)。
权利要求 8
O
其中在所述底面(231，331，431)和半导体发光器件(220，320，420)之间容纳有折射率低于所述陶瓷体(230，330，430)的折射率的中间层(451)。