对比文件名称：2007-12-25_US7312458B_发明授权_US07312458B2 Method and apparatus for reducing polarization within an imaging device
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括探测器(112) （直接公开） | 对比文件[0023]：“FIG. 3 is a cross-sectional elevation view of an exemplary imaging device detector 100...”。翻译：图3是示例性成像装置探测器100的横截面正视图。 | 对比文件明确公开了探测器100，该探测器对应于目标专利的探测器112。本领域技术人员能毫无疑义地确定其技术方案相同。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 （直接公开） | 对比文件[0019]：“Each detector element 20 produces an electrical signal that represents the intensity of an impinging x-ray beam...”。翻译：每个探测器元件20产生表示入射X射线束强度的电信号。对比文件[0002]还提到探测伽马射线。 | 对比文件公开了探测器用于探测X射线和伽马射线等电离辐射，并产生响应，这与目标专利中探测电离辐射的功能相同。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 （直接公开） | 对比文件[0019]：“Each detector element 20 produces an electrical signal that represents the intensity of an impinging x-ray beam and hence can be used to estimate the attenuation...”。翻译：每个探测器元件20产生表示入射X射线束强度的电信号，因此可用于估计衰减。 | 对比文件明确公开了探测器输出指示辐射强度的电信号，与目标专利中输出指示探测到的辐射的信号一致。 |
| 技术特征D：其中所述探测器至少包括半导体元件(118) （直接公开） | 对比文件[0023]：“Detector 100 may be formed of a radiation responsive semiconductor material, for example, cadmium zinc telluride (CZT) crystals. ... detector substrate 104”。翻译：探测器100可由辐射响应半导体材料形成，例如碲锌镉(CZT)晶体。...探测器衬底104。 | 对比文件公开了探测器包括半导体衬底（CZT晶体），该衬底即为半导体元件，与目标专利的半导体元件118对应。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) （未公开） | 对比文件全文未提及照明子系统。对比文件[0029]-[0034]公开的是热源310（加热元件或风扇加热器），并非照明设备。 | 对比文件未公开任何形式的照明子系统，更未公开子带隙照明辐射。本领域技术人员无法从加热装置直接或间接联想到照明子系统。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 （未公开） | 对比文件未公开任何照明辐射，仅公开了热源用于加热探测器。 | 对比文件没有生成和传递子带隙照明辐射的技术特征，加热与照明属于不同的物理机制。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 （未公开） | 对比文件未公开选择性照明。热源310加热整个探测器或大面积区域，无选择性子部分照明。 | 对比文件没有选择性照明子部分的教导或暗示，加热是整体性的，不同于目标专利的局部照明。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 （未公开） | 对比文件未公开任何照明分布。加热是均匀或非均匀的，但非光照明图案。 | 对比文件没有涉及空间图案化的照明分布，热源产生的温度分布不同于照明图案。 |
| 技术特征I：还包括电触头 （直接公开） | 对比文件[0023]：“pixel electrodes 108 (anodes)”；[0029]：“blocking contact 300”；[0024]：“cathode electrode 154”。翻译：像素电极108（阳极）；阻挡接触300；阴极电极154。 | 对比文件公开了像素电极、阴极、阻挡接触等多种电触头，这些都属于电触头部件，与目标专利的电触头在结构上相同。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 （未公开） | 对比文件未公开照明子部分，因此不存在连接至被照明子部分的电触头。对比文件中的电极连接至整个半导体元件或特定区域，但非因照明而产生的子部分。 | 对比文件没有照明子部分，故无法公开连接至被照明子部分的电触头。该特征依赖照明子部分的存在，未被公开。 |
| 技术特征K：电源(122) （直接公开） | 对比文件[0024]：“A voltage difference applied between pixel electrodes 108 and cathode 154 during operation generates an electric field in substrate 104.”。翻译：操作期间施加在像素电极108和阴极154之间的电压差在衬底104中产生电场。 | 对比文件公开了施加偏压的电源，用于在电极间产生电场，与目标专利的电源122功能相同。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 （直接公开） | 对比文件[0024]：“A voltage difference applied between pixel electrodes 108 and cathode 154”。翻译：施加在像素电极108和阴极154之间的电压差。 | 对比文件明确公开了向电触头（电极）施加电势，与目标专利中电源向电触头施加电势一致。 |
| 技术特征M：其中所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 （未公开） | 对比文件未公开照明，更未公开照明对导电性的影响。对比文件[0039]提到加热可降低暗电流，但未涉及导电性提高。 | 对比文件没有照明，因此不存在照明提高导电性的特征。加热对导电性的影响与照明不同，且目标专利明确是照明引起的效果。 |
| 技术特征N：其中所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性 （未公开） | 对比文件无照明，无导电性比较。 | 对比文件未公开任何关于照明前后导电性比较的内容，该特征完全基于照明作用，未被公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) （未公开） | 对比文件未公开照明源。热源310不是照明源。 | 对比文件没有照明源，只有热源，两者本质不同。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 （未公开） | 对比文件未公开任何辐射生成。 | 对比文件没有生成子带隙照明辐射的部件或方法。 |
| 技术特征Q：其中所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 （未公开） | 对比文件未公开照明辐射，更未公开光子能量与带隙的关系。 | 对比文件没有涉及子带隙照明辐射的能量限制，该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 （未公开） | 对比文件未公开照明源，无耦合方式。 | 对比文件没有照明源，因此不存在耦合至半导体元件的结构。 |
| 技术特征S：其中所述至少一个照明源是红外照明源 （未公开） | 对比文件未公开任何照明源，红外光源未提及。 | 对比文件没有红外照明源，加热器不是红外光源。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 （未公开） | 对比文件未公开任何辐射，包括红外辐射。 | 对比文件没有子带隙辐射，更未指定为红外辐射。 |
| 技术特征U：其中所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 （直接公开） | 对比文件[0023]：“cadmium zinc telluride (CZT) crystals”。翻译：碲锌镉(CZT)晶体。 | 对比文件公开了半导体元件由CZT（碲化镉锌）制成，属于目标专利中列举的材料之一，因此直接公开。 |
| 技术特征V：其中所述碲化镉包括碲化镉单晶 （未公开） | 对比文件未公开纯CdTe，仅公开了CZT。 | 对比文件没有公开碲化镉（CdTe），故无法公开其单晶形式。该特征未被公开。 |
| 技术特征W：其中所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 （隐含公开） | 对比文件[0023]：“cadmium zinc telluride (CZT) crystals”。翻译：碲锌镉(CZT)晶体。 | 对比文件使用了“crystals”一词，本领域技术人员通常理解半导体辐射探测器中的CZT为单晶，因为单晶具有更好的载流子输运特性。虽然未明确写“single crystal”，但基于常规认知，可以合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261,2262) （未公开） | 对比文件未公开任何反射器。 | 对比文件没有反射器结构，加热装置中无类似部件。 |
| 技术特征Y：其中所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 （未公开） | 对比文件无照明子系统和反射器，故无此设置关系。 | 对比文件未公开照明子系统和反射器，因此无法公开这种位置关系。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 （未公开） | 对比文件未公开反射器及反射功能。 | 对比文件没有反射器，更无反射照明辐射的功能。 |
### 公开性代码输出
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、I、K、L、U，隐含公开了技术特征W。因此，在回答结尾插入以下代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<I>>><<<K>>><<<L>>><<<U>>><<<w>>>