对比文件名称：2008-06-12_JP2008134078A_发明专利_JP2008134078A Radiation detector and its component
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（日文及中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括，探测器(112) 《直接公开》** | 原文：「この発明は、入力された放射線を光に変換し、この変換した光を検出することによって放射線像を撮影する放射線検出器用部品および放射線検出器に関する」（说明书开头，段落标号[2]）。<br>翻译：本发明涉及通过将输入辐射转换为光，检测该转换后的光来拍摄辐射图像的辐射检测器用部件和辐射检测器。 | 对比文件明确公开了“放射線検出器”（辐射检测器），其功能是探测辐射并生成图像，与目标专利中探测器（112）的基本作用相同，均为探测电离辐射的装置，因此直接公开。 |
| **技术特征B：其被配置为探测电离辐射 《直接公开》** | 原文：「従来から、医療機関などで使用されるＸ線ＣＴ装置では、被検体に対してＸ線を照射することによって被検体の内部構造を撮影する。…放射線検出器」（说明书第[2]段）。<br>翻译：在X射线CT装置中，通过向被检体照射X射线来拍摄被检体的内部结构…辐射检测器。 | 对比文件明确记载该检测器用于检测X射线（电离辐射），作用与目标专利中探测器探测电离辐射完全相同，因此直接公开。 |
| **技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 《直接公开》** | 原文：「フォトダイオード１２ａは、各シンチレータ素子１３によって変換された光を電気信号に変換する」（说明书第[2]段，实施例1）。<br>翻译：光电二极管12a将由各闪烁体元件13转换的光转换为电信号。 | 对比文件中的光电二极管将探测到的辐射（通过闪烁体转换）转换为电信号输出，该信号指示辐射的存在，与目标专利中探测器输出指示探测到的电离辐射的信号作用相同，因此直接公开。 |
| **技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) 《直接公开》** | 原文：「フォトダイオードアレイ１２は、Ｓｉなどの半導体基板上に、各シンチレータ素子１３によって変換された光を電気信号に変換する光電変換素子としてフォトダイオード素子１２ａが、…形成され」（说明书第[2]段，实施例1）。<br>翻译：光电二极管阵列12在Si等半导体基板上，形成作为光电转换元件的光电二极管元件12a，用于将各闪烁体元件13转换的光转换为电信号。 | 对比文件中的光电二极管元件是形成在半导体基板上的半导体元件，属于探测器的一部分，因此直接公开了探测器包括半导体元件这一特征。 |
| **技术特征E：照明子系统(120) 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未记载任何主动照明子系统，也没有子带隙照明辐射的概念，因此未公开。 |
| **技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有生成子带隙照明辐射的配置，仅有闪烁体发出的可见光，非子带隙，因此未公开。 |
| **技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有选择性照明，光电二极管整体接收来自闪烁体的光，不存在仅对半导体元件的子部分进行照明，因此未公开。 |
| **技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有图案化照明分布，照明来自闪烁体，无空间图案化，因此未公开。 |
| **技术特征I：还包括电触头 《直接公开》** | 原文：「各フォトダイオード素子１２ａの検出信号を取り出す端子２６が半導体基板上に形成されるとともに、各フォトダイオード素子１２ａと各端子２６とを結ぶ配線２５が半導体基板上に形成されている」（说明书第[2]段，实施例1）。<br>翻译：用于取出各光电二极管元件12a的检测信号的端子26形成在半导体基板上，并且连接各光电二极管元件12a和各端子26的配线25形成在半导体基板上。 | 对比文件中的端子（电极）和配线即构成电触头，用于电连接和信号输出，直接公开了电触头的结构特征。 |
| **技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有照明子部分，电触头连接至光电二极管整体，不涉及连接至被照明的子部分，因此未公开。 |
| **技术特征K：电源(122) 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未记载任何电源，因此未公开。 |
| **技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未提及向电触头施加电势，因此未公开。 |
| **技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有照明，不存在导电性因照明而提高的技术内容，因此未公开。 |
| **技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件没有照明，因此不存在导电性比较，未公开。 |
| **技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无照明子系统及照明源，未公开。 |
| **技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无子带隙照明辐射的生成，未公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无照明辐射，因此未公开。 |
| **技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无照明源，因此未公开。 |
| **技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无照明源，未公开。 |
| **技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无子带隙辐射，未公开。 |
| **技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 《未公开》** | 对比文件中的半导体元件为Si，未提及CdTe或CZT。 | 对比文件中的半导体材料是硅，与目标专利要求的碲化镉或碲化镉锌不同，因此未公开。 |
| **技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未涉及碲化镉单晶，因此未公开。 |
| **技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未涉及碲化镉锌单晶，因此未公开。 |
| **技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) 《直接公开》** | 原文：「フォトダイオードアレイ１２の裏面、すなわちフォトダイオード素子１２ａが形成される面の反対面には、蒸着やスパッタリングなどによって形成された数μｍ程度のＡｌの反射薄膜１６が、シンチレータアレイ１１の側面の領域を覆う位置関係をもって設けられる」（说明书第[2]段，实施例1）。<br>翻译：在光电二极管阵列12的背面，即与形成光电二极管元件12a的面相反的面，通过蒸镀或溅射等形成数μm厚的Al反射薄膜16，以覆盖闪烁体阵列11的侧面区域的位置关系设置。 | 对比文件公开了反射薄膜（反射器），用于反射光，结构上相当于反射器，因此直接公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件无照明子系统，因此不存在半导体元件设置在照明子系统与反射器之间的结构关系，未公开。 |
| **技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 《未公开》** | 对比文件反射薄膜反射的是来自闪烁体并穿过光电二极管的光，但该光不是子带隙照明辐射，而是信号光。 | 对比文件中的反射器反射的是信号光（可见光），而非目标专利中的子带隙照明辐射，作用不同，因此未公开。 |
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