对比文件名称：2010-04-08_US2010086098A_发明申请_US20100086098A1 Method, Apparatus, and System of Reducing Polarization in Radiation Detectors
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：AI分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，探测器(112) **《直接公开》** | [0027] “FIG. 1 is a schematic cross-section illustration of a semiconductor radiation detector 99... including a semiconductor plate 10, formed of a semiconductor 11.” （图1是根据本发明实施例的半导体辐射探测器99的示意性截面图，包括半导体板10，由半导体11形成。） | 对比文件公开了半导体辐射探测器99，其包含半导体板10等，相当于目标专利的探测器112，因此特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 **《直接公开》** | [0028] “Plate 10 may be irradiated with ionizing radiation, resulting in electron and hole clouds that are substantially free to move in the plate.” （板10可以用电离辐射照射，产生在板中基本自由移动的电子和空穴云。） | 对比文件明确探测器用于探测电离辐射（如X射线），因此直接公开。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 **《直接公开》** | [0029] “The collected charge at anodes 14... is measured at the anodes to give a measure of the energy of the absorbed photon.” （在阳极14收集的电荷在阳极处测量，以给出吸收光子能量的度量。） | 对比文件公开了探测器输出表示电离辐射能量的信号，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) **《直接公开》** | [0027] “detector 99 includes a semiconductor plate 10, formed of a semiconductor 11.” （探测器99包括半导体板10，由半导体11形成。） | 对比文件公开了半导体板10作为半导体元件，因此直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) **《直接公开》** | [0038] “irradiating plate 10 with infra-red (IR) radiation 22. The IR radiation is generated by an IR generator 24, and the wavelength of the IR radiation may be selected, e.g., by a wavelength selector 26.” （用红外（IR）辐射22照射板10。IR辐射由IR发生器24产生，IR辐射的波长可由波长选择器26选择。） | 对比文件公开了IR发生器24和波长选择器26组成的照明子系统，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 **《直接公开》** | [0038] “IR radiation 22” 及 [0008] “IR radiation has energy lower than the band-gap energy of the semiconductor.” （IR辐射22，能量低于半导体带隙能量。） | 对比文件公开了IR辐射能量低于带隙，即子带隙照明辐射，并用于照射探测器，因此直接公开。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 **未公开** | 无明确记载。对比文件中的IR辐射通常照射整个半导体板，例如通过侧壁或阴极整体照射，没有选择性照明子部分的内容。 | 对比文件没有公开选择性地照明仅半导体元件的子部分，而是整体均匀照明或通过侧壁整体照明，因此特征G未被公开。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 **未公开** | 无明确记载。 | 对比文件未公开在半导体内部产生空间图案化照明分布，因此特征H未被公开。 |
| 技术特征I：还包括电触头 **《直接公开》** | [0027] “Electrodes 12 are connected to one side of plate 10, and electrodes 14 are connected to an opposite side.” （电极12连接到板10的一侧，电极14连接到另一侧。） | 对比文件公开了电极12和14作为电触头，因此直接公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 **未公开** | 无明确记载。电极连接至整个半导体，而非专门连接至被照明的子部分。 | 对比文件没有公开电触头连接至被照明的子部分，因此特征J未被公开。 |
| 技术特征K：电源(122) **《隐含公开》** | 无明确记载，但探测器工作必需的偏压通常由电源提供。 | 对比文件未明确记载电源，但本领域技术人员知道探测器需要偏压电源，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 **《隐含公开》** | 无明确记载，但探测器工作必然需要向电极施加偏压。 | 对比文件没有明确记载，但探测器工作必然需要向电极施加电势，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 **未公开** | 无明确记载子部分及导电性提高，但IR辐射可能通过电离陷阱产生自由载流子。 | 对比文件没有公开选择性照明子部分，因此无法实现该特征，且未明确导电性提高，因此特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 **未公开** | 无明确记载。 | 对比文件未公开选择性照明，因此无法比较导电性，特征N未被公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) **《直接公开》** | [0038] “IR generator 24” （IR发生器24。） | 对比文件公开了IR发生器作为照明源，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 **《直接公开》** | [0038] “IR radiation 22” 及 [0008] “energy lower than the band-gap energy”. （IR辐射22，能量低于带隙。） | 对比文件公开了IR发生器生成子带隙辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 **未公开** | 无明确记载。仅记载低于带隙，未提及一半。 | 对比文件未公开辐射能量不超过带隙一半，因此特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 **《直接公开》** | [0009] “coupling the IR radiation via an element selected from a sidewall of a plate comprising the semiconductor, a cathode coupled to the semiconductor, and a cathode contact coupled to the cathode.” （通过选自包含半导体的板侧壁、耦合至半导体的阴极、耦合至阴极的阴极接触的元件耦合IR辐射。）[0049] “fiber optics 64... laid in spaces 62, and the fiber optics are arranged to have diffusive regions 66” （光纤64放置在空间62中，光纤具有扩散区66。） | 对比文件公开了照明源通过侧壁、阴极、光纤等直接或间接耦合至半导体，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 **《直接公开》** | [0038] “IR generator 24” （IR发生器24。） | 对比文件公开了照明源为红外光源，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 **《直接公开》** | [0038] “IR radiation 22” （IR辐射22。） | 对比文件公开了子带隙辐射为红外辐射，因此直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 **《直接公开》** | [0027] “semiconductor 11 is formed of cadmium zinc telluride (CZT)” （半导体11由碲锌镉（CZT）形成。） | 对比文件公开了半导体由CZT（碲化镉锌）形成，因此直接公开了碲化镉锌。特征U要求至少一个，所以直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 **未公开** | 无明确记载。对比文件未公开碲化镉材料。 | 对比文件未公开碲化镉，更未公开单晶，因此特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 **《隐含公开》** | 无明确记载单晶，但通常CZT探测器使用单晶。 | 对比文件未明确公开碲化镉锌单晶，但本领域技术人员知道CZT探测器通常使用单晶，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) **《直接公开》** | [0048] “one or more mirrors 50, selected to be transparent to X-rays and to reflect IR irradiation 22, are oriented and selected to reflect the IR irradiation into plate via cathode 12.” （一个或多个镜子50，选择为对X射线透明且反射IR辐射22，被定向和选择以通过阴极12将IR辐射反射到板中。） | 对比文件公开了镜子50作为反射器，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 **未公开** | 图3b中，镜子50位于照明子系统和半导体之间，半导体不在照明子系统和反射器之间。 | 对比文件没有公开半导体元件设置在照明子系统和反射器之间，而是反射器设置在照明子系统和半导体之间，因此特征Y未被公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 **未公开** | [0048] 镜子50用于将IR辐射反射进入半导体，而非将贯穿后的辐射反射回。 | 对比文件中的反射器用于将入射的IR辐射反射进入半导体，而非将贯穿半导体的辐射反射回，因此特征Z未被公开。 |
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