对比文件名称：2009-04-07_US7514692B_发明授权_US07514692B2 Method and apparatus for reducing polarization within an imaging device
目标专利名称：1285电离辐射探测CN103562746B
本次调用的模型名称：AI推理模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括，探测器(112) 《直接公开》 | 段落[0022]：“图3是根据本发明一个实施例构建的示例性成像设备探测器或图像检测装置100的截面正视图，其包括多个像素化半导体探测器元件102。” | 对比文件公开了探测器100，其结构与目标专利的探测器112相对应，均包含用于探测辐射的半导体元件，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：其被配置为探测电离辐射 《直接公开》 | 段落[0024]：“在操作中，来自源140的光子通量144，例如发射伽马射线和透射X射线144，被引导朝向第二表面112。” | 对比文件明确探测器用于探测X射线和伽马射线（电离辐射），因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：并输出指示探测到的电离辐射的信号 《直接公开》 | 段落[0024]：“像素电极108上的感应电荷被检测并识别至少以下之一：检测到光子的时间、光子沉积在基板104中的能量以及光子相互作用发生在基板104中的位置。” | 对比文件公开了探测器输出电信号（感应电荷）以指示辐射的探测信息，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述探测器至少包括半导体元件(118) 《直接公开》 | 段落[0022]：“探测器100可以由辐射响应半导体材料形成，例如，碲锌镉(CZT)晶体或碲化镉(CdTe)晶体。” | 对比文件公开了探测器包括半导体晶体（CZT或CdTe），相当于目标专利的半导体元件，因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：照明子系统(120) 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件仅涉及热源加热，未公开任何照明子系统，因此技术特征E未公开。 |
| 技术特征F：其被配置为生成并传递子带隙照明辐射 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及子带隙照明辐射的生成或传递，因此技术特征F未公开。 |
| 技术特征G：用于选择性地照明仅所述半导体元件的子部分 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何选择性照明的方式，因此技术特征G未公开。 |
| 技术特征H：以便在所述元件内部生成空间图案化的照明分布 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开照明分布或图案化，因此技术特征H未公开。 |
| 技术特征I：还包括电触头 《直接公开》 | 段落[0026]：“一对欧姆接触200设置在晶体202上。” | 对比文件公开了欧姆接触作为电触头，与目标专利的电触头功能相同，因此技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其连接至所述半导体元件的被照明的子部分 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开照明子部分，因此电触头未连接至被照明的子部分，技术特征J未公开。 |
| 技术特征K：电源(122) 《隐含公开》 | 段落[0023]：“在操作期间施加在像素电极108和阴极154之间的电压差在基板104中产生电场。” | 对比文件虽未明确提及“电源”，但本领域技术人员可以合理推断为施加电压差必须存在电源，因此电源被隐含公开。 |
| 技术特征L：其被配置为向所述电触头施加电势 《直接公开》 | 段落[0023]：“在操作期间施加在像素电极108和阴极154之间的电压差在基板104中产生电场。” | 对比文件直接公开了向电触头（像素电极和阴极）施加电势，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述照明将所述子部分的导电性从第一导电性提高到更高的第二导电性 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及照明，也未涉及导电性因照明而改变，因此技术特征M未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述更高的第二导电性高于所述半导体元件的未被照明的子部分的导电性；并且中，在没有所述照明辐射的情况下，所述第一导电性不超过所述半导体元件的所述的未被照明的子部分的导电性 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开照明或导电性比较，因此技术特征N未公开。 |
| 技术特征O：所述照明子系统包括至少一个照明源(2031、2032) 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开照明源，因此技术特征O未公开。 |
| 技术特征P：其生成所述子带隙照明辐射 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开子带隙照明辐射，因此技术特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述照明辐射光子的能量不超过所述半导体元件的带隙的一半 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未涉及照明辐射能量，因此技术特征Q未公开。 |
| 技术特征R：其中，至少一个照明源直接或者通过光透射介质耦合至所述半导体元件 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开照明源耦合方式，因此技术特征R未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述至少一个照明源是红外照明源 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开红外照明源，因此技术特征S未公开。 |
| 技术特征T：所述子带隙辐射是红外辐射 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开红外辐射，因此技术特征T未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述半导体元件包括碲化镉或碲化镉锌中的至少一个 《直接公开》 | 段落[0022]：“探测器100可以由辐射响应半导体材料形成，例如，碲锌镉(CZT)晶体或碲化镉(CdTe)晶体。” | 对比文件明确公开了半导体元件包括CdTe或CZT，因此技术特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述碲化镉包括碲化镉单晶 《隐含公开》 | 段落[0022]：“碲化镉(CdTe)晶体”。 | 对比文件使用“晶体”一词，本领域技术人员公知用于辐射探测器的CdTe通常为单晶，因此可以合理推断碲化镉包括单晶，故技术特征V被隐含公开。 |
| 技术特征W：其中，所述碲化镉锌包括碲化镉锌的单晶 《隐含公开》 | 段落[0022]：“碲锌镉(CZT)晶体”。 | 对比文件使用“晶体”一词，本领域技术人员公知用于辐射探测器的CZT通常为单晶，因此可以合理推断碲化镉锌包括单晶，故技术特征W被隐含公开。 |
| 技术特征X：还包括至少一个反射器(2261，2262) 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开反射器，因此技术特征X未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体元件被设置在所述照明子系统和所述至少一个反射器之间 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开照明子系统和反射器，因此技术特征Y未公开。 |
| 技术特征Z：所述至少一个反射器将贯穿所述半导体元件的照明辐射反射回所述半导体元件内 《未公开》 | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开反射器功能，因此技术特征Z未公开。 |
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