对比文件名称：2004-05-11_US6734465B_发明授权_US06734465B1 Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
目标专利名称：1294有利于背后照明的LED广角发射透镜CN101160670B
本次调用的模型名称：大语言模型（AI分析模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括具有中心轴的LED电路小片 **《隐含公开》** | 对比文件在“BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS”部分提及：“FIG. 1 of the drawings illustrates a first embodiment of a light emitting device constructed in accordance with the present invention, in which a nanophosphor downconverter 10 formed from the matrix materials described above is molded as a lens, and a metal lead-frame with reflector cup 12 mounts an LED chip 11.”（图1示出了本发明第一实施例的发光器件，其中由上述基质材料形成的纳米磷光体下转换器10模制成透镜，带有反射杯12的金属引线框架安装有LED芯片11。） | 对比文件明确公开了LED芯片11，但未直接提及“中心轴”。然而，本领域技术人员公知，LED芯片通常具有垂直于其发光面的中心轴，光分布围绕此轴对称。因此，从对比文件公开的LED芯片可以毫无疑义地推断出该特征，故属于隐含公开。 |
| 技术特征B：相对于LED电路小片固定的透镜 **《直接公开》** | 对比文件在“Representative Examples of Photonic Devices”部分提及：“FIGS. 2 and 3 of the drawings illustrates further embodiments of a light emitting device ... a nanophosphor downconverter 13, in a variety of configurations, is disposed within lead frame 12 with a molded epoxy lens 14 which does not contain the nanophosphor materials.”（图2和3示出了发光器件的进一步实施例……纳米磷光体下转换器13以各种配置设置在引线框架12内，并带有不包含纳米磷光体材料的模制环氧透镜14。） | 对比文件明确公开了透镜14，该透镜14相对于LED芯片11固定安装，构成透镜与LED芯片之间的固定位置关系。因此，本领域技术人员可直接确定该特征。 |
| 技术特征C：该透镜使LED电路小片发出的光折射 **《直接公开》** | 对比文件在“BACKGROUND AND SUMMARY OF THE INVENTION”部分提及：“The matrix material may be readily formed by molding and formed into a variety of shapes including lenses for focusing the emitted light.”（基质材料可以容易地通过模制成形，并形成各种形状，包括用于聚焦发射光的透镜。） | 透镜的基本功能是折射光线以实现聚焦，对比文件明确提及透镜用于聚焦光，因此必然涉及折射。该特征是本领域技术人员可直接确认的。 |
| 技术特征D：从而使得峰值强度出现在偏离中心轴50-80度的范围内 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何关于峰值强度偏离中心轴的角度范围。 | 对比文件没有公开或暗示任何关于光强分布角度范围的技术内容，本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。 |
| 技术特征E：使得沿着中心轴的强度在峰值强度的5％到33％之间 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何关于中心轴方向光强与峰值强度比例的数据。 | 对比文件没有公开或暗示中心轴强度与峰值强度的相对关系，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中该透镜包括密封LED电路小片的第一透镜 **《直接公开》** | 对比文件在“Integration of Nanophosphor Based Downconverters with LED Die/Chip Packages”部分提及：“To encapsulate a LED die/chip in a nanophosphor downconverter, the composite gel or liquid can be dispensed over the die mounted in a reflector cup and either fully or partially cured, similar to the process in which an Amine-cured or Anhydride-cured epoxy is used, to form an encapsulating lens.”（为了将LED管芯/芯片封装在纳米磷光体下转换器中，可以将复合凝胶或液体分配到安装在反射杯中的管芯上，并完全或部分固化，类似于使用胺固化或酸酐固化环氧树脂的工艺，以形成封装透镜。） | 对比文件明确公开了通过分配并固化材料形成封装透镜，该透镜直接包覆并密封LED芯片，因此直接公开了密封LED电路小片的第一透镜。 |
| 技术特征G：围绕该第一透镜和LED电路小片的辅透镜 **《隐含公开》** | 对比文件在“Representative Examples of Photonic Devices”部分提及：“FIGS. 2 and 3 of the drawings illustrates further embodiments of a light emitting device ... a nanophosphor downconverter 13, in a variety of configurations, is disposed within lead frame 12 with a molded epoxy lens 14.”（图2和3示出了发光器件的进一步实施例……纳米磷光体下转换器13以各种配置设置在引线框架12内，并带有模制环氧透镜14。） | 对比文件中的下转换器13可视为靠近LED的第一透镜（密封作用），而环氧透镜14覆盖在其上方，围绕下转换器13和LED芯片11。虽然未明确称其为“辅透镜”，但本领域技术人员可以合理推断出透镜14是围绕第一透镜和LED的辅透镜，因此隐含公开。 |
| 技术特征H：该辅透镜具有在第一透镜与辅透镜之间形成空气间隙的中空部分 **《未公开》** | 对比文件全文未提及第一透镜与辅透镜之间存在空气间隙，也未提及辅透镜具有中空部分。 | 对比文件没有公开任何空气间隙的结构，本领域技术人员无法从对比文件中推断出该特征。 |
| 技术特征I：该间隙生成使光远离中心轴弯曲的折射界面 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何由空气间隙形成的折射界面。 | 对比文件没有公开空气间隙及其光学作用，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何关于峰值强度偏离中心轴的角度范围。 | 对比文件没有公开或暗示该角度范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中该峰值强度出现在偏离中心轴70-80度范围内 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何关于峰值强度偏离中心轴的角度范围。 | 同特征J，对比文件没有公开或暗示该角度范围，因此未公开。 |
| 技术特征L：沿着中心轴的强度为峰值强度的5-15％ **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何关于中心轴强度与峰值强度比例的数据。 | 对比文件没有公开或暗示该比例，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中该辅透镜包括非球面外表面 **《未公开》** | 对比文件全文未提及辅透镜的外表面为非球面，仅提及“micro-optical elements”和“photonic bandgap structures”，但未具体说明表面形状。 | 对比文件没有公开非球面外表面，本领域技术人员无法从现有描述中确定该特征。 |
| 技术特征N：和非球面圆顶形内表面 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何非球面圆顶形内表面。 | 对比文件没有公开该内表面形状，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中该辅透镜包括具有用于减少中心轴附近的光强度的全内反射(TIR)部分的非球面外表面 **《未公开》** | 对比文件全文未提及全内反射（TIR）部分或用于减少中心轴附近光强的结构。 | 对比文件没有公开TIR结构或相关功能，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中该第一透镜为半球形 **《未公开》** | 对比文件未指定第一透镜的具体形状，仅提及“molded as a lens”或“encapsulating lens”。 | 对比文件没有公开半球形透镜，本领域技术人员无法从对比文件中确定该形状。 |
| 技术特征Q：其中该第一透镜为直接模制在LED电路小片上的透镜 **《直接公开》** | 对比文件在“Integration of Nanophosphor Based Downconverters with LED Die/Chip Packages”部分提及：“To encapsulate a LED die/chip in a nanophosphor downconverter, the composite gel or liquid can be dispensed over the die mounted in a reflector cup and either fully or partially cured, ... to form an encapsulating lens.”（为了将LED管芯/芯片封装在纳米磷光体下转换器中，可以将复合凝胶或液体分配到安装在反射杯中的管芯上，并完全或部分固化，以形成封装透镜。） | 该工艺直接将材料分配在LED芯片上并固化，从而形成直接模制在LED芯片上的透镜，因此直接公开。 |
| 技术特征R：密封了该LED电路小片 **《直接公开》** | 同上，对比文件明确提及“encapsulate a LED die/chip”和“encapsulating lens”。 | 封装透镜直接包覆LED芯片，起密封作用，因此直接公开。 |
| 技术特征S：其中该间隙为圆顶形空气间隙 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何形式的空气间隙，更未提及圆顶形。 | 对比文件没有公开该特征。 |
| 技术特征T：其中该第一透镜为硅树脂；并且辅透镜为塑料 **《未公开》** | 对比文件在“Modalities of Operation”部分提及硅树脂作为基质材料，在“Integration”部分提及环氧、塑料等，但未指定第一透镜为硅树脂、辅透镜为塑料的特定组合。 | 对比文件没有公开该特定材料组合。 |
| 技术特征U：进一步包括次级载具 **《未公开》** | 对比文件全文未提及次级载具（如submount）。 | 对比文件没有公开次级载具，因此未公开。 |
| 技术特征V：其上安装了LED电路小片 **《未公开》** | 对比文件未提及次级载具上安装LED芯片。 | 对比文件中的LED芯片直接安装在引线框架或基板上，而非次级载具，因此未公开。 |
| 技术特征W：印刷电路板 **《隐含公开》** | 对比文件在“Representative Examples of Photonic Devices”部分提及：“FIG. 5a a substrate 16 with reflective cavities and a reflective surface mounts LED chips 11.”（图5a，具有反射腔和反射表面的基板16安装LED芯片11。） | 基板16可以是印刷电路板（PCB），本领域技术人员可以合理推断该基板即为印刷电路板，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：其上安装了次级载具 **《未公开》** | 对比文件未提及印刷电路板上安装次级载具。 | 对比文件没有公开该层级结构，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中该透镜直接接触该印刷电路板 **《未公开》** | 对比文件未描述透镜与基板直接接触。 | 对比文件没有公开透镜直接接触印刷电路板，因此未公开。 |
| 技术特征Z：围绕该次级载具 **《未公开》** | 对比文件未提及透镜围绕次级载具。 | 对比文件没有公开该特征。 |
### 公开性总结
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征B、C、F、Q、R；隐含公开了技术特征A、G、W。其他技术特征D、E、H、I、J、K、L、M、N、O、P、S、T、U、V、X、Y、Z均未公开。
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