好的，作为一名专利创造性评估经验丰富的资深专利代理师，我将对您提供的对比文件和目标专利进行深入分析和比对。
**模型名称：** DeepSeek-R1
**对比文件名称：** 2007-07-26_JP2007189216A_发明专利_JP2007189216A Method of manufacturing multilayer wiring board
**目标专利名称：** 用于基板的超细间距和间隔互连 CN105493278B
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### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A《直接公开》**<br>包括第一表面和第二表面的第一电介质层。 | [2]“絶縁層１０３を形成する（図１（２））。”<br>（形成绝缘层103（图1（2））。） | 对比文件明确公开了在电路基板上形成绝缘层（絶縁層）103，该绝缘层必然具有上表面（第一表面）和下表面（第二表面），作为构建布线的基础。这与目标专利中作为基板主体的第一电介质层结构相同，作用都是作为绝缘基材。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B《未公开》**<br>嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线。 | [2]“導体回路１０１が形成された回路基板１０２上に絶縁層１０３を形成する（図１（２））。”<br>（在形成有导体电路101的电路基板102上形成绝缘层103（图1（2））。）<br>[2]“めっきレジスト１０９剥離により露出している部分の無電解銅めっき層をソフトエッチングにより除去し、多層配線板１１４を得る（図２（８））。”<br>（通过剥离镀敷抗蚀剂109，将露出的部分的非电解铜镀层通过软蚀刻去除，得到多层布线板114（图2（8））。） | 对比文件公开的“导体电路（導体回路）”101和111是通过半加成法在绝缘层103“上”形成的表面电路（参见图1(8)和图2(8)）。其制造过程是在绝缘层表面形成非电解镀铜层，然后通过镀敷抗蚀剂和电解镀铜形成加厚电路，最后通过蚀刻去除非电路部分的薄镀层。整个过程并未描述将导体电路“嵌入”到绝缘层内部，使其侧面被绝缘层围绕，仅顶部暴露的结构。目标专利的“嵌入”互连（如嵌入式迹线）是其解决超细间距短路问题的核心结构之一，对比文件并未公开。 |
| **技术特征C《未公开》**<br>穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度。 | [2]“絶縁層１０３へビアホール１０５を形成し”（在绝缘层103上形成通孔105） | 对比文件公开了在绝缘层中形成用于垂直互连的“通孔（ビアホール）105”。然而，目标专利的“第一空腔”是穿过电介质层表面到达下方嵌入式互连顶部的凹陷结构，其宽度与下方互连（迹线）宽度基本相等，用于容纳焊盘或增加间距。这与用于层间垂直导电的“通孔”在结构、位置和作用上均不相同。对比文件未公开位于互连正上方且宽度匹配的空腔结构。 |
| **技术特征D《直接公开》**<br>以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线。 | [2]“めっきレジスト１０９剥離により露出している部分の無電解銅めっき層をソフトエッチングにより除去し、多層配線板１１４を得る（図２（８））。”（得到多层布线板114） | 对比文件图2(8)所示的多层布线板114，其绝缘层103表面形成的导体电路111即为表面互连（迹线）。该导体电路直接形成并耦合在绝缘层103的表面上，其底部（相当于第三侧）与绝缘层表面接触，顶部和侧面暴露。这与目标专利中位于第一电介质层第一表面上的第二互连（第二迹线）的结构和作用（作为表面布线）相同。 |
| **技术特征E《未公开》**<br>以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。 | 无相关描述。 | 目标专利的“第五互连”是至少部分地位于“第一空腔”中并耦合至嵌入式“第一互连”的元件，例如焊盘。对比文件既未公开“第一空腔”结构，也未公开位于此类空腔中并与下方嵌入式互连连接的互连元件。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征F《未公开》**<br>嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触。 | 同技术特征B，对比文件未公开“嵌入”式互连结构。 | 与技术特征B同理，对比文件公开的均为表面导体电路，未公开侧面被电介质层围绕的嵌入式互连结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征G《未公开》**<br>穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度。 | 同技术特征C，对比文件未公开位于互连正上方且宽度匹配的空腔结构。 | 与技术特征C同理，对比文件仅公开了用于垂直互连的通孔，未公开目标专利中定义的与互连交叠且宽度基本相等的“空腔”结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H《直接公开》**<br>以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。 | [2]“めっきレジスト１０９剥離により露出している部分の無電解銅めっき層をソフトエッチングにより除去し、多層配線板１１４を得る（図２（８））。”（得到多层布线板114） | 与技术特征D同理，对比文件图2(8)中绝缘层103表面形成的导体电路111即为表面互连。任何一个这样的表面导体电路都可以被视为“第四互连”，其底部（相当于第七侧）耦合至绝缘层（第一电介质层）的表面。结构相同，作用都是作为表面布线。 |
| **技术特征I《未公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。 | [2]“最小のＬ／Ｓが１０μｍ／１０μｍである微細配線”（最小线宽/线距为10μm/10μm的微细布线） | 对比文件公开了可以形成线宽和线距（即相邻导线边缘之间的横向间隔）均为10μm的微细布线。这公开了一个具体的、更小的间距（10μm），但并未提及“约为30微米”这一具体数值。虽然本领域技术人员知道布线间隔可根据设计需求调整，但对比文件本身并未直接或隐含公开“30微米”这一特定技术特征。 |
| **技术特征J《直接公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。 | [2]“最小のＬ／Ｓが１０μｍ／１０μｍである微細配線”（最小线宽/线距为10μm/10μm的微细布线） | 对比文件明确公开了可以制造线距（即相邻互连边缘间的横向间隔）为10μm的布线。10μm显然“小于30微米”。因此，该间距范围被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K《直接公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。 | [2]“最小のＬ／Ｓが１０μｍ／１０μｍである微細配線”（最小线宽/线距为10μm/10μm的微细布线） | 对比文件实施例中明确记载了制造出的微细布线最小“线距（Space）”为10μm。线距即指相邻两条导线（毗邻互连）边缘之间的横向间隔。因此，“横向间隔约为10微米”这一技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L《未公开》**<br>其特征在于，所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。 | [2]“最小のＬ／Ｓが１０μｍ／１０μｍである微細配線”（最小线宽/线距为10μm/10μm的微细布线） | 对比文件公开的最小线距是10μm，并未公开或暗示可以制造或存在“小于10微米”的横向间隔。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征M《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连。 | 无相关描述。 | 目标专利此处的“第三互连”是耦合至嵌入式“第一互连”的表面互连（例如焊盘）。对比文件未公开“嵌入式互连”，因此也不可能公开耦合至它的表面互连。该连接关系未被公开。 |
| **技术特征N《未公开》**<br>以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。 | 无相关描述。 | 对比文件虽然公开了表面互连（第二互连），但未具体公开另一个与之耦合的表面互连（第四互连）及其连接关系。该特征未被直接描述。 |
| **技术特征O《未公开》**<br>其特征在于，所述第三互连和所述第四互连是焊盘。 | 无相关描述。 | 对比文件通篇描述的是形成“导线（配線）”或“导体电路（導体回路）”，并未提及用于连接外部元件（如芯片凸块）的“焊盘（パッド）”结构。焊盘在基板中具有特定的尺寸和功能，对比文件未公开。 |
| **技术特征P《直接公开》**<br>其特征在于，所述基板是封装基板。 | [2]“半導体チップをフェイスダウン実装するための多層配線板”（用于半导体芯片倒装焊接的多层布线板） | 对比文件明确说明其制造的多层布线板是用于“半导体芯片倒装焊接”的。用于承载和互连半导体芯片的基板即为封装基板。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征Q《直接公开》**<br>其特征在于，进一步包括第二电介质层。 | [2]“多層配線板１１４へ前述の絶縁層を形成する工程以下を繰り返すことで...多層配線板を得ることが出来る。”<br>（通过在多层布线板114上重复前述的绝缘层形成工序以下，能够得到...多层布线板。） | 对比文件描述的是“多层”布线板的制造方法，其工艺本身就包含重复形成绝缘层和导体层。因此，最终得到的基板必然包含至少两个电介质层（绝缘层）。该特征被直接公开。 |
| **技术特征R《未公开》**<br>其特征在于，所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。 | 无相关描述。 | 对比文件仅涉及布线板本身的制造，并未提及其具体应用的终端产品。该特征未被公开。 |
| **技术特征S《未公开》**<br>其特征在于，所述基板被纳入移动电话中。 | 无相关描述。 | 对比文件未提及移动电话。该特征未被公开。 |
| **技术特征T《未公开》**<br>其特征在于，进一步包括：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连。 | 同技术特征B、F，对比文件未公开“嵌入”式互连结构。 | 与技术特征B、F同理，该特征未被公开。 |
| **技术特征U《未公开》**<br>以及至少部分地在所述第三互连上的第四互连。 | 无相关描述。 | 目标专利此特征描述了互连的垂直堆叠关系（如焊盘部分位于迹线上方）。对比文件未公开任何互连之间存在此类垂直方向上的交叠或部分覆盖关系。 |
| **技术特征V《未公开》**<br>其特征在于，所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。 | 无相关描述。 | 对比文件未对不同互连的横截面尺寸及其相对大小关系进行任何描述。 |
| **技术特征W《未公开》**<br>其特征在于，所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。 | 无相关描述。 | 该特征描述了第四互连（如焊盘）同时覆盖下方互连和电介质层表面的具体结构。对比文件未公开此类结构。 |
| **技术特征X《未公开》**<br>其特征在于，所述第四互连是焊盘。 | 同技术特征O，对比文件未提及焊盘结构。 | 该特征未被公开。 |
| **技术特征Y《未公开》**<br>其特征在于，所述第三互连耦合至所述第一互连。 | 同技术特征M，对比文件未公开嵌入式互连及其连接关系。 | 该特征未被公开。 |
| **技术特征Z《直接公开》**<br>其特征在于，进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。 | [2]“めっきレジスト１０９剥離により露出している部分の無電解銅めっき層をソフトエッチングにより除去し、多層配線板１１４を得る（図２（８））。”（得到多层布线板114） | 与技术特征D、H同理，对比文件图2(8)中绝缘层103表面形成的任何一个导体电路111，都可以被视作“第一电介质层上的第三互连”。这是对表面互连的另一种表述，已被直接公开。 |
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