对比文件名称：2004-06-22_US6752763B_发明授权_US06752763B2 Orthogonally reconfigurable integrated matrix acoustical array
目标专利名称：1328通过超声换能器系统连续成像的装置CN101166473B
本次调用的模型名称：AI专利创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括薄型的坚硬机壳（未公开）** | 对比文件未明确描述薄型坚硬机壳。背景技术部分提及“常规探头包括模制壳体[5]”（图1），但未说明厚度或硬度。实施例中探头[320]（图5A、5B）也未描述机壳特性。 | 对比文件没有公开或暗示机壳具有“薄型”和“坚硬”的特性，本领域技术人员不能从对比文件直接得出或合理推断出该技术特征，因此未公开。 |
| **技术特征B：附于所述机壳的大孔径矩阵式阵列换能器罩板（未公开）** | 对比文件公开了矩阵阵列换能器（如图9所示128个8×8子阵列），但未公开“罩板”结构。背景技术提及“声学透镜[6]”和“匹配层[26]”，但未称为“罩板”。 | 对比文件没有公开“罩板”这一部件，也没有描述附于机壳的大孔径矩阵式阵列换能器罩板，因此未公开。 |
| **技术特征C：其中所述矩阵式阵列换能器罩板包括垫板（未公开）** | 对比文件公开了“声学背衬[23]”和“匹配层[26]”，但未公开“垫板”结构。 | 对比文件没有公开“垫板”，也没有教导罩板包括垫板，因此未公开。 |
| **技术特征D：其由低声损耗材料制成（未公开）** | 对比文件公开了匹配层由低声损耗材料制成，但未公开垫板材料。 | 对比文件没有公开垫板及其材料特性，因此未公开。 |
| **技术特征E：与实际成像孔径相比足够大（未公开）** | 对比文件未提及任何关于尺寸比较的描述。 | 对比文件没有公开该尺寸关系，因此未公开。 |
| **技术特征F：在所述罩板前面的声学窗口（未公开）** | 对比文件公开了“声学透镜[6]”位于阵列前面，用于接触皮肤，但未明确其为“声学窗口”。 | 对比文件没有公开“声学窗口”这一结构，透镜虽可透声但功能不同，因此未公开。 |
| **技术特征G：用于声学地耦合矩阵式阵列换能器罩板至目标（未公开）** | 对比文件公开了使用耦合凝胶和声学透镜将超声波耦合到目标（如背景技术所述），但未提及通过窗口耦合。 | 对比文件公开了耦合方式，但未结合“罩板”和“声学窗口”，因此未公开。 |
| **技术特征H：位于矩阵式阵列换能器罩板四周附近的所述机壳上的粘着剂（未公开）** | 对比文件未公开任何粘着剂。 | 对比文件没有公开粘着剂，因此未公开。 |
| **技术特征I：用于将所述超声换能器粘着性地附于目标上（未公开）** | 对比文件未公开粘着性附着方式。 | 对比文件没有公开粘着性附着，因此未公开。 |
| **技术特征J：微波束成形ASIC（隐含公开）** | 对比文件公开了集成电路[32]（如图8、12所示），包含波束成形功能，如时间延迟、求和等（图14、15）。该集成电路是专用集成电路（ASIC）。 | 对比文件公开了集成电路，本领域技术人员可以合理推断该集成电路是ASIC，且执行微波束成形功能，因此隐含公开。 |
| **技术特征K：位于矩阵式阵列换能器罩板后面的所述机壳内（直接公开）** | 对比文件公开了“集成电路[32]直接位于每个换能器后面”（图8、12），集成电路位于阵列后面，位于探头壳体内。 | 对比文件直接公开了集成电路位于阵列后面且位于探头壳体内，因此直接公开。 |
| **技术特征L：和超声成像系统（直接公开）** | 对比文件公开了“超声系统[270]”（图5A），包括显示器、控制件、波束形成器等。 | 对比文件直接公开了超声成像系统，因此直接公开。 |
| **技术特征M：控制由所述矩阵式阵列换能器罩板产生的扫描线的定位（直接公开）** | 对比文件公开了微控制器[332,380]通过控制时间延迟来控制波束方向和扫描线定位（图6、8、16、17等）。 | 对比文件直接公开了通过电子控制扫描线定位，因此直接公开。 |
| **技术特征N：和在所述超声成像系统的控制下可以对所述矩阵式阵列换能器罩板的扇形扫描进行重新定位（直接公开）** | 对比文件公开了通过切换垂直/水平模式，可以重新定位扫描平面，实现扇形扫描的重新定位（图21、图16-17所述）。 | 对比文件直接公开了在系统控制下重新定位扇形扫描，因此直接公开。 |
| **技术特征O：而不必对所述换能器进行任何机械调整（直接公开）** | 对比文件公开了电子切换，无需机械调整（如摘要所述“正交可重构……无需机械调整”）。 | 对比文件直接公开了不需要机械调整，因此直接公开。 |
| **技术特征P：在使用所述矩阵式阵列换能器罩板的成像模式下可操作的所述超声成像系统（直接公开）** | 对比文件公开了系统在成像模式下工作，如实时B-mode成像（背景技术）和3D成像（图21）。 | 对比文件直接公开了系统在成像模式下可操作，因此直接公开。 |
| **技术特征Q：被置于至少一个具有障碍物的成像目标上（未公开）** | 对比文件未提及障碍物。 | 对比文件没有公开目标具有障碍物，因此未公开。 |
| **技术特征R：通过使用所述超声成像系统上的控制件对扇形扫描进行重新定位（隐含公开）** | 对比文件公开了控制界面[276]和微控制器，可以通过控制件调整扫描参数（如垂直/水平选择），但未明确“控制件用于重新定位扇形扫描”。 | 对比文件公开了控制界面，本领域技术人员可以合理推断通过控制件可以重新定位扫描，因此隐含公开。 |
| **技术特征S：来显现图像（直接公开）** | 对比文件公开了系统显示图像（如B-mode图像和3D图像）。 | 对比文件直接公开了显现图像，因此直接公开。 |
| **技术特征T：以从所述图像移除所述障碍物（未公开）** | 对比文件未提及移除障碍物。 | 对比文件没有公开移除障碍物，因此未公开。 |
| **技术特征U：其中所述成像模式是2D成像模式（直接公开）** | 对比文件公开了2D成像（B-scan等）。 | 对比文件直接公开了2D成像模式，因此直接公开。 |
| **技术特征V：其中所述成像模式是3D成像模式（直接公开）** | 对比文件公开了3D成像（通过正交扫描获取体积数据）。 | 对比文件直接公开了3D成像模式，因此直接公开。 |
| **技术特征W：其中所述矩阵式阵列换能器罩板（未公开）** | 同特征B，对比文件未公开“罩板”结构。 | 对比文件没有公开，因此未公开。 |
| **技术特征X：是薄型大孔径矩阵式阵列传感器组件（隐含公开）** | 对比文件公开了矩阵阵列传感器组件，由多个子阵列组成，总孔径大，且换能器薄型，但未明确“薄型大孔径”。 | 对比文件公开了矩阵阵列，本领域技术人员可以合理推断阵列具有薄型和大孔径特性，因此隐含公开。 |
| **技术特征Y：其中所述矩阵式阵列传感器组件（直接公开）** | 对比文件公开了“矩阵声学阵列”或“矩阵阵列换能器”（如图9、图10等）。 | 对比文件直接公开了矩阵式阵列传感器组件，因此直接公开。 |
| **技术特征Z：由CMUT构成（未公开）** | 对比文件使用压电复合材料（piezocomposite），未提及CMUT。 | 对比文件没有公开CMUT，因此未公开。 |
<<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<S>>><<<U>>><<<V>>><<<Y>>><<<j>>><<<r>>><<<x>>>