对比文件的名称：2007-09-19_KR1020070093554A_发明公开_KR1020070093554A 조명계의 형태 변화를 통한 ＣＤ 오차의 조정 방법
目标专利的名称：1344用于检验物品的真实性、完整性和_或物理状态的设备、系统和方法CN102077205B
本次调用的模型名称：未指定
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括RFID装置（未公开） | 对比文件[7]：“本发明涉及半导体制造工艺中曝光工序的CD误差调整方法” | 对比文件技术领域为半导体光刻，完全未涉及RFID装置，因此未公开技术特征A。 |
| 技术特征B：所述RFID装置包括处理器（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何RFID装置及其处理器，因此未公开技术特征B。 |
| 技术特征C：所述RFID装置包括通信部件（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何通信部件，因此未公开技术特征C。 |
| 技术特征D：所述RFID装置包括存储器（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何存储器，因此未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：所述RFID装置包括PUF装置（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何PUF装置，因此未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：所述PUF装置包括一个或多个预先选择的材料的物理装置（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开PUF装置及预先选择的材料，因此未公开技术特征F。 |
| 技术特征G：所述物理装置在不受控的生产过程中被生产以包括PUF结构（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件涉及光刻工艺，生产过程中受控，未公开不受控生产及PUF结构，因此未公开技术特征G。 |
| 技术特征H：所述PUF结构在测量所述一个或多个预先选择的材料时提供测量的响应以用于检验物品的物理状态（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开PUF结构及测量响应，也未涉及检验物品物理状态，因此未公开技术特征H。 |
| 技术特征I：所述PUF设备形成在该物品中或附于该物品（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开PUF设备附于物品，因此未公开技术特征I。 |
| 技术特征J：其中所述材料被预先选择以使得所述PUF结构被布置成：在所述物品暴露到预定不良环境状况的情况下被破坏（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开材料选择与破坏，也未涉及环境暴露，因此未公开技术特征J。 |
| 技术特征K：所述破坏导致在测量所述预先选择的材料时所述测量的响应中的可测的变化（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开破坏及响应变化，因此未公开技术特征K。 |
| 技术特征L：其中所述破坏并非由于与PUF设备的人类物理接触而造成（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何破坏方式，因此未公开技术特征L。 |
| 技术特征M：其中所述材料被布置成在极端温度的情况下被破坏（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开极端温度及材料破坏，因此未公开技术特征M。 |
| 技术特征N：其中所述材料包括不同膨胀系数的两种或更多种材料（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开不同膨胀系数材料，因此未公开技术特征N。 |
| 技术特征O：其中所述材料被布置成在极端压力的情况下被破坏（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开极端压力及材料破坏，因此未公开技术特征O。 |
| 技术特征P：其中所述材料包括在极端温度或压力的情况下起反应、混合或者熔化的化学材料（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开此类化学材料，因此未公开技术特征P。 |
| 技术特征Q：其中所述材料是感光材料（直接公开） | 对比文件[8]：“감광막을 웨이퍼에 원하는 두께로 균일하게 도포하는 감광막 도포공정”（将感光膜均匀涂布在晶圆上的感光膜涂布工序） | 对比文件明确公开了“感光膜”（即感光材料），而技术特征Q仅要求材料是感光材料，未限定具体用途，因此本领域技术人员可直接得出该特征，属于直接公开。 |
| 技术特征R：所述感光材料被布置成在暴露于光的情况下被破坏（隐含公开） | 对比文件[8]：“정렬/노광공정”(alignment/exposure)以及光刻胶在曝光后发生化学性质改变，后续显影去除 | 对比文件公开了感光材料（光刻胶）在曝光工序中暴露于光，且曝光后其结构发生不可逆改变（可视为破坏），虽未明确“破坏”一词，但本领域技术人员可以合理推断出该特征，且有可能与其他对比文件组合，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述PUF结构被形成在标记中或者其上（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开标记及PUF结构，因此未公开技术特征S。 |
| 技术特征T：其中所述设备包括用于测量所述一个或多个预先选择的材料的无源或者有源传感器（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何传感器，因此未公开技术特征T。 |
| 技术特征U：所述PUF结构被设置在所述无源或者有源传感器中或者其上（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开PUF结构与传感器的关联，因此未公开技术特征U。 |
| 技术特征V：其中所述传感器包括放射能传感器、加速计、震荡或者振动传感器、化学或者生化传感器、湿度传感器、温度传感器、光传感器、电磁场传感器、或者压力传感器（未公开） | 对比文件[7]同上 | 对比文件未公开任何所列传感器，因此未公开技术特征V。 |
| 技术特征W：其中所述PUF结构被形成在光、温度、或者湿度敏感材料中或者其上（隐含公开） | 对比文件[8]：“감광막”作为光敏感材料，对比文件[8]描述了曝光工序，涉及光作用 | 对比文件公开了光敏感材料（感光膜），部分公开了技术特征W中的“光敏感材料”；虽然未公开PUF结构形成于其上，且温度/湿度敏感材料未公开，但有可能与其他对比文件组合公开整个特征，因此隐含公开。 |
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