对比文件名称：2003-11-18_US6650044B_发明授权_US06650044B1 Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件描述LED结构时提及“第一半导体层10、第二半导体层12、有源区14”以及“可选透明超级衬底16”，但未提及生长基板，也未说明半导体结构是在生长基板上生长的。 | 对比文件未记载任何关于“生长基板”的内容，更未公开半导体结构在生长基板上生长这一前提。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出该特征，也无法合理推断其存在，因此既不直接公开，也不隐含公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 **公开性：直接公开** | 详细描述部分：“LED 2A包括第一导电类型的第一半导体层10和第二导电类型的第二半导体层12。半导体层10和12与有源区14电耦合。有源区14例如是与层10和12的界面相关的p-n结。……在对接触18和20施加合适电压时，有源区14发射光。” | 对比文件明确公开了半导体结构含有第一半导体层10（n型或p型）、第二半导体层12（相反导电类型）以及介于两者之间的有源区14（即发光层）。该有源区用于发射光，与目标专利中置于n型区和p型区之间的发光层在结构和功能上完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) **公开性：直接公开** | 详细描述部分：“互连22和24分别将接触18和20与衬底接触26和28电耦合。”图2显示LED 2A通过互连22、24连接到衬底4。 | 对比文件中的半导体结构（LED 2A）通过导电互连（22、24）附着到衬底（载体）4，互连用于电连接和机械支撑，与目标专利中通过导电互连将半导体结构附着到载体的技术方案一致，因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件仅在LED表面涂覆荧光粉层，未在半导体结构与载体之间的空腔中引入任何绝缘材料。 | 对比文件未涉及任何底部填料，更未公开在半导体结构与载体之间的空腔中引入电绝缘底部填料，因此既不直接公开也不隐含公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开底部填料，故无法涉及底部填料提供刚性支撑的作用，因此未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件未提及生长基板移除步骤，也未提及激光解离技术。 | 对比文件完全不涉及移除生长基板，更未提及激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开液态底部填料的放置方式，因此未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开底部填料，也未涉及固化步骤，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开任何刚性底部填料层的形成，因此未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开刚性底部填料层，更未公开在其上形成开口，因此未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件倒装芯片LED的结构示意图（图2）显示接触18、20位于同一侧，但未描述任何蚀刻步骤。 | 对比文件未记载在附着前蚀刻p型区和有源区以暴露n型区的步骤，本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特征，因此未公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 **公开性：直接公开** | 详细描述部分：“接触18和20分别与半导体层10和12电耦合。” | 对比文件公开了形成接触18和20，分别连接到第一半导体层10和第二半导体层12。虽然未明确指明导电类型，但本领域技术人员清楚，在LED结构中，接触与n型区和p型区对应，且该特征在功能上完全等同于形成n接触和p接触，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 **公开性：直接公开** | 详细描述部分：“互连22和24分别将接触18和20与衬底接触26和28电耦合。”衬底接触26、28即载体上形成的金属层。 | 对比文件公开了互连22、24将衬底上的接触（金属层）连接到LED的接触18、20（即n接触和p接触），与目标专利中互连连接载体上金属层与n接触或p接触的方案实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 **公开性：未公开** | 图2显示互连22、24连接在LED的底部表面（接触18、20位置），但未提及任何距离数值。全文无任何关于半导体结构顶部表面与载体顶部表面距离小于50微米的记载。 | 对比文件虽公开了互连耦合到底部表面（倒装芯片结构），但未公开距离数值，更未提及小于50微米的限定。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该具体尺寸，因此不满足整体特征，未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件在荧光粉层中提及有机材料（如环氧树脂）不适合使用，但未涉及底部填料。 | 对比文件未公开底部填料，更未公开其材料组成，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开底部填料，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件提到环氧树脂不适合用于荧光粉层，但未用于底部填料。 | 对比文件未公开底部填料，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件公开硅树脂用于荧光粉层，但未涉及底部填料。 | 对比文件未公开底部填料，因此未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件在荧光粉层中公开了硅树脂中的无机材料颗粒（二氧化硅），但该特征针对的是底部填料。 | 由于对比文件未公开底部填料，更未公开底部填料中包含硅树脂和无机材料颗粒，因此该特征未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件未提及互连的材料。 | 对比文件未公开互连的具体材料，本领域技术人员无法直接或合理推断出互连包括金，因此未公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件未描述任何附着方法。 | 对比文件未公开附着方式，更未提及超声焊接，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。对比文件未提及互连的材料。 | 对比文件未公开互连包括焊料，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 **公开性：未公开** | 详细描述部分：“在一个实施方式中，半导体层10和12以及有源区14由III-氮化物化合物形成，例如AlxInyGa1-x-yN化合物。”关于蓝宝石：详细描述部分提到“可选透明超级衬底16由例如蓝宝石或碳化硅形成。” | 对比文件公开了半导体结构是III-氮化物结构，但未公开生长基板是蓝宝石。所提及的蓝宝石是透明超级衬底，并非生长基板。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出生长基板为蓝宝石，因此整体特征未公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未涉及移除生长基板，更未提及激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未公开激光解离，更未公开扫描步骤，因此未公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 **公开性：未公开** | 全文无相关内容。 | 对比文件未涉及移除生长基板，更未提及蚀刻，因此未公开。 |
<<<B>>><<<C>>><<<L>>><<<M>>>