**对比文件名称**：2002-11-26_US6486499B_发明授权_US06486499B1 III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
**目标专利名称**：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
**本次调用的模型名称**：AI专利分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) <br>《直接公开》 | “The III-nitride layers 11 are optionally attached to a transparent superstrate 10. The superstrate 10 can be the growth substrate for deposition of the III-nitride layers.”（图6b描述，对应说明书第3页第5-6段）<br>中文翻译：III-氮化物层11可选地附着到透明超透射衬底10。超透射衬底10可以是用于沉积III-氮化物层的生长基板。 | 对比文件明确公开了在生长基板（超透射衬底）上生长半导体结构，与目标专利的特征A完全一致，属于直接公开。 |
| **技术特征B**：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 <br>《直接公开》 | “III-nitride epitaxial heterostructure n-type and undoped layers 11 and p-type layers 12, each in contact with an active region 13.”（图6b描述，对应说明书第3页第5段）<br>中文翻译：III-氮化物外延异质结构包括n型层和未掺杂层11以及p型层12，每个都与有源区13接触。 | 对比文件明确公开了n型层、p型层以及它们之间的有源区（发光层），与特征B相同，直接公开。 |
| **技术特征C**：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) <br>《直接公开》 | “The electrode metallizations connect to submount electrodes 52 on a submount substrate 50 via interconnects 60.”（图6b描述，对应说明书第4页第1段）<br>中文翻译：电极金属化通过互连60连接到载体衬底50上的载体电极52。 | 对比文件明确公开了通过互连将半导体结构（LED芯片）附着到载体（submount），与特征C一致，直接公开。 |
| **技术特征D**：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) <br>《隐含公开》 | “In optional step 102, underfill is dispensed between the LED die and the submount.”（图20对应描述，说明书第7页第2段）<br>中文翻译：在可选步骤102中，在LED芯片和载体之间分配底部填充材料。 | 对比文件公开了在LED芯片和载体之间引入底部填充材料（underfill），但未明确说明其电绝缘性。然而，本领域技术人员公知底部填充材料通常为电绝缘材料（如环氧树脂），因此隐含公开了电绝缘底部填料。 |
| **技术特征E**：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 <br>《隐含公开》 | 同上步骤102，且对比文件上下文提及underfill填充间隙以降低热阻，但未明确刚性支撑。 | 对比文件公开了底部填充材料填充在LED芯片和载体之间，本领域技术人员公知这种填充材料固化后能够提供机械支撑和刚性，因此隐含公开了刚性支撑功能。 |
| **技术特征F**：通过激光解离移除该生长基板(10) <br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及激光解离移除生长基板的相关内容。 | 对比文件始终保留生长基板作为超透射衬底，未公开任何移除步骤，更未提及激光解离。 |
| **技术特征G**：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 <br>《隐含公开》 | 步骤102：“underfill is dispensed between the LED die and the submount”（图20描述）<br>中文翻译：在LED芯片和载体之间分配底部填充材料。 | “dispensed”一词在本领域中通常指分配液态材料，本领域技术人员可以合理推断底部填充材料最初是液态的，因此隐含公开了液态底部填料材料。 |
| **技术特征H**：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 <br>《隐含公开》 | 对比文件未明确固化步骤，但步骤102后通常需要固化。 | 本领域技术人员公知，液态底部填充材料需要经过固化才能形成固体支撑，因此隐含公开固化步骤。 |
| **技术特征I**：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 <br>《未公开》 | 对比文件未提及在附着前预形成刚性底部填料层。 | 对比文件中的底部填料是附着后分配的，而非预成型层，未公开此特征。 |
| **技术特征J**：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 <br>《未公开》 | 对比文件未提及在预成型底部填料层中形成开口。 | 对比文件没有预成型底部填料层，因此无相关开口特征。 |
| **技术特征K**：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 <br>《隐含公开》 | 步骤92：“contacts are applied to the III-nitride heterostructure, etching if necessary.”（图19描述，对应说明书第6页第4段）<br>中文翻译：接触施加到III-氮化物异质结构，必要时进行蚀刻。 | 在倒装LED结构中，为了实现n电极，必须蚀刻掉p型层和有源区的一部分以暴露n型层。对比文件虽然未明确蚀刻目的，但本领域技术人员根据其结构（图6a-b中n电极和p电极同侧）可以合理推断存在此蚀刻步骤，因此隐含公开。 |
| **技术特征L**：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 <br>《直接公开》 | 图6a-b明确显示n-electrode 22和p-electrode metallization 20，且分别与n型和p型层接触。 | 对比文件直接公开了n接触和p接触的形成，与特征L一致。 |
| **技术特征M**：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 <br>《直接公开》 | “The electrode metallizations connect to submount electrodes 52 on a submount substrate 50 via interconnects 60.”（图6b描述）<br>中文翻译：电极金属化通过互连60连接到载体衬底50上的载体电极52。 | 对比文件直接公开了互连将载体上的金属层（submount electrodes）连接到LED的电极（n接触或p接触），与特征M相同。 |
| **技术特征N**：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 <br>《未公开》 | 对比文件提到“solder thickness may be as little as 20 μm”（说明书第6页第1段），但未明确半导体结构顶部表面与载体顶部表面的整体距离。 | 对比文件仅涉及焊料厚度，未给出整体距离且未限定小于50微米，本领域技术人员无法合理推断该具体数值，因此未公开。 |
| **技术特征O**：其中该底部填料包括有机材料 <br>《隐含公开》 | 对比文件未指定底部填料材料，但步骤102中的underfill常见为有机材料。 | 本领域技术人员公知，底部填充材料通常采用有机材料（如环氧树脂），因此隐含公开底部填料包括有机材料。 |
| **技术特征P**：其中该底部填料包括无机材料 <br>《未公开》 | 对比文件未提及无机材料作为底部填料。 | 对比文件无任何关于无机底部填料的记载，未公开。 |
| **技术特征Q**：其中该底部填料包括环氧树脂 <br>《隐含公开》 | 对比文件未明确环氧树脂，但underfill通常为环氧树脂基材料。 | 本领域技术人员公知环氧树脂是底部填充材料的典型选择，因此隐含公开。 |
| **技术特征R**：其中该底部填料包括硅树脂 <br>《未公开》 | 对比文件未提及硅树脂。 | 对比文件无相关记载，未公开。 |
| **技术特征S**：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 <br>《未公开》 | 对比文件未提及硅树脂或无机材料颗粒。 | 对比文件无相关记载，未公开。 |
| **技术特征T**：其中该至少一个互连包括金 <br>《直接公开》 | “the interconnects may be made of ... Au stud-bumps...” （说明书第4页第1段）<br>中文翻译：互连可以由……金凸点……制成。 | 对比文件明确列举金作为互连材料，直接公开。 |
| **技术特征U**：附着包括通过超声焊接进行附着 <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及超声焊接，仅提及回流焊、焊料等。 | 对比文件未公开超声焊接方式，未公开。 |
| **技术特征V**：其中该至少一个互连包括焊料 <br>《直接公开》 | 对比文件多处使用“solder”作为互连材料，如“solder bumps”、“solder sheets”等（说明书第4-5页）。 | 对比文件直接公开了焊料作为互连材料，与特征V一致。 |
| **技术特征W**：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 <br>《直接公开》 | 标题：“III-nitride light-emitting device”以及“superstrate may be sapphire”（说明书第3页第5段、第5页第2段）<br>中文翻译：III-氮化物发光器件；超透射衬底可以是蓝宝石。 | 对比文件明确公开了半导体结构为III-氮化物，且生长基板可为蓝宝石，直接公开。 |
| **技术特征X**：移除包括通过激光解离进行移除 <br>《未公开》 | 对比文件未涉及任何激光解离移除步骤。 | 对比文件始终保留生长基板，未公开移除方式。 |
| **技术特征Y**：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 <br>《未公开》 | 对比文件无激光扫描相关内容。 | 未公开。 |
| **技术特征Z**：其中移除包括通过蚀刻进行移除 <br>《未公开》 | 对比文件未提及蚀刻移除生长基板。 | 对比文件无相关记载，未公开。 |
### 代码输出
直接公开的特征：A、B、C、L、M、T、V、W
隐含公开的特征：D、E、G、H、K、O、Q
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