对比文件名称：2004-12-07_US6828596B_发明授权_US06828596B2 Contacting scheme for large and small area semiconductor light emitting flip chip devices
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：DeepSeek AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 详细描述中图4A描述：“In FIG. 4A, one or more n-type layers 11 are deposited epitaxially on a substrate 10.” 翻译：“在图4A中，一个或多个n型层11外延沉积在基板10上。” | 对比文件明确公开了在基板（生长基板）上外延生长半导体结构（n型层、有源区、p型层），因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 详细描述中图3相关：“In FIG. 3, one or more n-type layers 11 are formed over a substrate 10. An active region 12 is formed over the one or more n-type layers and one or more p-type layers 13 are formed over the active region.” 翻译：“在图3中，一个或多个n型层11形成在基板10上。有源区12形成在一个或多个n型层上，一个或多个p型层13形成在有源区上。” | 对比文件明确公开了有源区（发光层）位于n型层和p型层之间，因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | 详细描述中图5、6、7部分：“Submount connection layers 16 and 17 make electrical connection between the light emitting device and the submount.” 翻译：“次安装连接层16和17在发光器件和次安装（载体）之间建立电连接。” 以及“The two submount connection layers can then be used to connect the device to a submount.” 翻译：“两个次安装连接层然后可以用于将器件连接到次安装。” | 对比文件明确公开了通过导电连接层（互连）将半导体发光器件附着到次安装（载体）上，因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料或任何类似的绝缘填充材料。 | 对比文件没有任何关于底部填料的描述，因此未公开该技术特征。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料及其支撑作用。 | 对比文件未公开底部填料，因此未公开该技术特征。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) （未公开） | 对比文件全文未提及移除生长基板，也未提及激光解离。 | 对比文件未公开任何形式的基板移除步骤，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料及其引入方式。 | 对比文件未公开任何底部填料相关步骤，因此未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料固化。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 （未公开） | 对比文件全文未提及刚性底部填料层。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 （未公开） | 对比文件全文未提及刚性底部填料层中的开口。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《直接公开》 | 详细描述中图4C相关：“Guard metal layer 50 is then patterned and etched in one or more etching steps to form vias 14.” 以及“vias 14 are formed in the device down to n-type layers 11 by etching away p-type layers 13 and active region 12.” 翻译：“保护金属层50然后被图案化并在一个或多个蚀刻步骤中蚀刻以形成通孔14。” 以及“通孔14通过蚀刻掉p型层13和有源区12而形成在器件中，直到n型层11。” | 对比文件明确公开了在附着到载体之前，通过蚀刻p型层和有源区形成通孔，暴露n型层，因此直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | 详细描述中图4D-4E：“A dielectric layer 22 is deposited... to electrically isolate p-metal 20... from an n-metal to be deposited in via 14.” 以及“In FIG. 4E, n-metal 21 is deposited in via 14.” 翻译：“介电层22沉积...以电隔离p金属20...与将要沉积在通孔14中的n金属。” 以及“在图4E中，n金属21沉积在通孔14中。” 同时p-metal 20已形成在p型层上。 | 对比文件明确公开了在通孔中沉积n金属与n型层接触，以及p金属与p型层接触，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | 详细描述中图5、6、7：“Submount connection 16 connects to portions of the p-metal of the device, and submount connection 17 connects to the n-metal deposited in some vias and the interconnects.” 翻译：“次安装连接16连接到器件的p金属部分，次安装连接17连接到沉积在一些通孔中的n金属和互连。” | 对比文件公开了互连（次安装连接）将载体上的金属层连接到p接触或n接触，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 （未公开） | 详细描述中倒装芯片结构使得互连位于半导体结构底部和载体顶部之间，但未提及具体距离数值。例如图6、7显示互连在器件和次安装之间。 | 对比文件虽公开了互连耦合到半导体结构底部表面，但未公开具体距离小于50微米，也未给出任何暗示，因此未直接或隐含公开该数值限制。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料成分。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料成分。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料成分。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料成分。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 （未公开） | 对比文件全文未提及底部填料成分。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | 详细描述中列举次安装连接的类型：“gold stud-bumps”。翻译：“金凸点”。 | 对比文件明确列出金作为互连材料，因此直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 （未公开） | 对比文件未提及超声焊接。次安装连接方法包括焊料、金凸点、各向异性导电胶等，但未提及超声焊接。 | 对比文件未公开超声焊接，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | 详细描述中多次提到“solder layers”、“solder bumps”等。例如：“Submount connection layers 16 and 17 may be solder layers, or any other type of conductive connection...” 翻译：“次安装连接层16和17可以是焊料层，或任何其他类型的导电连接...” | 对比文件明确公开了互连包括焊料，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 背景部分：“Often III-nitride devices are epitaxially grown on sapphire, silicon carbide, or III-nitride substrates.” 翻译：“通常，III-氮化物器件外延生长在蓝宝石、碳化硅或III-氮化物基板上。” | 对比文件明确公开了III-氮化物结构和蓝宝石基板，因此直接公开。 |
| 技术特征X：其中通过激光解离进行移除 （未公开） | 对比文件全文未提及移除基板，也未提及激光解离。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 （未公开） | 对比文件全文未提及激光解离或扫描。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 （未公开） | 对比文件全文未提及移除基板。 | 对比文件未公开该特征。 |
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