对比文件名称：2004-04-28_CN1492521A_发明公开_CN1492521A 半导体器件和一种使用该半导体器件的光学器件
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：DeepSeek-Chat
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) - 直接公开 | 对比文件具体实施方式中记载：“在蓝宝石衬底14上形成氮化物半导体层”（参见实施例1，图8-9） | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（生长基板）上生长包含发光层的半导体结构，因此技术特征A被直接公开。 |
| B: 该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 - 直接公开 | 对比文件具体实施方式中记载：“活性层17设置在N型接触层和P型接触层之间”（参见实施例1，图9） | 对比文件明确公开了半导体结构具有n型区、p型区和位于两者之间的发光层，因此技术特征B被直接公开。 |
| C: 通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) - 直接公开 | 对比文件实施例3记载：“在LED芯片的电极上形成Au凸起，并且使用倒装芯片法，通过超声焊接实现和暴露在外壳凹区底部的各个引线电极的电连接”（具体实施方式，例3） | 对比文件公开了通过导电互连（Au凸起）将半导体结构（LED芯片）附着到载体（引线电极或外壳），因此技术特征C被直接公开。 |
| D: 在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) - 直接公开 | 对比文件具体实施方式记载：“在发光元件的正负电极和亚安装衬底之间应用下填充”以及“在存于与发光元件的正负电极和暴露于外壳的凹区中的底部中的引线电极2之间的空隙中也可以应用下填充”（具体实施方式，过程4：密封之前） | 对比文件明确公开了在半导体结构和载体之间的空腔中引入电绝缘的底部填料（下填充），因此技术特征D被直接公开。 |
| E: 其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 - 隐含公开 | 对比文件具体实施方式记载：“为了提高发光器件的可靠性，可以在发光元件的正负电极和亚安装衬底之间应用下填充。”（具体实施方式，过程4：密封之前） | 对比文件虽未明确提及“刚性支撑”，但下填充材料填充间隙的常规作用包括提供机械支撑，本领域技术人员可以合理推断下填充能够提供对半导体结构的支撑，因此技术特征E被隐含公开。 |
| F: 通过激光解离移除该生长基板(10) - 未公开 | 对比文件未提及激光解离移除生长基板 | 对比文件仅提到“可以在半导体层形成以后移去衬底”，但未公开任何具体移除方法，尤其未公开激光解离，因此技术特征F未被公开。 |
| G: 其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 - 隐含公开 | 对比文件具体实施方式记载：“热固性树脂例如环氧树脂可以被用作下填充的材料。”（具体实施方式，过程4：密封之前） | 热固性树脂通常以液态形式施加然后固化，因此本领域技术人员可以合理推断下填充材料在施加时是液态的，技术特征G被隐含公开。 |
| H: 使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 - 隐含公开 | 对比文件具体实施方式记载：“热固性树脂例如环氧树脂可以被用作下填充的材料。”（具体实施方式，过程4：密封之前） | 热固性树脂需要固化才能发挥作用，本领域技术人员可以合理推断下填充材料会通过固化形成对半导体结构的支撑，因此技术特征H被隐含公开。 |
| I: 其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 - 未公开 | 对比文件未记载在附着之前形成刚性底部填料层 | 对比文件公开的下填充是在附着之后注入的，未公开在附着之前预形成刚性层，因此技术特征I未被公开。 |
| J: 在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 - 未公开 | 对比文件未记载在刚性底部填料层中形成开口 | 对比文件未公开任何关于在底部填料层中形成开口的内容，因此技术特征J未被公开。 |
| K: 进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 - 直接公开 | 对比文件实施例8记载：“通过蚀刻等方法部分去除P型接触层、P型覆盖层、活性层等，暴露N型接触层”（具体实施方式，例8，图12-13） | 对比文件明确公开了在附着之前通过蚀刻去除部分p型区和有源区以暴露n型区，因此技术特征K被直接公开。 |
| L: 形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 - 直接公开 | 对比文件实施例8记载：“形成N侧平面电极和P侧平面电极”（具体实施方式，例8，图12-13） | 对比文件明确公开了在暴露的n型区上形成n接触，在p型区上形成p接触，因此技术特征L被直接公开。 |
| M: 其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 - 直接公开 | 对比文件实施例3记载：“通过Au凸起连接LED芯片的电极和引线电极”（具体实施方式，例3） | 对比文件公开了互连（凸起）将载体上的金属层（引线电极）连接到半导体结构的电极（n接触或p接触），因此技术特征M被直接公开。 |
| N: 其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 - 未公开 | 对比文件未记载关于互连耦合位置和距离的具体数值 | 对比文件未公开任何关于互连连接半导体结构底部表面以及距离小于50微米的特征，因此技术特征N未被公开。 |
| O: 其中该底部填料包括有机材料 - 直接公开 | 对比文件具体实施方式记载：“热固性树脂例如环氧树脂可以被用作下填充的材料。”（具体实施方式，过程4：密封之前） | 环氧树脂属于有机材料，因此技术特征O被直接公开。 |
| P: 其中该底部填料包括无机材料 - 未公开 | 对比文件未明确记载下填充材料包含无机材料 | 对比文件在密封部件中使用了无机材料，但未提及下填充包含无机材料，因此技术特征P未被公开。 |
| Q: 其中该底部填料包括环氧树脂 - 直接公开 | 对比文件具体实施方式记载：“热固性树脂例如环氧树脂可以被用作下填充的材料。”（具体实施方式，过程4：密封之前） | 对比文件明确列举环氧树脂作为下填充材料，因此技术特征Q被直接公开。 |
| R: 其中该底部填料包括硅树脂 - 未公开 | 对比文件未明确记载下填充材料包含硅树脂 | 对比文件在密封部件中使用了硅树脂，但未提及下填充包含硅树脂，因此技术特征R未被公开。 |
| S: 进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 - 未公开 | 对比文件未记载在下填充中使用硅树脂和无机材料颗粒的组合 | 对比文件在密封部件中使用了混合无机颗粒的硅树脂，但未用于下填充，因此技术特征S未被公开。 |
| T: 其中该至少一个互连包括金 - 直接公开 | 对比文件实施例3记载：“在LED芯片的电极上形成Au凸起”（具体实施方式，例3） | 对比文件明确公开了互连（凸起）包含金，因此技术特征T被直接公开。 |
| U: 附着包括通过超声焊接进行附着 - 直接公开 | 对比文件实施例3记载：“倒装片法中进行超声焊接实现和暴露在外壳凹区底部的各个引线电极的电连接”（具体实施方式，例3） | 对比文件明确公开了通过超声焊接进行附着，因此技术特征U被直接公开。 |
| V: 其中该至少一个互连包括焊料 - 直接公开 | 对比文件具体实施方式记载：“应用超声波键合方法进行，该方法包括诸如金、底共熔的焊接材料(Au-Sn，Pb-Sn)，无铅的焊接材料或类似物”（具体实施方式，过程3：凸起6） | 对比文件公开了互连材料可以包括焊料，因此技术特征V被直接公开。 |
| W: 其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 - 直接公开 | 对比文件具体实施方式记载：“使用氮化物半导体和蓝宝石衬底”（具体实施方式，发光元件4） | 对比文件明确公开了半导体结构为III-氮化物，生长基板为蓝宝石，因此技术特征W被直接公开。 |
| X: 移除包括通过激光解离进行移除 - 未公开 | 对比文件未提及激光解离移除 | 同特征F，对比文件未公开激光解离，因此技术特征X未被公开。 |
| Y: 其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 - 未公开 | 对比文件未提及激光扫描 | 对比文件未公开任何激光解离的细节，因此技术特征Y未被公开。 |
| Z: 其中移除包括通过蚀刻进行移除 - 未公开 | 对比文件仅提及“可以在半导体层形成以后移去衬底”，未具体说明蚀刻移除 | 对比文件未公开通过蚀刻移除生长基板的具体方法，因此技术特征Z未被公开。 |
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