对比文件名称：2001-12-05_EP1159766A_发明公开_EP1159766A1 III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH INCREASED LIGHT GENERATING CAPABILITY
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)【直接公开】 | 具体实施方式部分：“在横截面视图（图6b）中，该器件包括III-氮化物外延异质结构……III-氮化物层11可选地附着到透明超透射基底10。超透射基底10可以是用于沉积III-氮化物层的生长基板。” | 对比文件明确公开了在透明超透射基底（即生长基板）上沉积III-氮化物异质结构，因此直接公开了在生长基板上生长的半导体结构。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层【直接公开】 | 相同部分：“n型层和未掺杂层11以及p型层12，每个都与有源区13接触。” | 对比文件公开了n型层、p型层以及位于两者之间的有源区（发光层），因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)【直接公开】 | 具体实施方式部分：“电极金属化通过互连60连接到载体衬底50上的载体电极52。”以及图6b的相应描述。 | 对比文件公开了通过互连将LED芯片（半导体结构）连接到载体（submount），因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)【直接公开】 | 图20的步骤102：“在可选的步骤102中，在LED芯片和载体之间分配底部填料。” | 对比文件明确公开了在LED芯片和载体之间分配底部填料（underfill），因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑【隐含公开】 | 同上，步骤102。 | 对比文件虽然未明确说明底部填料提供刚性支撑，但本领域公知底部填料在半导体封装中用于填充间隙、提供机械支撑和应力缓解，从而对半导体结构提供刚性支撑。本领域技术人员可以合理推断其具有该功能，因此隐含公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10)【不公开】 | 无相关描述。 | 对比文件始终保持生长基板作为超透射基底，未提及移除基板，更未提及激光解离移除，因此不公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间【隐含公开】 | 同上，步骤102。 | 对比文件使用“分配”一词，本领域公知底部填料通常以液态形式分配，然后固化。本领域技术人员可以合理推断该步骤使用了液态材料，因此隐含公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑【隐含公开】 | 无明确固化步骤，但步骤102之后。 | 对比文件未明确提及固化，但本领域公知分配底部填料后需要固化以形成刚性支撑。本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层【不公开】 | 步骤102在步骤101（形成连接）之后，即在附着之后。 | 对比文件公开的底部填料是在附着之后引入，而非在附着之前形成刚性层，因此不公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连【不公开】 | 无相关描述。 | 由于对比文件未公开特征I，且未公开在刚性层中形成开口，因此不公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区【隐含公开】 | 图19步骤92：“将接触施加到III-氮化物异质结构，必要时进行蚀刻。”以及图6a显示n电极22位于n型层上。 | 对比文件明确提到需要蚀刻，但未指明蚀刻哪些部分。然而，本领域技术人员由倒装结构可知，要形成n电极必须蚀刻掉p型层和有源层的一部分以暴露n型层，因此隐含公开该蚀刻步骤。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触【直接公开】 | 具体实施方式部分，图6a-b：“n电极22指状交叉插入p电极金属化20”以及“p电极20”。 | 对比文件公开了n电极和p电极，分别与n型区和p型区电连接，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个【直接公开】 | 具体实施方式部分：“电极金属化通过互连60连接到载体衬底50上的载体电极52。” | 对比文件公开了互连将LED电极（n/p接触）连接到载体上的金属层（载体电极），因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米【不公开】 | 无相关描述。 | 对比文件未提及互连耦合的具体位置和距离大小，因此不公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料【隐含公开】 | 未指定材料。 | 本领域公知底部填料通常为有机材料，如环氧树脂，本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料【隐含公开】 | 未指定材料。 | 本领域公知底部填料可包含无机填料（如二氧化硅），本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂【隐含公开】 | 未指定材料。 | 环氧树脂为常见的底部填料有机材料，本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂【隐含公开】 | 未指定材料。 | 硅树脂也可用作底部填料，本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒【隐含公开】 | 未指定材料。 | 底部填料中常加入无机颗粒以调节热膨胀系数，本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金【直接公开】 | 具体实施方式部分：“互连可以由……金凸点或焊料凸点制成。” | 对比文件明确列举了金作为互连材料，因此直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着【不公开】 | 无相关描述。 | 对比文件仅提及回流焊、热压等，未提及超声焊接，因此不公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料【直接公开】 | 说明书多处提及焊料，例如“焊料凸点”、“可焊金属”等。 | 对比文件公开了互连可使用焊料，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石【直接公开】 | 发明内容：“III-氮化物发光器件”以及“超透射基底10可以是用于沉积III-氮化物层的生长基板”，具体实施方式中明确提到“蓝宝石超透射基底”。 | 对比文件明确公开了III-氮化物半导体结构，并以蓝宝石作为生长基板（超透射基底），因此直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除【不公开】 | 同特征F。 | 对比文件不涉及移除生长基板，因此不公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面【不公开】 | 同特征F。 | 对比文件不公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除【不公开】 | 无相关描述。 | 对比文件不公开移除生长基板，因此不公开。 |
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