对比文件的名称：2004-03-10_EP1396891A_发明公开_EP1396891A2 Semiconductor device and optical device using the same
目标专利的名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：GPT-4 (Large Language Model)
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) [直接公开] | [0137] “本示例的LED芯片的基本结构依次形成在蓝宝石衬底14上。” 以及 [0057] “在使用氮化物半导体的情况下，优选使用蓝宝石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、GaN等材料作为半导体衬底。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底（生长基板）上形成氮化物半导体LED结构（半导体结构），因此直接公开。 |
| B: 该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 [直接公开] | [0137] “...Si掺杂的N型GaN接触层16...有源层17...P型GaN层19...” | 对比文件公开了N型层、有源层、P型层的叠层结构，有源层位于N型和P型层之间，因此直接公开。 |
| C: 通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) [直接公开] | [0061] “在本实施例中，在每个引线电极2上形成Au凸点，并且每个凸点6和每个引线电极2被设置为彼此相对。然后通过超声焊接将这些元件接合。” | 对比文件公开了通过金凸点（导电互连）将LED芯片（半导体结构）附着到引线电极（载体），因此直接公开。 |
| D: 在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) [直接公开] | [0065] “为了提高发光器件的可靠性，可以在发光元件的正负电极与子基板之间使用底部填料。也可以在发光元件的正负电极与暴露在封装凹槽底部的引线电极2之间的间隙中使用底部填料。” | 对比文件明确公开了在半导体结构和载体之间的间隙中引入底部填料，因此直接公开。 |
| E: 其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 [隐含公开] | [0065] “为了提高发光器件的可靠性...” 以及 [0066] “底部填料的量足以填充发光元件的正负电极与子基板之间出现的间隙。” | 对比文件提及底部填料用于提高可靠性，本领域技术人员知晓底部填料填充间隙能提供机械支撑和刚性，因此隐含公开。 |
| F: 通过激光解离移除该生长基板(10) [未公开] | [0057] “此外，在形成半导体层之后可以移除衬底。” | 对比文件仅提及可移除衬底，但未公开具体移除方法，特别是激光解离，因此未公开。 |
| G: 其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 [隐含公开] | [0066] “可以使用热固性树脂如环氧树脂作为底部填料的材料。” | 对比文件公开了底部填料为热固性树脂，本领域技术人员可知其在施加时通常为液态，然后填充间隙，因此隐含公开。 |
| H: 使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 [隐含公开] | [0066] “热固性树脂” | 对比文件公开了底部填料为热固性树脂，其需要加热固化，固化后形成支撑，因此隐含公开。 |
| I: 其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 [未公开] | 无 | 对比文件仅公开了在组装后填充底部填料，未公开在附着前预形成刚性底部填料层，因此未公开。 |
| J: 在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 [未公开] | 无 | 对比文件未公开在预形成底部填料层中形成开口，因此未公开。 |
| K: 进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 [直接公开] | [0138] “通过蚀刻使蓝宝石衬底上的氮化物半导体的P型接触层19和N型接触层16的表面在同一面侧暴露。” | 对比文件公开了通过蚀刻暴露N型接触层（n型区），发生在附着之前，因此直接公开。 |
| L: 形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 [直接公开] | [0138] “接下来，在P型接触层19上使用Rh和Zr进行溅射。从而形成如图8所示的图案的扩散电极20。...这样可以同时形成P侧焊盘电极21和N侧焊盘电极22。” | 对比文件公开了形成P侧和N侧电极，与p型和n型区连接，因此直接公开。 |
| M: 其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 [直接公开] | [0061] “在每个引线电极2上形成Au凸点...通过超声焊接接合。” | 对比文件公开了凸点将LED芯片电极连接到引线电极（载体上的金属层），因此直接公开。 |
| N: 其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 [未公开] | 无 | 对比文件未公开互连到半导体结构底部表面的具体位置关系及距离参数，因此未公开。 |
| O: 其中该底部填料包括有机材料 [直接公开] | [0066] “可以使用热固性树脂如环氧树脂作为底部填料的材料。” | 对比文件公开了环氧树脂等有机材料，因此直接公开。 |
| P: 其中该底部填料包括无机材料 [直接公开] | [0066] “为了减少底部填料中的热应力，可以将氮化铝、氧化铝及其复合混合物混合到环氧树脂中。” | 对比文件公开了底部填料中混合无机材料，因此直接公开。 |
| Q: 其中该底部填料包括环氧树脂 [直接公开] | [0066] “热固性树脂如环氧树脂” | 对比文件明确提到环氧树脂，因此直接公开。 |
| R: 其中该底部填料包括硅树脂 [未公开] | 无 | 对比文件仅在密封材料中提到硅树脂，未在底部填料中提及，因此未公开。 |
| S: 进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 [未公开] | 无 | 对比文件未公开底部填料为硅树脂并含无机颗粒，因此未公开。 |
| T: 其中该至少一个互连包括金 [直接公开] | [0061] “Au凸点” | 对比文件明确公开了金凸点，因此直接公开。 |
| U: 附着包括通过超声焊接进行附着 [直接公开] | [0061] “通过超声焊接接合” | 对比文件明确公开了超声焊接，因此直接公开。 |
| V: 其中该至少一个互连包括焊料 [直接公开] | [0067] “共晶焊料（Au-Sn, Pb-Sn）、无铅焊料等” | 对比文件公开了焊料作为互连材料，因此直接公开。 |
| W: 其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 [直接公开] | [0137] “在蓝宝石衬底14上形成...氮化物半导体” | 对比文件明确公开了在蓝宝石衬底上形成氮化物半导体，因此直接公开。 |
| X: 移除包括通过激光解离进行移除 [未公开] | 无 | 对比文件未公开任何移除基板的具体方法，尤其是激光解离，因此未公开。 |
| Y: 其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 [未公开] | 无 | 对比文件未公开激光解离及扫描步骤，因此未公开。 |
| Z: 其中移除包括通过蚀刻进行移除 [未公开] | 无 | 对比文件未公开蚀刻移除基板，因此未公开。 |
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