对比文件：2002-09-10_US6448102B_发明授权_US06448102B1 Method for nitride based laser diode with growth substrate removed
目标专利：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：本次调用AI模型（DeepSeek）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 图1显示“通常生长在Al₂O₃绝缘衬底215上的四斑点InGaAlN激光二极管结构100”；图6显示“通过MOCVD在绝缘衬底215上生长的InGaAlN异质结构晶圆600”。 | 对比文件明确公开了在蓝宝石（Al₂O₃）绝缘衬底上生长InGaAlN半导体结构，该衬底相当于目标专利的生长基板，生长的结构相当于半导体结构。因此直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 图2描述：“p-GaN帽层220位于p-AlGaN包覆层225之上，有源区为具有多量子阱结构的InGaN层230，其位于n-AlGaN包覆层235上，n-GaN层210位于最下方。” | 对比文件明确公开了p型层（220、225）、发光有源区（230）、n型层（235、210），且发光层位于p型区和n型区之间。因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | 图11e描述：“沉积焊料层1141（例如In或PbSn），用于将衬底1138接合到半导体膜1110。” “在倒装焊键合之前……半导体膜1110接合到衬底1138。” | 对比文件公开了通过焊料层（导电互连）将半导体膜（半导体结构）附着到载体（衬底1138）。焊料层是导电的，作为互连。因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件仅通过焊料或热压直接键合，未在半导体结构和载体之间引入额外的电绝缘底部填料。虽有蜡或环氧树脂作为临时支撑，但最终被去除，并非永久性底部填料。因此未公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《直接公开》 | 图11b：“适当调节准分子激光可使蓝宝石衬底215与半导体膜1110界面处的GaN薄层1130分解。” 图11c：“通过加热使蓝宝石衬底215与半导体膜1110分离。” | 对比文件公开了通过激光解离（激光剥离）移除生长基板（蓝宝石）。因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《直接公开》 | 图7b-7c描述：“使用CAIBE或RIE在Ar/Cl₂/BCl₃混合气体中干法蚀刻形成图7b的台面结构。” “图7c显示蚀刻脊形波导和沟槽后的晶圆600。” 这些蚀刻暴露了n-GaN层。 | 对比文件公开了在附着之前，通过蚀刻去除p型区和有源区的一部分以暴露n型区（n-GaN）。因此直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | 图7d：“沉积n金属720，通常为钛-铝。” 图7e：“p金属接触垫730和n金属接触垫720的沉积。” | 对比文件公开了形成与暴露的n型区连接的n接触（n金属）和与p型区连接的p接触（p金属）。因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | 图11e：“在衬底1138上沉积金属接触层1121，通常为钛/金……沉积焊料层1141以将衬底1138接合到半导体膜1110。” 图11d在半导体膜上沉积n金属层1117，通过焊料连接到载体上的金属层。 | 对比文件公开了互连（焊料层）将在载体上形成的金属层（1121）连接到n接触（1117）或p接触（取决于实施例）。因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《隐含公开》 | 图6给出各层厚度：n-GaN层210厚度4μm，其他层约0.1-1μm；图11e记载焊料层典型厚度1-2μm。互连（焊料）耦合到半导体膜底部表面的金属接触层。半导体膜顶部表面（原生长面）与载体顶部表面距离为膜厚加焊料层厚，约几至十几微米。 | 对比文件明确公开了互连耦合到半导体结构的底部表面。虽未明确记载距离小于50微米，但根据公开的各层厚度，本领域技术人员可直接合理推断该距离远小于50微米。因此隐含公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《未公开》 | 无相关描述。 | 基于特征D未公开，本特征同样未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | 多处提到金，如“金属接触层1121，通常为钛/金”；“可沉积金膜防止氧化”；“金-金热压键合”。 | 对比文件公开了互连包括金（如Ti/Au层、Au膜等）。因此直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 未提及超声焊接。 | 对比文件仅公开焊料回流和热压键合，未公开超声焊接。因此未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | 图11e：“沉积焊料层1141，例如In或PbSn。” | 对比文件公开了互连包括焊料（如In、PbSn）。因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 标题：“Method for nitride based laser diode”；图1：“四斑点InGaAlN激光二极管结构通常生长在Al₂O₃绝缘衬底上”。 | 对比文件公开了半导体结构为III-氮化物结构（InGaAlN），生长基板为蓝宝石（Al₂O₃）。因此直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《直接公开》 | 图11b-11c描述激光解离过程。 | 对比文件公开了移除包括通过激光解离进行移除。因此直接公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《直接公开》 | 图11b描述：“可通过在面积表面上扫描激光束来曝光更大的区域。” | 对比文件公开了通过激光扫描生长基板表面进行激光解离。因此直接公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 未提及蚀刻移除生长基板。 | 对比文件仅公开激光解离移除，未公开蚀刻移除。因此未公开。 |
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