**对比文件名称：** 2002-01-22_US6341084B_发明授权_US06341084B2 Magnetic random access memory circuit
**目标专利名称：** 257混合单端和差分感测的混合磁阻只读存储器(MRAM)高速缓存CN106463167B
**模型名称：** DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括混合高速缓存架构，其具有：磁阻随机存取存储器位单元阵列，其具有第一多个磁阻随机存取存储器位单元和耦合至所述第一多个磁阻随机存取存储器位单元的第二多个磁阻随机存取存储器位单元。<br>**《隐含公开》** | 说明书第3-4页：“a memory cell array having a plurality of sense lines, a plurality of word lines intersecting the plurality of sense lines, a number of magneto-resistive elements located at intersections between the plurality of sense lines and the plurality of word lines, each of the magneto-resistive elements being connected between one sense line and one word line”。（公开了具有多个磁阻元件的存储器单元阵列，这些元件排列在感测线和字线的交叉点） | 对比文件公开了一个磁阻随机存取存储器(MRAM)电路，其核心是一个包含多个磁阻元件（magneto-resistive elements）的存储器单元阵列（memory cell array）。这些元件是MRAM的存储位单元，并且通过共享的感测线和字线相互耦合连接。虽然对比文件未明确使用“高速缓存”一词，但MRAM电路作为一种随机存取存储器，其阵列结构可用于构建高速缓存架构。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，该阵列中的磁阻元件构成“第一多个”和“第二多个”位单元，并相互耦合。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B：** 以及多个感测放大器。<br>**《直接公开》** | 说明书第8页：“four differential amplifiers 332 to 335 are provided to compare between a signal from the first cell array 305 and a signal from the second cell array 308”。（提供了四个差分放大器332至335，用于比较来自第一单元阵列305和第二单元阵列308的信号） | 对比文件在多个实施例（如图5、6、7）中明确公开了使用差分放大器（differential amplifier）作为感测电路。例如，在第三实施例（图6）中，明确说明了提供多个差分放大器（332至335）来读取数据。这些差分放大器在对比文件中起到读取/感测存储在磁阻元件中的数据的作用，与目标专利中感测放大器的作用相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：** 其具有差分感测放大器和单端感测放大器。<br>**《未公开》** | 说明书第8页：“the differential amplifier 253, ... the differential amplifier 254”。（差分放大器253，... 差分放大器254） | 对比文件明确且一致地公开了使用差分感测放大器（differential amplifier）进行数据读取（例如，图5中的253、254，图6中的332-335，图7中的446、447）。然而，对比文件全文均未提及“单端感测放大器”（single-ended sense amplifier）或任何通过将单个位单元信号与固定参考信号进行比较来实现感测的电路结构。其所有感测方案均涉及两个信号的比较（如两个位单元、或一个位单元与一个参考电阻）。因此，对比文件未公开“单端感测放大器”这一技术特征。 |
| **技术特征D：** 其中所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是均匀的。<br>**《隐含公开》** | 说明书第3-4页：“a number of magneto-resistive elements located at intersections between the plurality of sense lines and the plurality of word lines”。（多个磁阻元件位于多条感测线和多条字线的交叉点处） | 对比文件描述的存储器阵列由位于感测线和字线交叉点处的“多个磁阻元件”构成。从电路图（如图3、5、6等）和文字描述可以看出，阵列中的每个存储单元（cell）都由一个基本的磁阻元件构成，这些元件在结构和连接方式上是相同且规则排列的。这种规则排列、单元结构一致的阵列，在本领域技术人员的常规理解中即是“均匀的”阵列。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E：** 其中所述多个感测放大器的配置是不均匀的。<br>**《未公开》** | 说明书第8页：“four differential amplifiers 332 to 335 are provided”。（提供了四个差分放大器332至335）<br>图5、6、7等图示显示差分放大器规则排列。 | 目标专利的“不均匀配置”特指在均匀的位单元阵列中，一部分位单元采用差分感测（连接两个位单元至一个放大器），另一部分采用单端感测（连接一个位单元至一个放大器），从而导致感测放大器所连接的位单元数量或类型不同。对比文件公开的所有感测放大器均为差分放大器，其配置方式是对称和规则的（例如，每个放大器连接一对位单元或一个位单元与一个参考电阻）。对比文件没有给出任何在同一阵列中混合使用不同类型感测放大器（差分和单端）的教导或启示，因此未公开“感测放大器配置不均匀”这一特定技术特征。 |
| **技术特征F：** 其中所述第一多个磁阻随机存取存储器位单元中的至少一个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述单端感测放大器。<br>**《未公开》** | （无相关引用） | 如特征C所述，对比文件未公开“单端感测放大器”。因此，也就不可能存在将磁阻随机存取存储器位单元耦合至单端感测放大器的技术方案。该特征未被公开。 |
| **技术特征G：** 以及其中所述第二多个磁阻随机存取存储器位单元中的至少两个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述差分感测放大器。<br>**《直接公开》** | 说明书第6-7页：“two magneto-resistive elements connected to the same word line and also connected to a pair of adjacent sense lines, respectively, are paired ... respective voltages of the two capacitors are compared to each other by use of a differential amplifier (253 or 254)”。（连接到同一条字线且分别连接到一对相邻感测线的两个磁阻元件被配对...两个电容器的各自电压通过使用差分放大器（253或254）相互比较） | 对比文件在第二实施例（图5）中明确教导：将连接到同一条字线的一对相邻磁阻元件（例如241和242）配对，并将它们分别连接到的两个电容器的电压通过一个差分放大器（253）进行比较以读取数据。这直接公开了“至少两个磁阻随机存取存储器位单元耦合至所述差分感测放大器”的技术特征。该特征在对比文件中的作用与在目标专利中相同，都是用于通过差分比较的方式感测存储数据。 |
| **技术特征H：** 其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是自旋力矩转移磁阻随机存取存储器阵列。<br>**《未公开》** | 说明书第4页：“The magneto-resistive elements 137 to 152 is formed of a tunnel type magneto-resistive element or a giant magneto-resistive effect element.”（磁阻元件137至152由隧道型磁阻元件或巨磁阻效应元件形成。） | 对比文件公开的磁阻元件可以是隧道磁阻（TMR）元件或巨磁阻（GMR）效应元件。目标专利中的“自旋力矩转移磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）”是一种特定类型的MRAM，其写入机制依赖于自旋极化电流的力矩转移。对比文件仅提及了元件的电阻类型（TMR/GMR），并未描述或暗示其使用自旋力矩转移机制进行写入。因此，该特定类型未被公开。 |
| **技术特征I：** 其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列是翻转磁阻随机存取存储器阵列。<br>**《未公开》** | （无相关引用） | “翻转磁阻随机存取存储器”是MRAM的一种类型。对比文件通篇描述的是通用的“磁阻随机存取存储器（MRAM）电路”，并未具体限定或提及“翻转（Toggle）”这一特定类型。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J：** 其特征在于，所述单端感测放大器进一步耦合至参考单元。<br>**《未公开》** | 说明书第8-9页（第三实施例）描述了使用参考电阻（reference resistors 315-318, 328-331）与存储单元的信号通过差分放大器进行比较。 | 对比文件确实公开了使用参考电阻（reference resistor）来提供参考信号。然而，如特征C所述，对比文件未公开“单端感测放大器”。其参考电阻是与差分放大器配合使用的，用于提供差分比较的一个输入端。这与目标专利中“单端感测放大器耦合至参考单元”的技术方案（即单端感测中，一个放大器的一个输入端接位单元，另一个输入端接固定的参考单元）在电路结构和感测原理上存在本质区别。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K：** 其特征在于，所述磁阻随机存取存储器位单元阵列中具有耦合至所述单端感测放大器的第一多个磁阻随机存取存储器位单元的部分慢于所述磁阻随机存取存储器位单元阵列中具有耦合至所述差分感测放大器的第二多个磁阻随机存取存储器位单元的部分。<br>**《未公开》** | （无相关引用） | 该特征限定了混合架构中不同感测方式带来的性能差异（速度差异）。对比文件仅公开了使用差分感测的方案，并未公开单端感测方案，因此也就不存在将两种感测方案用于同一阵列的不同部分并比较其速度的技术构思。该特征未被公开。 |
| **技术特征L：** 其中所述混合高速缓存架构被集成到至少一个半导体管芯中。<br>**《隐含公开》** | 说明书第1页：“The MRAM circuit is conventionally formed on a semiconductor substrate on which other circuits are formed, so that the MRAM circuit and other circuits are formed on the same substrate in a mixed condition.”（MRAM电路通常形成在半导体衬底上，其他电路也形成在该衬底上，因此MRAM电路和其他电路以混合状态形成在同一衬底上。） | 对比文件明确说明其MRAM电路形成在半导体衬底上，并且可以与其他电路集成在同一衬底上。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，这意味着该MRAM电路可以被集成到至少一个半导体管芯中。虽然目标专利特指“混合高速缓存架构”，但对比文件公开的MRAM电路作为存储器组件，其集成方式是相通的。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
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