**对比文件名称**：2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法
**目标专利名称**：负极和包括所述负极的二次电池 CN114730859B
**本次调用的模型名称**：Gemini 1.5 Pro
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：包括负极集电器<br>《直接公开》 | 【0099】“图2示出本发明实施方式的再充电式金属离子电池200。金属离子电池200具有例如金属层等的导电阳极集电体层201、第一复合阳极层203a、第二复合阳极层203b、...” | 对比文件明确公开了导电阳极集电体层201，即负极集电器，其作用与目标专利的集电器相同，均为承载活性材料层并传导电流。因此特征A被直接公开。 |
| **特征B**：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层<br>《直接公开》 | 【0099】同上，第一复合阳极层203a设置于集电体层201上。 | 对比文件记载第一复合阳极层直接形成在集电体层上，对应于目标专利的第一负极活性材料层设置在集电器上，因此特征B被直接公开。 |
| **特征C**：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层<br>《直接公开》 | 【0099】同上，第二复合阳极层203b设置于第一复合阳极层203a上。 | 对比文件公开第二复合阳极层位于第一复合阳极层之上，结构与目标专利相同，因此特征C被直接公开。 |
| **特征D**：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂<br>《直接公开》 | 【0100】“各复合阳极层203a、203b分别至少含有粘结剂和一种以上的电活性材料粒子。”以及“可以含有一个以上的额外成分，例如一个以上的非活性导电材料，例如炭黑。”<br>【0237】第一层包含94%石墨、3%VGCF、3%PVDF；<br>【0238】第二层包含70%活性硅、14%PAA、12%石墨、4%Cmix（含CNT、VGCF、炭黑）。 | 对比文件明确各层均含有活性材料和可选的导电剂，实施例中第一层含有VGCF（导电纤维），第二层含有CNT等导电剂，因此直接公开了每层包含活性材料和导电剂。故特征D被直接公开。 |
| **特征E**：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料<br>《直接公开》 | 【0107】“第一复合层优选含有石墨作为主活性成分，第二复合层优选含有硅作为主活性成分。” | 对比文件明确第二复合层的主活性成分为硅，硅属于硅基活性材料，因此特征E被直接公开。 |
| **特征F**：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)<br>《未公开》 | 【0046】“第二复合电极层的主活性成分选自硅、锡、铝、铅和锑组成的群组。”<br>【0161】提及活性材料包括“本质上由掺杂或未掺杂硅构成的材料、含有掺杂或未掺杂硅以及一种以上额外元素或化合物的复合硅系活性物质”，但未明确列举SiOx。 | 对比文件多处提及的硅活性材料均指单质硅及其合金/复合物，未公开或暗示使用SiOx（0≤x<2）。即使将“硅基活性材料”理解为上位概念，对比文件也未给出使用SiOx的教导或启示。因此特征F未公开。 |
| **特征G**：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构<br>《未公开》 | 【0220】“各复合阳极层可独立地含有一个以上的粒状非活性导电添加剂，例如碳纤维、碳纳米管、科琴黑、灯黑、乙炔黑、沥青（黑）和石墨烯。”<br>【0238】第二层的Cmix中含有碳纳米管。 | 对比文件仅提及“碳纳米管”作为导电添加剂，未描述碳纳米管的形态（单壁/多壁、束状、绳状等），更未公开由2-5000个单壁碳纳米管单元并排结合形成的特定结构。因此特征G未公开。 |
| **特征H**：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中<br>《未公开》 | 对比文件第二层组成：活性硅70份、PAA14份、SFG6 12份、Cmix 4份，其中Cmix为CNT:VGCF:EC600=5:5:2重量比。计算得CNT占第二层总重量约1.67重量%。 | 对比文件未公开特征G所述的碳纳米管结构，且即使按其CNT含量1.67%也已超出目标专利的0.01-1.0%范围。因此特征H未公开。 |
| **特征I**：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种<br>《隐含公开》 | 【0220】“各复合阳极层可独立地含有一个以上的粒状非活性导电添加剂，例如碳纤维、碳纳米管、科琴黑、...”<br>【0220】明确说明第一层可以包含碳纳米管（カーボンナノチューブ）。 | 虽然对比文件第一层实施例使用VGCF而非CNT，但其明确教导第一层可选择碳纳米管作为导电添加剂。本领域技术人员公知碳纳米管包括多壁碳纳米管单元，因此可合理推断第一导电剂可以包含多壁碳纳米管单元。故特征I被隐含公开（小写i）。 |
| **特征J**：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构<br>《未公开》 | 对比文件未描述碳纳米管结构的互连网络。 | 对比文件未公开特征G的碳纳米管结构，也未描述其形成网络；即使一般CNT可形成网络，但缺乏特定结构的关联。因此特征J未公开。 |
| **特征K**：其中在所述碳纳米管结构中<br>《未公开》 | 无直接对应内容。 | 该特征为引出后续限定的前置语句，但对比文件未公开碳纳米管结构，故特征K未公开。 |
| **特征L**：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合<br>《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件未记载单壁碳纳米管单元平行结合的状态，因此特征L未公开。 |
| **特征M**：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm<br>《未公开》 | 对比文件未给出碳纳米管结构的平均长度。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的尺寸参数，特征M未公开。 |
| **特征N**：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm<br>《未公开》 | 同上。 | 特征N是M的子范围，同样未公开。 |
| **特征O**：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm<br>《未公开》 | 对比文件未给出碳纳米管结构的平均直径。 | 特征O未公开。 |
| **特征P**：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm<br>《未公开》 | 同上。 | 特征P未公开。 |
| **特征Q**：其中在所述碳纳米管结构中<br>《未公开》 | 无直接对应内容。 | 与特征K类似，因无碳纳米管结构基础，特征Q未公开。 |
| **特征R**：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm<br>《未公开》 | 对比文件未提及单壁碳纳米管单元及其直径。 | 特征R未公开。 |
| **特征S**：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构<br>《未公开》 | 对比文件无相关描述。 | 特征S对结合数量进行限定，对比文件未公开任何数量的类似结构，因此未公开。 |
| **特征T**：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《直接公开》 | 【0157】“第一复合电极层203a的厚度优选在大约20μm～40μm的范围内。” | 对比文件公开了第一层厚度20-40μm，该范围落在目标专利的1-100μm范围内，因此特征T被直接公开。 |
| **特征U**：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《直接公开》 | 【0157】“第二复合电极层203b的厚度优选在5μm～20μm的范围内。” | 对比文件公开了第二层厚度5-20μm，该范围落在目标专利的1-100μm范围内，因此特征U被直接公开。 |
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