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2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
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2013-04-25_JP2013077391A_发明专利_JP2013077391A Negative electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery including the negative electrode for lithium ion secondary battery_+++A_B_C_T_U_d+++.docx
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2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2014-01-09_JP2014003015A_发明专利_JP2014003015A Pole piece structure of lithium ion battery anode_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2014-05-07_GB2507535A_发明专利_GB2507535A Multilayer electrode for metal ion battery_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-01-19_JP2015011959A_发明专利_JP2015011959A リチウムイオン二次電池_+++A_B_C_D_E_F_i+++.docx
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2015-01-29_JP2015018663A_发明专利_JP2015018663A リチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池_+++A_B_C_E_F+++.docx
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2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-09_EP2915204A_发明公开_EP2915204A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-12-24_JP2015537347A_发明专利_JP2015537347A デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_I_T_U+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
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2017-09-25_KR1020170107213A_发明公开_KR1020170107213A 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-08-09_JP2018125077A_发明专利_JP2018125077A リチウムイオン二次電池用負極_+++A_B_C_E_F_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
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2021-08-02_None_发明专利_JPWO2020021763A1 非水電解質二次電池用負極および非水電解質二次電池_+++A_B_C_I+++.docx
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WO2020021763A1_Description_20260618_2342_+++A_B_C_I_T_U+++.docx
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2021-08-02_None_发明专利_JPWO2020021763A1 非水電解質二次電池用負極および非水電解質二次電池_+++A_B_C_I+++.docx

对比文件名称:2021-08-02_None_发明专利_JPWO2020021763A1 非水電解質二次電池用負極および非水電解質二次電池

目标专利名称:1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B

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### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:包括负极集电器《直接公开》段落[0019]:“負極20は、負極集電体30と、負極集電体30上に形成された負極合材層31とを備える。”(负极20包括负极集电体30和形成在负极集电体30上的负混合材层31)。对比文件明确公开了负极包括负极集电体(集电器),与技术特征A完全相同。
技术特征B:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层《直接公开》段落[0020]:“負極合材層31は、負極集電体30上に形成された第1層32と、第1層32上に形成された第2層33とで構成される二層構造を有する。”(负混合材层31具有由形成在负极集电体30上的第1层32和形成在第1层32上的第2层33构成的双层结构)。对比文件公开了第1层32(相当于第一负极活性材料层)直接形成在负极集电体上,公开了技术特征B。
技术特征C:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层《直接公开》同上段落[0020];第2层33形成在第1层32上。对比文件公开了第2层33(相当于第二负极活性材料层)形成在第1层32上,公开了技术特征C。
技术特征D:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂《未公开》第一层组成:段落[0033]说明第1层包含第1炭素系活物質、Si系活物質、ポリアクリル酸またはその塩、および繊維状炭素(导电剂);实施例[0049]具体使用黑鉛A、SiOx、PAA、CMC、CNT(纤维状碳)。第二层组成:段落[0020]说明第2层包含第2炭素系活物質;段落[0041]明确“第2層33は、繊維状炭素の含有率が第1層32より低い層、または繊維状炭素を実質的に含まない層である。”(第2层是纤维状碳含量比第1层低的层,或者实质上不含纤维状碳的层);实施例[0049]第二层仅含黑鉛B、CMC、SBR,无机繊維状炭素。对比文件公开了第一层包括第一负极活性材料(黑鉛A等)和第一导电剂(纤维状碳/CNT),但第二层不包括任何导电剂(第二导电剂),因此特征D中“第二负极活性材料层包括第二导电剂”未被公开。整体特征D未公开。
技术特征E:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料《未公开》段落[0020]:“第2層33は、Si系活物質の含有率が第1層32より低い層、またはSi系活物質を実質的に含まない層である。”(第2层是Si系活物质含量比第1层低的层,或者实质上不含Si系活物质的层);实施例[0049]第二层仅含黑鉛B。对比文件明确第二层不含或仅含少量Si系活物质,且实施例中第二层无硅基活性材料,因此第二层不包括硅基活性材料,特征E未公开。
技术特征F:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)《未公开》第一层包含:段落[0034]:“Si系活物質は、好ましくはSiOx(0.5≦x≦1.5)で表される化合物である。”(Si系活物质优选为以SiOx(0.5≤x≤1.5)表示的化合物);实施例[0049]第一层使用SiOx(x=0.94)。对比文件第一层含有SiOx,但特征F要求第二负极活性材料层(即第二层)的硅基活性材料包含SiOx,而第二层不含任何硅基活性材料,因此特征F未公开。
技术特征G:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构《未公开》全文无“碳纳米管结构”(単層カーボンナノチューブが並列結合したロープ構造)的记载;纤维状碳(CNT)的描述(段落[0042])未限定特定结构。对比文件未公开任何关于“碳纳米管结构”(特定束状结构)的内容,更未公开其称为第二导电剂。特征G未公开。
技术特征H:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中《未公开》对比文件第二层不含碳纳米管结构,亦未提及该含量。特征H要求第二负极活性材料层中包含特定含量的碳纳米管结构,对比文件既无该结构也无该含量,未公开。
技术特征I:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种《直接公开》第一层使用纤维状炭作为导电剂。段落[0042]:“CNTは、単層CNTだけでなく、2層CNT、複層CNT、およびこれらの混合物であってもよい。”(CNT不仅可以是单层CNT,也可以是双层CNT、多层CNT以及它们的混合物)。实施例[0049]第一层包含CNT。对比文件明确第一导电剂为纤维状碳(CNT),并且明确CNT包括多层CNT(即多壁碳纳米管单元)。因此第一导电剂包含了多壁碳纳米管单元,满足特征I中“至少一种”的要求,特征I直接被公开。
技术特征J:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构《未公开》对比文件第二层无碳纳米管结构,亦无任何关于网络结构的描述。特征J基于碳纳米管结构存在,对比文件未公开该结构,因此未公开。
技术特征K:其中在所述碳纳米管结构中《未公开》对比文件无碳纳米管结构的任何描述。特征K是特征L的前序,未公开。
技术特征L:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合《未公开》对比文件未提及单壁碳纳米管单元的结合方式。特征L具体描述碳纳米管结构的内部排列,对比文件未公开。
技术特征M:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm《未公开》对比文件[0042]给出纤维状碳(含CNT)的总长范围0.03μm~500μm,但该长度针对的是纤维状碳本身,而非特定“碳纳米管结构”的平均长度,且未限定为平均长度。特征M针对碳纳米管结构的平均长度,对比文件未公开该结构,也未公开其平均长度参数。
技术特征N:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm《未公开》同特征M。特征N是更窄范围,未公开。
技术特征O:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm《未公开》对比文件[0042]纤维状碳直径范围2nm~20μm,非特定碳纳米管结构的平均直径。特征O未公开。
技术特征P:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm《未公开》同特征O。特征P未公开。
技术特征Q:其中在所述碳纳米管结构中《未公开》同特征K,无碳纳米管结构。特征Q未公开。
技术特征R:所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm《未公开》对比文件未指定单壁碳纳米管,更未给出其平均直径范围。特征R未公开。
技术特征S:其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构,也未结合单元数量。特征S未公开。
技术特征T:其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《未公开》段落[0025]:“負極合材層31の厚みは、負極集電体30の片側で、例えば30μm~100μm、または50μm~80μmである。”(负混合材层31的厚度在集电体单侧为30μm~100μm,或50μm~80μm)。仅给出总厚度,未单独限定第一层厚度。对比文件虽给出双层总厚度范围,但没有公开第一层单独的厚度数值范围,本领域技术人员不能毫无疑义地确定第一层厚度必然在1μm~100μm内,因此特征T未公开(包括直接和隐含均未公开)。
技术特征U:其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《未公开》同特征T,对比文件仅公开总厚度。同样,第二层厚度范围未公开。

### 公开性总结

- 直接公开的技术特征:A、B、C、I。

- 隐含公开的技术特征:无。

- 其他技术特征(D、E、F、G、H、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T、U)未被对比文件直接或隐含公开。

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