**对比文件名称**：KR1020170107213A – 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지 (锂二次电池用多层电极、其制造方法及包含该电极的锂二次电池)
**目标专利名称**：CN114730859B – 负极和包括所述负极的二次电池
**模型名称**：GPT-4 (为符合题目设定，此处假定为专利评估专用模型)
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，并注明段落号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括负极集电器 — 《直接公开》** | [0033] “如图1所示，本发明涉及的...包括电极集电器10上形成的多层活性物质层20”。<br>[0034] “电极集电器是...作为例子，可以使用铜、不锈钢、铝、镍、钛、烧制碳等”。 | 对比文件明确公开了电极集电器（即负极集电器），且其作用与目标专利相同，均为承载活性物质层的导电基体。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征已经公开。 |
| **技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层 — 《直接公开》** | [0033] “...包括电极集电器10上形成的多层活性物质层20。所述多层活性物质层20是具有碳类活性物质层和非碳类活性物质层交替层叠的结构，可以是三层以上”。<br>[0053] “2) 将所述第1碳类活性物质层用浆料组合物涂覆在电极集电器上并进行压延，形成第1碳类活性物质层22”。 | 对比文件中的第1碳类活性物质层22直接形成在集电器上，对应于目标专利的第一负极活性材料层（碳基材料）。该特征在结构和制备方法中均直接公开。 |
| **技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层 — 《直接公开》** | [0033] “...包括电极集电器10上形成的多层活性物质层20”。<br>[0035] “...如图1所示，第1碳类活性物质层22、非碳类活性物质层24、及第2碳类活性物质层26依次层叠”。<br>[0054] “3) 在所述第1碳类活性物质层22上涂覆非碳类活性物质层用浆料组合物并进行压延，形成非碳类活性物质层24”。 | 对比文件中的非碳类活性物质层24形成在第1碳类活性物质层22上，该非碳层含有硅基活性材料，对应于目标专利的第二负极活性材料层。尽管对比文件还有第2碳类层，但“设置在第一层上的第二层”这一结构已被直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂 — 《直接公开》** | [0045] “另外，本发明的多层电极100的某一层为了进一步提高电极活性物质的导电性，包含导电剂”。<br>[0046] “...非碳类活性物质层中，可以集中导电剂的含量，改善导电网络”。<br>[0099] 实施例1：第1碳类活性物质层中使用碳黑（导电剂）。<br>[0100] 实施例1：非碳类活性物质层中使用碳纳米管（CNT）（导电剂）。 | 对比文件公开了每一层独立包含导电剂：第一碳基层包含第一导电剂（如炭黑），非碳基层包含第二导电剂（如CNT）。这与目标专利的D特征完全对应。 |
| **技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料 — 《直接公开》** | [0042] “所述非碳类活性物质层的活性物质只要是能够与锂形成合金的材料，就没有特别限制。具体地，可以是Si、SiOx(0<x<2)等金属或半金属；...或者它们的混合物”。 | 对比文件明确公开非碳类活性物质层（即第二负极活性材料层）包含硅基活性材料（Si、SiOx）。 |
| **技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2) — 《直接公开》** | [0042] “...SiOx(0<x<2)...” | 对比文件直接公开了SiOx(0<x<2)。目标专利的x范围包括0（即Si），但对比文件x>0，但Si也属于硅基活性材料且包含在对比文件描述中（Si）。因此本领域技术人员能识别SiOx(0≤x<2)已被实质公开（x=0时对应Si，对比文件也公开了Si）。 |
| **技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构 — 未公开** | 无相关公开内容。对比文件仅泛泛提到“碳纳米管(CNT)”（[0045]、[0100]），但未指定是单壁还是多壁，更未涉及“2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合”的特定结构。 | 对比文件虽使用了CNT，但其并未公开任何关于碳纳米管的具体形态、单元数量、结合方式等结构特征。目标专利所限定的特殊绳状碳纳米管结构是对比文件无法直接且毫无疑义地得出的。本领域技术人员从对比文件记载的内容不能合理推断出该特殊结构。 |
| **技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中 — 未公开** | [0047] “此时，导电剂的含量在本发明中没有特别限制，但相对于100重量份的总负极活性物质，使用1至50重量份的范围”。<br>[0100] 实施例1中非碳类活性物质层中CNT含量为10重量份（相对于80份Si和10份粘合剂，比例远大于1.0%）。 | 对比文件公开的导电剂含量范围（1-50重量份/100份活性物质）换算后约为0.99%至33%，且实施例中含量约10%，均远高于目标专利的0.01%-1.0%。对比文件未公开如此低的含量，也未指定碳纳米管结构的特定含量。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种 — 《隐含公开》** | [0045] “导电性纤维：碳纳米管(CNT)、碳纳米纤维(CNF)等”。 | 对比文件在第一导电剂的可能选项中明确包含“碳纳米管(CNT)”，而碳纳米管这一上位概念包含多壁碳纳米管单元（本领域公知）。尽管对比文件未明确“多壁碳纳米管单元”或“碳纳米管结构”，但本领域技术人员可以合理推断出CNT包括多壁碳纳米管单元，因此该特征被隐含公开（至少针对多壁碳纳米管单元）。 |
| **技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构 — 未公开** | [0037] “...通过提高非碳类活性物质层24中导电剂的含量，可以改善硅电极的导电网络”。<br>[0046] “...即使硅粒子因充放电而碎裂，由于非碳类活性物质层中分布了大量导电剂，仍能维持导电结构”。 | 对比文件仅提及导电剂（包括CNT）在非碳层中形成导电网络，但未限定导电剂必须是目标专利定义的”碳纳米管结构”（即2-5000个SWCNT单元并排结合的绳状结构）。该网络由普通CNT形成，与目标专利特定结构的网络不同。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中 — 未公开** | 无相关公开内容。 | 由于对比文件未公开任何形式的“碳纳米管结构”，该引用特征无法建立，因而未公开。 |
| **技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合 — 未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及单壁碳纳米管单元，更未涉及其布置方式。因此未公开。 |
| **技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm — 未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的任何尺寸参数。 |
| **技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm — 未公开** | 无相关公开内容。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm — 未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开碳纳米管结构的直径范围。 |
| **技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm — 未公开** | 无相关公开内容。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中 — 未公开** | 无相关公开内容。 | 同K，由于对比文件无碳纳米管结构，未公开。 |
| **技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm — 未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开单壁碳纳米管单元，更未涉及其直径。 |
| **技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构 — 未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开碳纳米管结构中单壁碳纳米管单元的数目范围。 |
| **技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm — 《直接公开》** | [0040] “第1及第2碳类活性物质层22,26的厚度在本发明中没有特别限制，为1至100 μm，优选为15至50 μm”。 | 对比文件直接公开了第一碳类活性物质层（对应于第一负极活性材料层）的厚度范围为1-100μm，与目标专利完全一致。 |
| **技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm — 《直接公开》** | [0044] “非碳类活性物质层24的厚度在本发明中没有特别限制，为1至100 μm，优选为5至60 μm”。 | 对比文件直接公开了非碳类活性物质层（对应于第二负极活性材料层）的厚度范围为1-100μm，与目标专利完全一致。 |
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