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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2013-04-25_JP2013077391A_发明专利_JP2013077391A Negative electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery including the negative electrode for lithium ion secondary battery_+++A_B_C_T_U_d+++.docx
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2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2014-01-09_JP2014003015A_发明专利_JP2014003015A Pole piece structure of lithium ion battery anode_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2014-05-07_GB2507535A_发明专利_GB2507535A Multilayer electrode for metal ion battery_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-01-19_JP2015011959A_发明专利_JP2015011959A リチウムイオン二次電池_+++A_B_C_D_E_F_i+++.docx
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2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-09_EP2915204A_发明公开_EP2915204A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-07_KR101558647B_发明授权_KR101558647B1 SiOx―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법_+++A_B_F_d_e_h_i_j_l_r+++.docx
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2015-12-24_JP2015537347A_发明专利_JP2015537347A デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_I_T_U+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
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2017-09-25_KR1020170107213A_发明公开_KR1020170107213A 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2017-10-12_KR1020170113250A_发明公开_KR1020170113250A 도전재 분산액 및 이를 이용하여 제조한 이차전지_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_a_b_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s+++.docx
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2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx

**对比文件名称**:2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION

**目标专利名称**:1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B

**本次调用的模型名称**:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
特征A:包括负极集电器《直接公开》[0014] “多层电极依次包括导电层、第一复合电极层和第二复合电极层”;[0045] “导电阳极集流体层201”。对比文件明确公开了导电层作为集电器,与目标专利的“负极集电器”作用相同,均用于支撑活性材料层并导电。
特征B:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层《直接公开》[0014] “第一复合电极层设置在导电层上”;[0045] “第一复合阳极层203a”。对比文件公开了第一复合电极层直接形成于导电层(集电器)上,对应于目标专利的第一负极活性材料层。
特征C:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层《直接公开》[0014] “第二复合电极层设置在第一复合电极层上”;[0045] “第二复合阳极层203b”。对比文件公开了第二复合电极层形成于第一复合电极层之上,对应于目标专利的第二负极活性材料层。
特征D:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂《直接公开》[0046] “每个复合阳极层至少含有粘合剂和一种或多种电活性材料的颗粒,还可以包含一种或多种非活性导电材料颗粒,例如炭黑”;[0034] “一个或多个复合电极层还包含导电颗粒添加剂”。实施例[0173]中第一层包含VGCF(导电剂),[0174]中第二层包含Cmix(碳纳米管、VGCF、炭黑)。对比文件明确教导各复合层均可包含导电添加剂,且具体实施例中第一层和第二层均含有导电剂,因此直接公开了第一层和第二层分别包含第一导电剂和第二导电剂。
特征E:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料《直接公开》[0024] “掺杂或未掺杂的硅是第二复合电极层的主要活性成分”;[0048] “第二复合层主要活性成分为硅”。对比文件明确第二层的活性材料为硅,属于硅基活性材料,与目标专利的定位一致。
特征F:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)对比文件未提及SiOx,[0024]和[0030]仅描述“掺杂或未掺杂的硅”。对比文件未公开任何形式的氧化硅(SiOx),本领域技术人员不能从硅直接推导出SiOx,且对比文件未给出任何启示。不满足直接或隐含公开。
特征G:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构[0034] “导电颗粒添加剂包括碳纳米管”;[0157] “碳纳米管”;实施例[0174]第二层使用“碳纳米管”。但未提及单壁/多壁、未描述单元并排结合的结构。对比文件仅笼统提及碳纳米管,未具体涉及单壁碳纳米管单元以及并排结合形成特定结构(rope)的定义,更未限定数量范围。因此未公开特征G的内容。
特征H:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中实施例[0174]第二层中碳纳米管含量约1.67重量%(Cmix 4份中碳纳米管占5/12,相对于总固体份100%),超出0.01-1.0%上限。其他实施例未提供具体含量。对比文件未公开该特定的含量范围,且实施例含量超出上限,本领域技术人员无法直接或合理推断出该范围。不公开。
特征I:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种《隐含公开》[0034] “一个或多个复合电极层还包含导电颗粒添加剂,例如碳纳米管”;[0157] “每个复合阳极层可独立包含碳纳米管”。实施例第一层使用VGCF,但可选地可使用碳纳米管。对比文件教导任何复合层均可包含碳纳米管作为导电添加剂,本领域技术人员容易想到第一层也可以使用碳纳米管。碳纳米管通常包括多壁碳纳米管单元(更常见),因此隐含公开了第一导电剂包含多壁碳纳米管单元。由于特征I为“至少一种”,多壁碳纳米管单元的隐含公开即可满足。
特征J:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构对比文件未描述碳纳米管在层中的分布形态。仅在[0033]提及粘合层可含导电碳,但未涉及网络结构。对比文件没有公开或暗示碳纳米管形成互连网络,本领域技术人员不能直接或必然得出该结构。不公开。
特征K:其中在所述碳纳米管结构中(过渡性特征)对比文件未定义“碳纳米管结构”的具体形态。由于基础特征G未公开,此过渡特征也无从依托,不公开。
特征L:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合对比文件无相关内容。对比文件未给出任何关于单壁碳纳米管单元排列方式的教导。不公开。
特征M:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm对比文件无相关数据。对比文件未涉及碳纳米管结构或碳纳米管的平均长度范围。不公开。
特征N:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm同特征M。不公开。
特征O:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm对比文件无相关数据。对比文件未涉及碳纳米管结构直径范围。不公开。
特征P:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm同特征O。不公开。
特征Q:其中在所述碳纳米管结构中(同特征K)同特征K。不公开。
特征R:所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm对比文件无相关数据。对比文件未涉及单壁碳纳米管单元的直径。不公开。
特征S:其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构对比文件无相关描述。对比文件未定义碳纳米管结构的具体结合单元数量。不公开。
特征T:其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《直接公开》[0094] “第一复合电极层的厚度优选在约20-40微米范围内”。对比文件公开了第一层厚度20-40μm,该数值范围完全落入1-100μm之内,因此直接公开了该厚度范围特征。
特征U:其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm《直接公开》[0094] “第二复合电极层的厚度优选在5-20微米范围内”。对比文件公开了第二层厚度5-20μm,该数值范围完全落入1-100μm之内,因此直接公开了该厚度范围特征。

**公开性代码汇总**(根据输出格式要求,在结尾插入):

直接公开:A、B、C、D、E、T、U

隐含公开:I

故结尾代码为:<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<T>>><<<U>>><<<i>>>

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