**对比文件名称**：2018-08-02_US2018219212A1_发明申请_US20180219212A1 POSITIVE ELECTRODE FOR SECONDARY BATTERY AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME
**目标专利名称**：CN114730859B“负极和包括所述负极的二次电池”
**本次调用的模型名称**：AI语言模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括负极集电器**<br>**《直接公开》** | 对比文件[0171]段落记载：“将石墨作为负极活性材料、炭黑作为导电材料、SBR作为粘合剂、CMC作为增稠剂在水中混合以制备用于制造负极的组合物，并将该组合物涂覆在Cu集电器上，从而完成负极的制造。” | 对比文件明确公开了在铜（Cu）集电器上制备负极，该集电器即为负极集电器。本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定该技术特征。 |
| **技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层**<br>**《直接公开》** | 同上[0171]段落：将负极组合物涂覆在Cu集电器上形成负极。 | 对比文件公开了负极活性材料层直接设置在Cu集电器上，该层可以作为第一负极活性材料层（尽管未标号“第一”，但结构上即相当于第一层）。因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征C：设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件仅形成单层负极活性材料层，完全没有公开在第一层上再设置第二层的内容，也未暗示任何双层结构。 |
| **技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂**<br>**《不公开》** | 对比文件[0171]的负极层包含石墨（第一活性材料）和炭黑（第一导电剂），但没有第二活性材料层及第二导电剂的任何教导。 | 对比文件仅公开了单一负极层中的成分（相当于第一层部分），但未公开第二层及其组分，因此该特征整体未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件中的负极活性材料仅为石墨，未涉及任何硅基活性材料，更未提及第二层。 |
| **技术特征F：所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件完全没有提到SiOx或硅氧化合物。 |
| **技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构**<br>**《不公开》** | 对比文件[0024]定义束型碳纳米管为多个碳纳米管单元平行排列；[0053]提及可用单壁碳纳米管。但未限定单元数量为2~5000，也未用于第二负极导电剂。 | 对比文件虽然公开了束型（bundle-type）碳纳米管的结构（单元平行排列），但并未公开该结构由2-5000个单壁单元组成的具体数量范围，且仅用于正极导电剂，未指明可用于负极第二导电剂，因此无法直接或隐含得出本特征。 |
| **技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中**<br>**《不公开》** | 对比文件[0145]正极中碳纳米管含量约0.4wt%，但无负极第二层相关信息。 | 对比文件未公开第二负极活性材料层，也未提供碳纳米管结构在该层中的重量百分比。 |
| **技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种**<br>**《不公开》** | 对比文件[0171]中负极第一导电剂为炭黑，而非碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元。 | 对比文件明确使用炭黑作为导电剂，未提及第一导电剂包含碳纳米管结构或多壁单元。 |
| **技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开第二负极活性材料层，也未描述碳纳米管结构形成网络。 |
| **技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中**<br>**《直接公开》** | 对比文件[0024]：“术语‘束型’是指多个碳纳米管束，即碳纳米管单元，彼此平行排列……或二次形式如螺旋卷绕束形式或绳形式。” | 对比文件明确界定了束型（即本申请的碳纳米管结构）的形式，因此公开了“在碳纳米管结构中”这一前序。 |
| **技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合**<br>**《直接公开》** | 同上[0024]：束型碳纳米管的定义即为“多个碳纳米管单元彼此平行排列使得单元的长轴基本在同一方向上”。 | 对比文件对束型的定义直接描述了各单元的长轴彼此平行布置并结合，这与本特征完全一致。 |
| **技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm**<br>**《不公开》** | 对比文件[0056]公开碳纳米管单元长度0.5~200μm，但未公开碳纳米管结构（束型）的平均长度。 | 对比文件未提供碳纳米管结构（束）的长度范围，本领域技术人员不能直接或隐含地确定其平均长度。 |
| **技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何结构长度值，更未限定2~50μm。 |
| **技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm**<br>**《不公开》** | 对比文件[0055]公开碳纳米管单元平均直径≤15nm，未涉及结构直径。 | 对比文件未提供碳纳米管结构（束）的平均直径范围。 |
| **技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未公开结构直径。 |
| **技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中**<br>**《直接公开》** | 同特征K，对比文件[0024]明确束型碳纳米管结构。 | 理由同特征K。 |
| **技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm**<br>**《隐含公开》** | 对比文件[0055]：“碳纳米管单元的平均直径可以为15nm或更小，更具体为1nm至15nm”；[0053]指出单元可以是单壁碳纳米管。 | 单壁碳纳米管单元直径通常小于2nm，对比文件公开的直径范围为1~15nm，完全涵盖0.5~10nm。本领域技术人员可合理推断单壁碳纳米管单元的平均直径必然落在该区间内，因此隐含公开。 |
| **技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未限定束型碳纳米管中单元的具体数量（未提及2~50）。 |
| **技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm**<br>**《不公开》** | 对比文件未公开第一负极活性材料层的厚度。 | 对比文件未提及任何厚度数值。 |
| **技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm**<br>**《不公开》** | 无相关内容。 | 对比文件不存在第二层，无从谈及厚度。 |
## 公开性代码
根据以上判断，对比文件直接公开的技术特征有：A、B、K、L、Q；隐含公开的技术特征有：R。因此，在回答结尾插入以下代码：
<<<A>>><<<B>>><<<K>>><<<L>>><<<Q>>><<<r>>>