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对比文件列表
2001-04-13_JP2001102696A_发明专利_JP2001102696A Wiring board and manufacturing method therefor_+++A_B_C_D_E_J_M_N_O_Y_Z_k_l+++.docx
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2004-07-08_JP2004193168A_发明专利_JP2004193168A Wiring board and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_J_M_N_O_Y_Z_f_g_h_i_k_l_p+++.docx
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2004-08-12_US2004154930A_发明申请_US20040154930A1 Copper foil for high frequency circuit and method of production of same_+++B_C_D_e+++.docx
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2004-08-19_KR1020040073387A_发明公开_KR1020040073387A 고주파 용도 대응 가능 구리박 및 그의 제조 방법_+++B_c_d+++.docx
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2004-11-18_US2004229024A_发明申请_US20040229024A1 Multi-layer printed circuit board and method for manufacturing the same_+++A_B_C_D_e+++.docx
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2005-07-06_JP3669284B_发明专利_JP3669284B2 ink cartridge_+++B_C_D_E_a+++.docx
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2007-04-16_TW200715919A_发明专利_TW200715919A 二層軟性電路板 DUAL-LAYERED FLEXIBLE CIRCUIT BOARD_+++A_B_C_D_R_S_T_U_V_W_e_j_m_n_o_x+++.docx
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2008-03-05_KR1020080020077A_发明公开_KR1020080020077A 고밀도 인쇄회로기판 및 그 제조 방법_+++A_B_C_D_R_T_U_V_e_m_n_o_x+++.docx
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2009-05-19_US7535095B_发明授权_US07535095B1 Printed wiring board and method for producing the same_+++A_B_C_D_E_R_S_T_U_V_W_X+++.docx
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2010-06-11_KR1020100063526A_发明公开_KR1020100063526A 인쇄회로기판 제조방법_+++A_B_C_D_E_R_S_T_U_V_W_X_j_m_n_o+++.docx
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2012-06-21_US2012152594A_发明申请_US20120152594A1 REDUCED CIRCUIT TRACE ROUGHNESS FOR IMPROVED SIGNAL PERFORMANCE_+++A_B_C_D_E_J_K_f_h_i_p+++.docx
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2013-10-29_US8568856B_发明授权_US08568856B2 Two-layer flexible substrate_+++A_B_R_S_T_U_V_W_c_d_e_x+++.docx
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2014-05-19_JP2014093355A_发明专利_JP2014093355A Method for manufacturing printed-wiring board_+++A_B_C_D_R_S_T_U_e_j_m_n_o_v_w_x+++.docx
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2014-07-03_US2014186651A_发明申请_US20140186651A1 PRINTED CIRCUIT BOARD HAVING COPPER PLATED LAYER WITH ROUGHNESS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME_+++A_B_C_D_F_K_P_R_S_T_U_V_e_h_i_j_m_n_o_w_x+++.docx
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2014-07-08_KR1020140086523A_发明公开_KR1020140086523A 조도가 형성된 동도금층을 구비한 인쇄회로기판 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_E_F_H_I_K_P_R_S_T_U_V_W_j_m_n_o_x+++.docx
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2015-01-15_JP2015008260A_发明专利_JP2015008260A 高周波用プリント配線板_+++A_B_C_D_e+++.docx
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2015-01-15_US2015014027A_发明申请_US20150014027A1 WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_K_P_Z_j_m_n_o+++.docx
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2016-08-08_KR1020160093403A_发明公开_KR1020160093403A 전자파차폐구조물_+++A_b_c_d_e_k_r_s_t_u_v_w_x+++.docx
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2016-12-06_US9516765B_发明授权_US09516765B2 Method for producing printed wiring board_+++A_B_C_D_E_R_S_T_U_V_W_X+++.docx
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2017-05-04_US2017127519A_发明申请_US20170127519A1 CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME_+++A_B_C_D_E_J_M_N_O_R_S_T_U_V_W_X_Z_y+++.docx
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2017-09-22_KR1020170107040A_发明公开_KR1020170107040A 조면화 처리 구리박 및 프린트 배선판_+++A_B_C_D_E_J_M_N_O+++.docx
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2017-10-19_JP2017191894A_发明专利_JP2017191894A プリント配線基板及びその製造方法_+++A_B_C_D_R_S_T_U_e_v_w_x+++.docx
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2017-10-19_US2017303394A_发明申请_US20170303394A1 PRINTED WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_H_P_R_S_T_U_V_W_X_j_m_n_o+++.docx
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2017-11-28_US9832914B_发明授权_US09832914B2 Structure for shielding electronomagnetic waves_+++b_c_d+++.docx
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2018-01-18_JP2018010931A_发明专利_JP2018010931A 配線基板及びその製造方法_+++A_B_C_D_E_K_f_h_i_j_m_n_o+++.docx
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US10170405B2_Description_20260619_1134_+++A_B_C_D_E_J_K_L_M_N_O_f_h_i_p+++.docx
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2009-05-19_US7535095B_发明授权_US07535095B1 Printed wiring board and method for producing the same_+++A_B_C_D_E_R_S_T_U_V_W_X+++.docx

**对比文件名称**:2009-05-19_US7535095B_发明授权_US07535095B1 Printed wiring board and method for producing the same

**目标专利名称**:1558印刷电路板CN113243145B

**本次模型调用**:gpt-4o

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括<br>《直接公开》段落[0042]:“本发明第一组涉及一种多层印刷电路板,包括基板、形成在所述基板上的树脂绝缘层以及构建在所述树脂绝缘层上的导体电路。”对比文件明确公开了印刷电路板包括树脂绝缘层和导体电路,即目标专利的绝缘层和电路图案。因此,特征A被直接公开。
技术特征B:绝缘层<br>《直接公开》同上段落[0042]:“树脂绝缘层”。对比文件直接公开了树脂绝缘层,作为印刷电路板的必要组成部分。因此,特征B被直接公开。
技术特征C:电路图案<br>《直接公开》同上段落[0042]:“导体电路”(即电路图案)。对比文件直接公开了导体电路,对应于目标专利的电路图案。因此,特征C被直接公开。
技术特征D:所述电路图案设置在所述绝缘层上<br>《直接公开》同上段落[0042]:“构建在所述树脂绝缘层上的导体电路”。对比文件明确说明导体电路构建在树脂绝缘层上,即电路图案设置在绝缘层上。因此,特征D被直接公开。
技术特征E:其中,所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面<br>《隐含公开》段落[0276]:“上述金属层形成在导体电路的上表面或者上表面和侧表面上。”<br>段落[0852](步骤8):“在导体电路的整个表面上形成Cu‑Ni‑P合金的粗糙层”。对比文件明确公开了导体电路的上表面和侧表面(包括第一和第二侧表面),但未明确提及下表面。然而,本领域技术人员可以毫无疑义地认识到,设置在绝缘层上的导体电路必然具有与绝缘层接触的下表面。因此,特征E被隐含公开。
技术特征F:所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下<br>《未公开》无相关内容。对比文件仅公开了绝缘层的Ra≤1μm(段落[0078]),未涉及电路图案表面的Ra值。对比文件没有任何关于电路图案表面粗糙度Ra数值的记载,更未提及0.31μm以下的特定范围。因此,特征F未被公开。
技术特征G:其中,在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度<br>《未公开》无相关内容。对比文件未涉及电路图案不同表面的长度比较与粗糙度的关联性。因此,特征G未被公开。
技术特征H:其中,所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下<br>《未公开》无相关内容。对比文件无任何关于Ra≤0.17μm的记载。因此,特征H未被公开。
技术特征I:其中,所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm<br>《未公开》无相关内容。对比文件无任何关于Ra为0.1‑0.13μm的记载。因此,特征I未被公开。
技术特征J:其中,所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同<br>《未公开》无相关内容。对比文件未讨论横截面中各表面长度的比较。因此,特征J未被公开。
技术特征K:其中,所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同<br>《未公开》无相关内容。对比文件未涉及不同表面之间粗糙度的比较或差异。因此,特征K未被公开。
技术特征L:其中,所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个;并且中,所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)<br>《未公开》无相关内容。对比文件未公开长度与粗糙度的特定关系。因此,特征L未被公开。
技术特征M:其中,所述上表面的长度是所述上表面的宽度<br>《未公开》无相关内容。对比文件未定义上表面长度与宽度的关系。虽然本领域技术人员可理解在宽度方向横截面中上表面长度对应宽度,但对比文件未给出任何教导或暗示。因此,特征M未被公开。
技术特征N:其中,所述下表面的长度是所述下表面的宽度<br>《未公开》无相关内容。同特征M,对比文件未涉及。因此,特征N未被公开。
技术特征O:所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度<br>《未公开》无相关内容。对比文件未定义侧表面长度与高度的关系。因此,特征O未被公开。
技术特征P:其中,所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下<br>《未公开》无相关内容。对比文件未公开任何Rq值。因此,特征P未被公开。
技术特征Q:其中,所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下<br>《未公开》无相关内容。对比文件未涉及电路图案的阻抗数值。因此,特征Q未被公开。
技术特征R:其中,所述电路图案包括:电镀种子层<br>《直接公开》段落[0700]步骤(12):“然后,像步骤(1)一样进行化学镀,形成0.7μm厚的化学镀铜膜14。”<br>段落[0700]步骤(14):“电镀形成15μm厚的电镀铜膜15。”<br>段落[0784]步骤(9):“使用Ni‑Cu合金靶进行溅射,形成0.2μm厚的Ni‑Cu合金层112在聚烯烃树脂绝缘层102的表面上。”对比文件多处公开了用于电镀的导电薄层(电镀种子层),例如化学镀铜膜或溅射的Ni‑Cu合金层。这些层在后续电镀中作为导电路径,其功能与目标专利的电镀种子层相同。因此,特征R被直接公开。
技术特征S:所述电镀种子层设置在所述绝缘层上<br>《直接公开》段落[0784]步骤(9):“形成Ni‑Cu合金层112在聚烯烃树脂绝缘层102的表面上。”该实施例中,Ni‑Cu合金层(作为电镀种子层)直接形成在绝缘层的表面上,未间隔其他层。因此,特征S被直接公开。
技术特征T:图案层<br>《直接公开》段落[0700]步骤(14):“电镀形成15μm厚的电镀铜膜15。”对比文件公开了通过电镀形成的电镀铜膜,该膜构成电路图案的主体,对应于目标专利的图案层。因此,特征T被直接公开。
技术特征U:所述图案层设置在所述电镀种子层上<br>《直接公开》段落[0700]步骤(12)‑(14):化学镀铜膜(种子层)上形成电镀铜膜(图案层)。<br>段落[0784]步骤(9)‑(11):溅射的Ni‑Cu合金层(种子层)上直接进行电镀形成电镀铜层。对比文件明确,图案层(电镀铜膜)形成在种子层(化学镀铜膜或溅射合金层)之上。因此,特征U被直接公开。
技术特征V:其中,所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面<br>《直接公开》段落[0700]步骤(14)形成电镀铜膜,该膜作为图案层位于最上方。对比文件制造的导体电路中,顶部的电镀铜膜的上表面即为整个电路图案的上表面,这是本领域技术人员可以毫无疑义确定的。因此,特征V被直接公开。
技术特征W:其中,所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面<br>《直接公开》段落[0784]步骤(9):Ni‑Cu合金种子层直接接触绝缘层,其下表面即为电路图案与绝缘层的界面。在对比文件该实施例中,种子层直接设置于绝缘层上,种子层的下表面与绝缘层接触,该下表面即为电路图案的下表面。因此,特征W被直接公开。
技术特征X:其中,所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面;并且中,所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面<br>《隐含公开》段落[0852](步骤8):“在导体电路的整个表面上形成Cu‑Ni‑P合金的粗糙层”。<br>段落[0700]步骤(12)‑(15)通过蚀刻形成离散导体电路。对比文件通过蚀刻法形成导体电路,暴露出的侧壁必然包含种子层和图案层的侧表面。本领域技术人员可以合理推断,经蚀刻后的导体电路的侧表面由各层的侧表面共同构成。因此,特征X被隐含公开。
技术特征Y:其中,所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度<br>《未公开》无相关内容。对比文件未描述横截面中上表面与下表面长度的比较,也未暗示存在上窄下宽的梯形截面。因此,特征Y未被公开。
技术特征Z:其中,所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间<br>《未公开》无相关内容。对比文件未提及侧表面的倾斜角度或其与上下表面的连接关系。因此,特征Z未被公开。

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