对比文件名称：2008-03-05_KR1020080020077A_发明公开_KR1020080020077A 고밀도 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
目标专利名称：1558印刷电路板CN113243145B
本次调用模型：Gemini Pro
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括（直接公开） | [20]-[24]：“본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 인쇄회로기판은: 수지 기판; 및 상기 수지 기판의 양면에 형성된 패턴 회로층; 을 포함하며,” 翻译：“根据本发明优选实施例的印刷电路板包括：树脂基板；以及形成于所述树脂基板两面的图案电路层；” | 对比文件明确记载印刷电路板包括树脂基板和图案电路层，直接公开了“包括”这一上位要素，即电路板由绝缘层和电路图案组成，与目标专利的“包括”含义相同。 |
| 技术特征B：绝缘层（直接公开） | [21] “수지 기판” 翻译：“树脂基板” | 树脂基板作为绝缘承载基板，与目标专利的绝缘层功能相同，直接公开。 |
| 技术特征C：电路图案（直接公开） | [22] “패턴 회로층” 翻译：“图案电路层” | 图案电路层即为传输电信号的电路图案，直接公开。 |
| 技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上（直接公开） | [22] “상기 수지 기판의 양면에 형성된 패턴 회로층” 翻译：“形成在所述树脂基板两面的图案电路层” | 直接公开图案电路层形成于树脂基板表面，即设置在绝缘层上。 |
| 技术特征E：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面（隐含公开） | [24] “상기 패턴 회로층이 …매립 동박층, 상기 매립 동박층 상에 형성된 무전해 동도금층, 및 상기 무전해 동도금층 상에 형성된 전해 동도금층을 포함하는 것” 翻译：“所述图案电路层包括埋入铜箔层、形成在埋入铜箔层上的无电解镀铜层、以及形成在无电解镀铜层上的电解镀铜层。” 以及图1a-1h示出的图案截面。 | 对比文件虽未明确列举四个表面，但图案电路层作为形成于基板上的导体层，必然具有上表面、下表面（与基板接触）和两个侧表面，这是本领域公知的结构，对比文件隐含公开。 |
| 技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下（未公开） | [63] “동박(102)으로는 매트면의 요철부(104), 즉 표면조도(Rz)가 0.2∼7㎛, 바람직하게는 0.3∼5㎛, 좀 더 바람직하게는 0.4∼3.5㎛의 것을 사용한다.” 翻译：“作为铜箔(102)，使用粗化面的凹凸部(104)，即表面粗糙度(Rz)为0.2~7μm、优选0.3~5μm、更优选0.4~3.5μm的铜箔。” | 对比文件仅涉及铜箔粗化面的Rz值（范围远大于0.31μm），未涉及最终图案电路层表面的Ra值，且参数和目的不同（对比文件用粗糙面增强粘附力，目标专利用低粗糙度减小信号损失），因此不能毫无疑义地得出该特征，也不存在合理推断的基础。 |
| 技术特征G：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度（未公开） | 对比文件全文无此记载。 | 对比文件未提及电路图案表面长度与粗糙度的任何关联关系。 |
| 技术特征H：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下（未公开） | 对比文件无相关Ra数值记载。 | 对比文件未公开图案表面Ra值，更未达到0.17μm以下。 |
| 技术特征I：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm（未公开） | 对比文件无相关Ra数值记载。 | 对比文件未公开图案表面Ra的具体范围。 |
| 技术特征J：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同（未公开） | 对比文件无相关截面长度比较的记载。 | 对比文件未涉及电路图案截面中上、下表面长度与侧表面长度的差异。 |
| 技术特征K：其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同（未公开） | 对比文件无不同表面粗糙度比较的记载。 | 对比文件未公开不同表面粗糙度存在差异。 |
| 技术特征L：其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)（未公开） | 对比文件无此关系记载。 | 对比文件既未公开截面长度大小关系，也未公开粗糙度随长度变化的关系。 |
| 技术特征M：其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度（隐含公开） | [24]及[70]等记载了图案电路层的形成，其截面形状具有上表面。 | 在电路图案的截面中，上表面的长度即为该表面的宽度，这是本领域测量粗糙度时的常规理解。对比文件虽未明确定义，但本领域技术人员能合理推断出该长度对应于宽度，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度（隐含公开） | 同上，图案电路层具有下表面。 | 同理，下表面在截面中的长度对应于下表面的宽度，隐含公开。 |
| 技术特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度（隐含公开） | 同上，图案电路层具有侧表面。 | 侧表面在截面中的长度对应于电路图案的高度（或侧壁高度），本领域技术人员可合理推断，隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下（未公开） | 对比文件无相关Ra或Rq数值记载。 | 对比文件未公开任何接近0.42μm以下的表面粗糙度值（其铜箔粗化面Rz远大于此）。 |
| 技术特征Q：其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下（未公开） | 对比文件虽然测量了传输损失，但未记载阻抗值。 | 对比文件未涉及图案电路阻抗的具体数值。 |
| 技术特征R：其中，所述电路图案包括：电镀种子层（直接公开） | [24] “상기 무전해 동도금층” 翻译：“无电解镀铜层”；[70] “통상의 무전해 도금법을 이용하여 무전해 동도금층(105)을 형성한 후” 翻译：“使用普通无电解镀铜法形成无电解镀铜层(105)后” | 无电解镀铜层在后续电解镀铜工艺中起种子层作用，直接公开了电路图案包含用于电镀的种子层。 |
| 技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上（未公开） | [24] 记载无电解镀铜层形成于埋入铜箔层上，而埋入铜箔层形成于树脂基板中。 | 对比文件中种子层（无电解镀铜层）不直接接触树脂基板，而是通过埋入铜箔层间接设置，与目标专利中种子层直接设置在绝缘层上的结构不同，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征T：图案层（直接公开） | [24] “전해 동도금층” 翻译：“电解镀铜层” | 电解镀铜层构成图案主体，直接公开图案层。 |
| 技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上（直接公开） | [24] “상기 무전해 동도금층 상에 형성된 전해 동도금층” 翻译：“形成在无电解镀铜层上的电解镀铜层” | 直接公开图案层（电解镀铜层）设置在种子层（无电解镀铜层）上。 |
| 技术特征V：其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面（直接公开） | [24] 及图1h等，图案层（电解镀铜层）为最上层。 | 电路图案的最上层为电解镀铜层，其上表面即为电路图案的上表面，直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面（未公开） | [24] 电路图案的最下层为埋入铜箔层，其下表面接触树脂基板。 | 对比文件中电路图案的下表面是埋入铜箔层的下表面，并非种子层（无电解镀铜层）的下表面，因此未公开该特征。 |
| 技术特征X：其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且中，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面（隐含公开） | [24] 记载图案电路层由埋入铜箔层、无电解镀铜层（种子层）、电解镀铜层（图案层）组成。 | 这些层堆叠形成图案，其侧壁必然包含各层的侧表面，因此种子层和图案层的侧表面被包括在电路图案的侧表面中，对比文件隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度（未公开） | 对比文件无此记载。 | 对比文件未描述截面中上下表面宽度的大小关系。 |
| 技术特征Z：其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间（未公开） | 对比文件无此记载。 | 对比文件未提及侧表面倾斜角度。 |
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