对比文件：2015-06-18_US2015168651A_发明申请_US20150168651A1 LIGHT CAPTURING SHEET, LIGHT CAPTURING ROD, LIGHT RECEIVING DEVICE USING LIGHT CAPTURING SHEET OR LIGHT CAPTURING ROD, LIGHT EMITTING DEVICE USING LIGHT C
目标专利：1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
本次调用的模型为AI语言模型。
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述制造方法包括 《直接公开》 | 【0148】“The light capturing sheet 51 can be manufactured based on, for example, the following method.” （光捕获片51可以基于例如以下方法制造。） | 对比文件明确公开了制造光捕获片的方法，即直接公开了“制造方法包括”这一前序性技术特征。 |
| 技术特征B：通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a) 《隐含公开》 | 【0149】“As shown in FIG. 7A, a low refractive-index film 25a composed of, for example, SiO2 is formed over the surface of a high refractive-index film 24 composed of, for example, SiN. A resist is applied onto the low refractive-index film 25a.” （如图7A所示，在由例如SiN组成的高折射率膜24的表面上形成由例如SiO2组成的低折射率膜25a。将光刻胶施加到低折射率膜25a上。） | 对比文件中将光刻胶（一种光敏树脂）涂覆在基底（低折射率膜形成于高折射率膜上，该多层结构可视为广义基底）的表面以形成光敏层。尽管其用途是后续光刻蚀刻而非全息记录，但本领域技术人员可合理推断出该步骤包含用光敏树脂涂覆基底表面以形成光敏基底的内容。因此隐含公开。 |
| 技术特征C：通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b) 《隐含公开》 | 【0152】“In a two-beam interference exposure method, two laser beams are made to intersect and interfere with each other so that a striped exposure area can be formed without using a mask.” （在双光束干涉曝光法中，使两束激光相交并干涉，从而可以形成条纹曝光区域。） | 对比文件使用双光束干涉曝光，通过激光照射光敏层（光刻胶）记录干涉条纹（光栅）。虽然其照射方式为从光敏层的同一侧进行干涉，而非从两个相对表面照射，但本质相同：均是通过激光干涉在光敏材料中记录衍射结构。本领域技术人员有动机将其应用于全息光栅的记录过程，且能由此推断出步骤(b)的类似操作。因此隐含公开。 |
| 技术特征D：其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化 《未公开》 | 对比文件中未提及光敏树脂涂层高度沿方向变化的相关内容。所有涂覆步骤均形成均匀厚度的膜层。 | 对比文件没有公开或暗示光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化，本领域技术人员无法从对比文件中合理推断出该特征。因此未公开。 |
| 技术特征E：所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上 《未公开》 | 对比文件中的衍射光栅为表面浮雕或体内折射率调制结构（如【0130】、图2A），仅形成于部分厚度中，而非贯穿整个涂层高度。 | 对比文件未公开全息光栅记录在涂层整个高度上的内容，也无法从对比文件推导出该特征。因此未公开。 |
| 技术特征F：所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且中所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加 《未公开》 | 对比文件中的光学耦合结构高度均匀（如【0138】厚度t、深度d等参数恒定），无任何高度渐变描述。 | 对比文件没有公开全息光栅高度变化或光敏树脂涂层高度逐渐增加的技术内容，也未给出任何技术启示。因此未公开。 |
| 技术特征G：所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加 《未公开》 | 同特征F，对比文件无相关公开。 | 对比文件未公开该特征，本领域技术人员不能从中获得任何启示。因此未公开。 |
| 技术特征H：所述全息光栅具有相同的宽度 《隐含公开》 | 【0130】“the radiation loss coefficient α is related to the depth d of the diffraction grating 3d”；图2A、2B示出具有恒定节距Λ和线性条纹的衍射光栅，通常占空比恒定，故脊宽（凸起）一致。 | 对比文件中衍射光栅为周期结构，在常规制造中所有光栅线宽（凸起宽度）保持相同。全息光栅本身也是周期性结构，本领域技术人员可合理推断出其宽度同样一致。因此隐含公开。 |
| 技术特征I：其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处 《未公开》 | 对比文件采用旋涂（spin coating）或类似方法涂覆光刻胶（【0149】），未涉及喷涂步骤。 | 对比文件未公开喷涂光敏树脂的方式，也不存在根据位置改变涂层厚度的任何教导。因此未公开。 |
| 技术特征J：喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化 《未公开》 | 对比文件无相关公开。 | 对比文件未公开该特征。因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a‑1) 《未公开》 | 对比文件未描述浸涂方法。 | 对比文件未公开浸入容器的步骤。因此未公开。 |
| 技术特征L：和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a‑2) 《未公开》 | 对比文件未公开浸涂及分离步骤。 | 对比文件未公开该特征。因此未公开。 |
| 技术特征M：在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离 《未公开》 | 对比文件未涉及改变分离速度。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a‑1) 《未公开》 | 对比文件未提及使用辅助基底。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征O：和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a‑2) 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征P：在所述步骤(a‑2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂 《未公开》 | 对比文件未公开倾斜涂覆。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| 技术特征R：将所述光敏树脂干燥 《未公开》 | 对比文件在光刻工艺中可能有干燥步骤，但未涉及在倾斜状态下干燥以形成厚度梯度；且未公开任何用于制造高度变化涂层的干燥工艺。 | 对比文件未公开本特征中通过干燥形成高度梯度的具体内容。因此未公开。 |
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