在回答的开始，明确以下信息：
**对比文件的名称：** 2005-01-13_JP2005010231A_发明专利_JP2005010231A Rugged pattern forming material, rugged pattern receiving body, rugged pattern forming method, transfer foil, and optical component（凸凹图案形成材料、凸凹图案受容许体、凸凹图案形成方法、転写箔、及び光学物品）
**目标专利的名称：** 1561全息光学元件及其制造方法CN113728257B
**本次调用的模型名称：** DeepSeek AI
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 所述制造方法包括<br>**《直接公开》** | 对比文件标题为“凹凸パターン形成方法”，且段落【0024】明确记载：“次に、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、少なくとも前記本発明に係る凹凸パターン形成材料を用いて形成された凹凸パターン形成層を備える凹凸パターン受容体の表面に、凹凸形状を設けたスタンパーを圧接することにより凹凸パターンを形成することを特徴とする。”（翻译：接着，本发明的凹凸图案形成方法的特征在于，在至少使用本发明的凹凸图案形成材料形成的凹凸图案形成层所具备的凹凸图案受容体的表面，通过压接设有凹凸形状的压模来形成凹凸图案。） | 对比文件公开了一种凹凸图案形成方法，该方法包括多个步骤，因此直接公开了“制造方法包括”这一前序性特征。 |
| **技术特征B：** 通过用光敏树脂涂覆基底的一个表面来形成光敏基底的步骤(a)<br>**《直接公开》** | 段落【0099】记载：“上記凹凸パターン形成材料は、基材フィルム等の支持体の表面に塗布し、必要に応じて乾燥させて凹凸パターン形成材料の層（凹凸パターン形成層）を形成して凹凸パターン受容体を作製し”（翻译：上述凹凸图案形成材料涂布在基材薄膜等支持体的表面，根据需要干燥形成凹凸图案形成材料的层（凹凸图案形成层），制作凹凸图案受容体。） | 对比文件明确公开了将凹凸图案形成材料（包含光敏树脂）涂布于基底（支持体）的一个表面，形成光敏树脂涂层，因此直接公开了技术特征B。 |
| **技术特征C：** 通过用激光照射所述光敏基底的一个表面和另一个表面中的每一者来记录所述全息光栅的步骤(b)<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件的凹凸图案形成方法是使用压模压印后光固化，未涉及用激光照射基底两面记录全息光栅，因此既没有直接公开也没有隐含公开技术特征C。 |
| **技术特征D：** 其中在所述步骤(a)中施加所述光敏树脂使得光敏树脂涂层的高度沿预定方向变化<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开在涂布步骤中使涂层高度沿预定方向变化，通常追求均匀厚度（如0.1~5.0μm），因此未公开。 |
| **技术特征E：** 所述全息光栅记录在所述光敏树脂涂层的整个高度上<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件通过压印形成凹凸图案，并非通过激光干涉记录全息光栅，且未涉及记录在整个涂层高度上的概念，因此未公开。 |
| **技术特征F：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向变化；并且所述光敏树脂涂层的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开全息光栅高度变化且涂层高度逐渐增加的特征，也未暗示通过涂层厚度变化实现衍射效率调节，因此未公开。 |
| **技术特征G：** 所述全息光栅的高度沿所述预定方向逐渐增加<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开全息光栅高度逐渐增加的特征，因此未公开。 |
| **技术特征H：** 所述全息光栅具有相同的宽度<br>**《隐含公开》** | 段落【0160】记载：“ピッチが０．５μｍ、高さが０．３μｍのラインアンドスペースパターン”（翻译：间距0.5μm、高度0.3μm的线‑空间图案）。此外段落【0140】提及凹凸图案的宽度（ピッチ）可为100nm~500μm。 | 对比文件实施例公开了具有均匀宽度（线‑空间图案）的凹凸图案，且通常规则衍射光栅的线条宽度恒定。本领域技术人员可以合理推断，全息光栅的凹凸图案（类似衍射光栅）具有相同的宽度，因此隐含公开。 |
| **技术特征I：** 其中在所述步骤(a)中将所述光敏树脂喷涂至所述基底的一个表面上多个位置处<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件仅提及凹版涂布、辊涂等方式，未公开喷涂方法，因此未公开。 |
| **技术特征J：** 喷涂的光敏树脂的量根据位置而变化<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开喷涂及用量变化，因此未公开。 |
| **技术特征K：** 其中所述步骤(a)包括将所述基底浸入包含所述光敏树脂的容器中的步骤(a-1)<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开浸入法涂布，因此未公开。 |
| **技术特征L：** 和通过在一个方向上移动所述基底将所述基底与所述容器分离的步骤(a-2)<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开通过移动基底与容器分离的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征M：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底的移动速度的同时将所述基底与所述容器分离<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开改变移动速度的分离步骤，因此未公开。 |
| **技术特征N：** 其中所述步骤(a)包括在所述基底与辅助基底之间提供所述光敏树脂的步骤(a-1)<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开在基底与辅助基底之间提供树脂的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征O：** 和移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者的步骤(a-2)<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开移动基底或辅助基底的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征P：** 在所述步骤(a-2)中在改变所述基底和所述辅助基底中的一者相对于另一者的相对移动速度的同时移动所述基底和所述辅助基底中的至少一者<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开改变相对移动速度的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征Q：** 其中在所述步骤(a)中在所述基底的一个表面相对于基面倾斜的状态下提供所述光敏树脂<br>**《未公开》** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开倾斜状态下提供树脂，因此未公开。 |
| **技术特征R：** 将所述光敏树脂干燥<br>**《直接公开》** | 段落【0099】记载：“必要に応じて乾燥させて凹凸パターン形成材料の層を形成”（翻译：根据需要干燥形成凹凸图案形成材料层）。 | 对比文件明确公开了在涂布后干燥光敏树脂的步骤，因此直接公开技术特征R。 |
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