**对比文件名称**：JP2004281850A Multilayer composite electronic component
**目标专利名称**：CN105191123B 三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
根据目标专利说明书，其核心在于一种三维集成电路（3DIC）中的可调谐共用器，其通过将电感器（例如穿基板通孔电感器）和变抗器（例如SOG变抗器）分别设置在3DIC的不同层级（第一层级和第二层级）并电性耦合，共同形成可调谐共用器。这种结构允许通过调节变抗器来改变滤波器的陷波频率，使得共用器能够适配不同的载波聚合系统。其技术方案强调元件的三维堆叠、特定类型的元件（如TGV电感器、SOG变抗器）以及元件的可调谐功能。
对比文件JP2004281850A公开了一种多层复合电子元件，其内部集成有电感器和电容器，用于构成双工器（diplexer）和高频开关电路。该文件主要关注通过将电感器的卷芯方向设置为垂直于介质层的积层方向，并将电容器电极设置在电感器上下导体图案的同一层或之间的层，来减少电感器与电容器之间的耦合，从而实现元件的小型化。
以下将严格按照目标专利权利要求的划分，对技术特征进行逐一比对。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **A: 包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》** | 【００２１】３ａ〜３ｌ是构成所述积层体３的介质层，５ａ〜５ｌ是设于介质层上的导体图案。<br>【００２４】第８〜１０介质层３ｈ〜３ｊ上形成用于构成电感器Lx（=L3, L4, L6, L9, L10）和电容器Cx（Cx=C0, C17）的导体图案。 | 对比文件明确公开了在多层结构（积层体3）的特定层（如第8-10层，即3h~3j）中形成电感器（如L3、L4等）。这些特定的介质层可以对应于目标专利中的“第一层级”。虽然对比文件没有明确使用“第一层级”这一术语，但其“多层结构”以及“在特定层中设置电感器”的技术方案，使得本领域技术人员能够毫无疑义地理解，其公开了“包括至少一个电感器的层级”这一技术特征。两者作用均为在电子元件的某一结构层中设置电感元件。因此，该特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **B: 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《隐含公开》** | 【００３１】图4、图5显示了构成所述电感器L3、L4、L6、L9、L10的导体图案，上层导体图案L3a、L4a、L6a、L9a、L10a（见图4上段）与下层导体图案L3b、L4b、L6b、L9b、L10b（见图5下段）分别通过通孔6（见图4下段、图5上段）连接。<br>【００３２】对于电感器L3、L6、L9、L10，其卷芯方向垂直于介质层3a~3l的积层方向，通过形成导体图案L3a与L3b、L6a与L6b、L9a与L9b、L10a与L10b以及通孔6来实现。 | 对比文件公开的电感器（如L3、L6等）由分布在上下不同层（如5h, 5k）的平面螺旋导体图案（L3a/L3b）和连接这些图案的垂直通孔（6）共同构成。这种“上下层导体图案+垂直通孔”的结构实质上是形成了一种垂直贯穿多层介质基板的螺旋电感，即一种“穿基板通孔电感器”（TSV电感器）。虽然目标专利特别指出了“穿玻通孔(TGV)电感器”，但TGV是TSV的一种具体材料（玻璃基板）实现方式。对比文件公开的介质层材料包括树脂或含功能粉末的复合材料（【００２１】、【００２７】），其通孔同样贯穿介质层以连接上下导体形成电感，在结构和作用上与目标专利的“穿基板通孔电感器”相同。因此，该特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **C: 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》** | 【００２４】...电容器C0、C17的电极...形成在电感器L3、L6、L9、L10的最上层导体图案...与最下层导体图案...之间的层5i、5j上。<br>【００１３】双工器2的GSM侧电路由电感器L8和电容器C16、C17构成。DCS侧电路由电感器L9、L10和电容器C18构成。 | 对比文件明确公开了电容器（如C17、C18）与电感器（如L8、L9、L10）电性连接，共同构成滤波电路（双工器2）。这些电容器设置在不同于电感器所在层的其他层（如层5i、5j），可以对应于“第二层级”。**然而**，目标专利明确要求“变抗器”（varactor），即可变电容器。对比文件全文仅公开了固定电容值的电容器，没有任何文字提及电容器的电容值是可变的，也没有公开任何用于改变电容值的控制机制（如电压控制）。变抗器是实现目标专利“可调谐”功能的核心部件，其与固定电容器在结构和功能上存在本质区别。因此，对比文件没有公开“变抗器”，该特征**未被公开**。 |
| **D: 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》** | 【００１０】...该模块包含双工器2...<br>【００１３】双工器2是...分波电路。 | 对比文件公开了由电感器和**固定**电容器构成的双工器（diplexer，即共用器）。然而，目标专利要求的是“可调谐共用器”，其关键在于通过变抗器调节滤波特性（如陷波频率）。由于对比文件未公开“变抗器”（特征C），其双工器不具备可调谐的特性。因此，对比文件没有公开“可调谐共用器”，该特征**未被公开**。 |
| **E: 其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件仅公开了普通的电容器电极（【００２４】），没有提及任何关于变抗器的内容，更没有涉及SOG（Silicon on Glass）这种特定类型的变抗器。该特征**未被公开**。 |
| **F: 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》** | 【００２１】介质层3a~3l由树脂材料或树脂与功能材料粉末复合而成的复合材料构成。<br>【００２８】...为了获得高Q值，可使用氧化铝、氧化锆...玻璃碎片、玻璃珠...等。 | 对比文件公开的电感器是通过通孔连接上下层导体图案形成的（特征B）。虽然其介质层材料可以包含“玻璃碎片、玻璃珠”作为填料，但其基板主体是“树脂或复合材料”，并非目标专利所特指的“玻璃”基板。目标专利的“穿玻通孔(TGV)电感器”强调以玻璃作为贯穿的通孔基板材料，以获得特定的高频高Q值性能。对比文件没有公开在纯玻璃基板中形成贯穿通孔的电感器结构。因此，该特征**未被公开**。 |
| **G: 其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》** | 【００１３】双工器2的GSM侧电路由电感器L8和电容器C16、C17构成。<br>【００１９】...这两个电容器C16、C5是为了改善分波特性的LPF特性而连接的。 | 对比文件确实公开了双工器包含由电感器和电容器构成的LPF（低通滤波器）部分。**但是**，构成该LPF的电容器是**固定电容器**，而非目标专利所要求的“变抗器”。由于核心元件（变抗器）未被公开，因此由“电感器和变抗器”形成的LPF这一具体组合特征也**未被公开**。 |
| **H: 其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》** | 【００１３】双工器2的...DCS侧电路由电感器L9、L10和电容器C18构成。 | 对比文件公开了双工器的另一侧（DCS侧）电路包含多个电感器（L9，L10）和一个电容器（C18）。**然而**，该电容器C18是固定电容器，并非“第二变抗器”。因此，该特征**未被公开**。 |
| **I: 其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》** | 【００１９】...由电感器L8和电容器C17构成一个（GSM侧）陷波电路，由电感器L9和电容器C18构成另一个（DCS侧）陷波电路。 | 对比文件公开了由电感器和电容器构成的陷波电路（notch circuit），即用于产生特定陷波频率的滤波器。**但是**，其电容器是固定的，因此陷波频率也是固定的，不具备“调节”功能。目标专利中变抗器的作用正是通过改变电容值来调节陷波频率。由于对比文件未公开“变抗器”，自然也未公开其用于调节陷波频率的功能。该特征**未被公开**。 |
| **J: 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《隐含公开》** | 【００１９】...这两个电容器C16、C5是为了改善分波特性的LPF特性而连接的。<br>【００１３】双工器2的GSM侧电路由电感器L8和电容器C16、C17构成。 | 在滤波电路（如LPF）中，电感器的电感值是决定其截止频率的关键参数之一。对比文件公开了在双工器（共用器）的LPF中使用电感器（如L8）（【００１３】、【００１９】）。本领域技术人员公知，滤波器中的电感器对其频率响应（包括截止频率）有决定性影响。因此，尽管对比文件没有明确文字说明电感器“控制截止频率”，但根据其公开的电路结构和元件作用，可以合理推断出其所公开的电感器必然起到控制滤波器截止频率的作用。这与目标专利中电感器的作用相同。因此，该特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **K: 其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》** | 【００２０】该积层复合电子部件由内藏有源元件的积层体（基板）3和搭载于其上的所述二极管D1~D4等半导体元件以及根据需要搭载的后述的被动元件构成的搭载部件4组成。<br>【００２３】搭载部件4包括所述二极管D1~D4、电阻R1、R2、电感器L1、L2、L5、L7、L8以及电容器C2、C3、C4、C7、C10、C11、C14、C15。 | 对比文件描述的是一个“积层复合电子部件”，其结构是将半导体芯片（如二极管）和无源芯片（如片式电感、电容）**搭载**在多层布线基板（积层体3）上。这是一种多芯片模块（MCM）或系统级封装（SiP）的结构。目标专利的“集成到半导体管芯中”指的是将电感、变抗器等元件通过半导体工艺（如基板转移、管芯堆叠）制造并集成在同一个3D集成电路（3DIC）管芯内部。两者在集成层次和制造工艺上存在本质不同。对比文件没有公开将电感器等元件以3DIC形式集成在单一半导体管芯内部的技术方案。该特征**未被公开**。 |
| **L: 其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《隐含公开》** | 【０００２】例如在移动电话等移动通信设备中...<br>【００４１】本发明的结构...特别适用于在所述移动电话等移动通信设备中，将所述双工器和高频开关电路等作为一个部件包含构成的高频部件等。 | 对比文件明确其发明的应用场景是“移动电话等移动通信设备”（【０００２】、【００４１】）。移动电话（蜂窝电话）明确包含在目标专利权利要求L所列举的设备列表中。虽然对比文件的应用领域具体，但本领域技术人员可以毫无疑义地确定，其公开的积层复合电子部件（包含双工器）可以用于移动电话（蜂窝电话）这一具体设备中。因此，该特征被对比文件**隐含公开**。 |
### 总结与代码输出
根据上述比对分析：
- **直接公开**的特征：无。
- **隐含公开**的特征：A, B, J, L。
- **未公开**的特征：C, D, E, F, G, H, I, K。
根据输出格式要求，在回答结尾插入对应的小写英文代码。
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