**对比文件名称：** 2009-03-03_US7498918B_发明授权_US07498918B2 Inductor structure
**目标专利名称：** 三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
**本次调用的模型名称：** deepseek/deepseek-chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：** 包括：包括至少一个电感器的第一层级 **《直接公开》** | 对比文件第[0019]段：”The three-dimensional inductor structure according to the present invention comprises three coils disposed in a plurality of insulation layers in a 3-D space. Each coil comprises a plurality of turns in a spiral type to form an inductor having an magnetic field with a direction.”<br>第[0020]段：”Refer to FIG. 3 showing a coil of the three-dimensional inductor structure according to the present invention. The coil is a first spiral conductive coil 30 disposed in, for example, nine insulation layers... When an electric current flows through the coil, an induced magnetic field occurs...” | 对比文件明确公开了一种三维电感器结构，其包含设置在多个绝缘层（即层级）中的螺旋导电线圈，每个线圈形成一个电感器。该“多个绝缘层”构成了包含至少一个电感器的层级结构。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开了“包括至少一个电感器的第一层级”这一技术特征。 |
| **B：** 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 **《隐含公开》** | 对比文件第[0020]段：”The third conductive section 36 is formed by connecting a via plug in each insulation layer between the first and the ninth insulation layers.”<br>第[0021]段：”The seventh conductive section 46 is formed by connecting a via plug in each insulation layer between the second and the eighth insulation layers...”<br>第[0022]段：”The turns in the adjacent insulation layers connect to each other through a via plug 56 in the insulation layer.” | 对比文件详细描述了其三维电感器的结构：通过在多层绝缘层中制作导电线段，并使用贯穿这些绝缘层的“通孔塞”（via plug）垂直连接不同层上的导电线段，从而形成螺旋线圈。这种使用垂直通孔连接多层金属以形成电感器的结构，是本领域公认的“穿基板通孔”电感器的一种实现方式（例如TSV电感器）。虽然对比文件未明确使用“穿基板通孔（TSV）”这一术语，但其描述的结构本质是通过在基板（或层叠的绝缘层）上形成垂直互连通孔来构建电感器。本领域技术人员阅读对比文件后，完全能够合理推断出其公开的电感器属于“穿基板通孔电感器”的范畴。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **C：** 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器（varactor）”或任何可变电容元件。 | 对比文件的核心在于描述一种集成的、三维的**电感器**结构，其全部内容均围绕如何在有限空间内布置多个独立的电感器线圈。文件中没有任何关于“变抗器”或任何具有可变电容功能的元件的记载，更没有提及将此类元件设置在与电感器不同的层级并与之耦合。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **D：** 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及“共用器（diplexer）”、“可调谐（tunable）”，也未提及由电感器和变抗器组合形成任何滤波器或复用器电路。 | 目标专利的权利要求限定了“可调谐共用器”，这是一种特定的射频器件，用于分离或组合不同频带的信号，并通过变抗器实现频率调谐。对比文件仅公开了独立的三维电感器结构，其发明目的是提高电感器的集成度（见摘要及第[0007]段），未涉及由电感器和变抗器组合形成任何功能电路，更未涉及“共用器”这一特定器件。因此，该特征未被公开。 |
| **E：** 其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器”，更未提及“玻璃上覆硅（SOG）变抗器”。 | 由于对比文件根本未公开“变抗器”这一元件，因此其具体类型（如SOG变抗器）自然也无从谈起。该特征未被公开。 |
| **F：** 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器 **《未被公开》** | 对比文件第[0028]段：”The three-dimensional inductor structure according to the present invention may be disposed on the substrate, such as a semiconductor substrate or silicon substrate...” | 对比文件明确其电感器可以制作在“半导体衬底或硅衬底”上，并使用了“通孔塞（via plug）”进行垂直互连。目标专利说明书中明确将“穿玻通孔（TGV）电感器”作为“穿基板通孔电感器”的一种优选实施例，强调其使用玻璃基板以实现高Q值。对比文件未提及使用玻璃作为基板或通孔介质，也未提及“穿玻通孔”这一特定结构。因此，对比文件虽然隐含公开了穿基板通孔电感器（特征B），但并未公开其具体为“穿玻通孔（TGV）电感器”这一优选类型。该特征未被公开。 |
| **G：** 其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器”，也未提及“低通（LP）滤波器”或任何滤波器结构。 | 形成低通滤波器是目标专利中可调谐共用器的一个具体内部结构特征。对比文件仅公开了独立的电感器元件，未将其与任何其他类型的元件（尤其是变抗器）组合以构成具有滤波功能的电路。因此，该特征未被公开。 |
| **H：** 其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器”、“第二变抗器”、“LP滤波器”或“可调谐共用器”。 | 该特征是对可调谐共用器内部结构的进一步限定，涉及多个层级的多个电感器与变抗器的特定耦合关系以形成LP滤波器。对比文件未公开任何变抗器，也未公开任何用于形成滤波器的元件间耦合关系。因此，该特征未被公开。 |
| **I：** 其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器”，也未提及“陷波频率”的调节功能。 | 该特征限定了变抗器在可调谐共用器中的功能作用。由于对比文件未公开变抗器，自然也谈不上其具有调节陷波频率的功能。该特征未被公开。 |
| **J：** 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率 **《未被公开》** | 对比文件第[0004]段：”The inductor is usually used with capacitors in various wireless communications applications for providing stable currents, switched phases, filtering and resonance.” | 对比文件虽然泛泛提及电感器可用于“滤波（filtering）”应用，但并未具体公开其制作的电感器被“配置成控制可调谐共用器内的滤波器的截止频率”。目标专利中该特征是针对“可调谐共用器”这一特定器件中电感器的具体功能限定。对比文件仅公开了电感器作为独立元件的存在，并未将其置于“可调谐共用器”的电路环境中，也未赋予其控制截止频率的特定功能。因此，该特征未被公开。 |
| **K：** 其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中 **《直接公开》** | 对比文件第[0004]段：”In a semiconductor manufacturing process, ... fabricating an inductor onto an integrated circuit chip.”<br>第[0028]段：”...manufactured by semiconductor manufacturing processes...” | 对比文件明确其电感器结构是使用半导体制造工艺（如沉积、蚀刻等）制造在“集成电路芯片（integrated circuit chip）”上。这直接且毫无疑义地公开了“三维集成电路集成到半导体管芯中”这一特征。 |
| **L：** 其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器 **《未被公开》** | 对比文件全文未提及将其三维电感器结构或集成电路集成到任何具体的电子设备或终端产品中。 | 该特征是对三维集成电路具体应用场景的限定，列举了一系列具体的消费电子设备。对比文件仅描述了电感器结构本身及其制造方法，并未涉及其最终集成的产品。因此，该特征未被公开。 |
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