本次调用的模型名称：专利创造性评估。
对比文件名称：2012-04-05_US2012080771A_发明申请_US20120080771A1 3D VIA CAPACITOR WITH A FLOATING CONDUCTIVE PLATE FOR IMPROVED RELIABILITY
目标专利名称：271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件全文描述的是三维通孔**电容器**的结构、制造方法及其阵列（例如，[0001]段，“a three-dimensional (3D) via capacitor”）。文件中没有任何关于**电感器**的记载，也没有描述任何层级的结构包含电感器。电感器与电容器是功能完全不同的无源元件，本领域技术人员无法从对比文件描述的电容性结构中毫无疑义地得出或合理推断出存在“包括至少一个电感器的第一层级”。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征B**：其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器<br>**《未公开》** | 无 | 基于技术特征A的论述，对比文件未公开任何电感器。尽管对比文件详细描述了在基板（如绝缘层110）中形成通孔（via 114）并填充导电材料以形成电容器电极（如第一电极层118和第二电极128）（参见[0018]-[0057]段及图1-11），但这形成的是**电容器**的垂直电极，其作用是提供电容的两个极板。而“穿基板通孔电感器”是利用穿过基板的导电通孔的寄生电感或特意设计的螺旋/螺线结构来实现电感特性，两者原理、结构和功能均不同。本领域技术人员不能从对比文件的电容性通孔电极结构推断出“穿基板通孔电感器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，<br>**《未公开》** | 无 | 首先，对比文件未公开“电感器”（技术特征A）。其次，对比文件未公开“变抗器”。变抗器（Varactor）是一种电压控制的可变电容器。对比文件中描述的电容器是固定电容值的三维通孔电容器（如[0001], [0006]段），其电容值由电极面积、介电材料等决定，文件中未提及任何通过电压或其他方式改变其电容值的机制或元件。虽然对比文件描述了包含“浮动导电板（floating conductive plate）”（如第一导电板层122）的电容器结构，但该板是悬浮的、固定的内电极，用于提高可靠性，并非可变电容元件（参见[0016]段）。最后，对比文件也未描述存在一个与“第一层级”耦合的、专门包含变抗器的“第二层级”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开“电感器”（A）和“变抗器”（C）。此外，“可调谐共用器（Tunable Diplexer）”是一种特殊的射频滤波器网络，用于将两个不同频带的信号组合或分离，并具有可调谐特性（参见目标专利[0010], [0013], [0032]-[0033]段）。对比文件仅涉及单个电容器或电容器阵列的结构与制造，用于诸如去耦、储能等一般性用途（参见[0001]-[0004]段），完全没有提及共用器、滤波器网络、频带分离、陷波、截止频率等与共用器相关的任何概念或功能。本领域技术人员无法从对比文件的电容器结构推理出“可调谐共用器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。<br>**《未公开》** | 无 | 基于技术特征C的论述，对比文件未公开任何“变抗器”。因此，更不可能公开变抗器的具体类型，如“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。<br>**《未公开》** | 无 | 基于技术特征B的论述，对比文件未公开“穿基板通孔电感器”。对比文件中提到的基板可以是半导体材料（如Si）、绝缘材料或导电材料（[0021]段），并未明确限定为玻璃基板。虽然其中一种可能材料是“硅上覆绝缘体（SOIs）”（[0021]段），但这与“穿玻通孔（TGV）”是两种不同的技术。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。<br>**《未公开》** | 无 | 基于技术特征D的论述，对比文件未公开“可调谐共用器”。低通（LP）滤波器是共用器的一部分（参见目标专利图2A，102）。对比文件仅涉及电容器，未描述任何滤波器电路，特别是由电感器和变抗器构成的低通滤波器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开“第一层级”、“第二层级”、“电感器”、“变抗器”、“可调谐共用器”或“LP滤波器”。对比文件图12-13展示了电容器阵列的堆叠（[0058]-[0059]段），但这仅仅是多个相同电容结构的垂直集成，目的是进一步提高可靠性，并非不同功能元件（电感器与变抗器）在不同层级的耦合以形成滤波器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开“变抗器”、“可调谐共用器”或“滤波器”。对比文件中的电容器不具备可调性，也未提及用于调节滤波器频率（如陷波频率）的功能或应用场景。其应用背景是作为半导体存储器中的存储电容或功率放大器中的去耦电容（[0002], [0004]段），与射频滤波器的频率调谐无关。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件未公开“穿基板通孔电感器”、“可调谐共用器”或“滤波器”。对比文件中的通孔结构是电容器的电极，不具备电感特性，也未描述其用于控制滤波器截止频率的功能。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。<br>**《隐含公开》** | [0001]段：“This invention relates generally to semiconductor devices...”；[0021]段：“The substrate may be a semiconducting material... When the substrate is a semiconducting material, one or more semiconductor devices such as, for example, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices may be fabricated thereon.”；[0058]段：“The array of capacitors 200 as shown in FIG. 12 is formed by bonding two chips (Chips 1 and 2) together.” | 对比文件明确其发明涉及“半导体器件”（semiconductor devices），并详细描述了在半导体衬底（substrate）上制造器件和互连层（如[0021]段），以及将包含电容器的芯片（Chip）进行堆叠（[0058]段）。本领域技术人员公知，此类在半导体衬底上制造并可能包含多层互连和堆叠芯片的结构，即构成“三维集成电路（3DIC）”，并且通常被集成到“半导体管芯（semiconductor die）”中或由多个管芯堆叠而成。虽然对比文件未明确使用“集成到半导体管芯中”这一措辞，但根据其整体教导和所属领域的公知常识，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地确定，其所描述的三维电容器结构是制造在半导体管芯上或由多个管芯堆叠形成的三维集成电路的一部分。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。<br>**《未公开》** | 无 | 对比文件仅一般性地提及其电容器可用于“半导体器件”，例如“半导体存储器件（semiconductor memory devices）”（[0001]段）。文件中并未列举或暗示目标专利权利要求中具体罗列的各类消费电子和通信设备（如移动电话、计算机、音乐播放器等）。虽然本领域技术人员知道电容器作为一种基础元件，理论上可以用于几乎所有电子设备，但对比文件本身并未提供任何指向这些特定应用场景的教导或启示。因此，该具体应用特征未被对比文件公开。 |
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