对比文件名称：2009-04-01_KR1020090032843A_发明公开_KR1020090032843A 변형된 채널 에피층을 갖는 ＭＯＳ 트랜지스터, ＣＭＯＳ트랜지스터 및 상기 트랜지스터들의 제조방법들
目标专利名称：277具有高迁移率沟道的半导体器件CN105593985B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：源极区和漏极区之间的高迁移率沟道<br>**《直接公开》** | [6] “상기 채널 에피층 양측의 활성영역 내에 소오스/드레인들이 배치된다。”<br>（在所述沟道外延层两侧的活性区域内布置有源极/漏极。） | 对比文件[6]段明确描述了在沟道外延层（채널 에피층）的两侧布置有源极和漏极（소오스/드레인）。结合说明书全文（如[7]段、图2j等）可知，该沟道外延层（如N 채널 에피층 131， P 채널 에피층 141）由SiC、SiGe等高迁移率材料形成，用于提高载流子迁移率（参见[3], [17], [22]段），其物理位置即处于源极区和漏极区之间。因此，该“沟道外延层”实质上公开了“源极区和漏极区之间的高迁移率沟道”。 |
| **技术特征B**：其中所述高迁移率沟道基本上延伸栅极的长度<br>**《直接公开》** | [27] “나아가, 상기 N 게이트 전극의 폭(W_150n)과 상기 N 채널 에피층의 폭(W_131)은 실질적으로 동일할 수 있다.”<br>（此外，所述N栅电极的宽度(W_150n)和所述N沟道外延层的宽度(W_131)可以实质上相同。）<br>[28] “또한, 상기 P 게이트 전극의 폭(W_150p)과 상기 P 채널 에피층의 폭(W_141)은 실질적으로 동일할 수 있다.”<br>（此外，所述P栅电极的宽度(W_150p)和所述P沟道外延层的宽度(W_141)可以实质上相同。） | 对比文件[27]、[28]段明确记载了沟道外延层（채널 에피층）的宽度与栅电极（게이트 전극）的宽度“实质上相同”。说明书[27]段进一步解释，“实质上相同”包括因工艺导致的与设计值的微小偏差。这表明沟道外延层在栅极长度方向上的延伸范围与栅极本身基本一致，即“基本上延伸栅极的长度”。该描述在对比文件中的作用是确保沟道区域与栅极对准以优化器件性能（提高迁移率），与目标专利中该特征的作用（定义沟道与栅极的几何关系）相同。 |
| **技术特征C**：以及从所述源极区或所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸的掺杂区<br>**《直接公开》** | [30] “그 결과, 상기 N 게이트 전극(150n)의 주변에 노출된 N 활성영역 내에 한 쌍의 N 소오스/드레인 익스텐션들(N source/drain extensions; ne)이 형성된다. 상기 N 소오스/드레인 익스텐션들(ne)은 상기 N 채널 에피층(131)의 양측에 각각 접속할 수 있다.”<br>（结果，在所述N栅电极(150n)周围暴露的N活性区域内形成了一对N源极/漏极扩展区。所述N源极/漏极扩展区(ne)可以分别连接到所述N沟道外延层(131)的两侧。）<br>[31] “그 결과, 상기 P 게이트 전극(150p)의 주변에 노출된 P 활성영역 내에 한 쌍의 P 소오스/드레인 익스텐션들(P source/drain extensions; pe)이 형성될 수 있다. 상기 P 소오스/드레인 익스텐션들(pe)은 상기 P 채널 에피층(141)의 양측에 각각 접속할 수 있다.”<br>（结果，在所述P栅电极(150p)周围暴露的P活性区域内可以形成一对P源极/漏极扩展区。所述P源极/漏极扩展区(pe)可以分别连接到所述P沟道外延层(141)的两侧。） | 对比文件[30]、[31]段明确公开了“소오스/드레인 익스텐션들”（源极/漏极扩展区）。这些扩展区是通过离子注入掺杂形成的（[30]段：n형 불순물을 주입；[31]段：p형 불순물을 주입），因此是“掺杂区”。它们形成于栅极两侧，并“접속”（连接）到沟道外延层（채널 에피층），即从源极/漏极区朝向沟道外延层延伸。该特征在对比文件中的作用是形成轻掺杂漏极(LDD)结构以抑制短沟道效应，与目标专利中“掺杂区”作为源/漏区与沟道之间载流子路径一部分的作用虽具体目的略有侧重，但结构位置和掺杂属性相同。 |
| **技术特征D**：其中基板的一部分位于所述掺杂区和所述高迁移率沟道之间，使得所述掺杂区不与所述高迁移率沟道接触。<br>**《隐含公开》** | [33] “상기 N 소오스/드레인들(nsd)과 상기 N 채널 에피층(131)은 서로 이격 되고, 상기 N 소오스/드레인들(nsd)과 상기 N 채널 에피층(131) 사이의 활성영역 내에 N 소오스/드레인 익스텐션들(ne)이 배치될 수 있다.”<br>（所述N源极/漏极(nsd)和所述N沟道外延层(131)彼此间隔开，并且在所述N源极/漏极(nsd)和所述N沟道外延层(131)之间的活性区域内可以布置N源极/漏极扩展区(ne)。）<br>[45] “상기 N 소오스/드레인 에피층들(171)과 상기 N 채널 에피층(131)은 서로 이격 되고, 상기 N 소오스/드레인 에피층들(171)과 상기 N 채널 에피층(131) 사이의 활성영역 내에 N 소오스/드레인 익스텐션들(ne)이 배치될 수 있다.”<br>（所述N源极/漏极外延层(171)和所述N沟道外延层(131)彼此间隔开，并且在所述N源极/漏极外延层(171)和所述N沟道外延层(131)之间的活性区域内可以布置N源极/漏极扩展区(ne)。） | 对比文件[33]和[45]段均明确描述了源极/漏极区（无论是注入形成的nsd/psd，还是外延生长的171/181）与沟道外延层（131/141）“서로 이격 되고”（彼此间隔开）。间隔开的区域是“활성영역”（活性区域）。在半导体器件中，活性区域通常由基板材料（如硅）构成，并且是未特意进行沟道替换或外延生长的区域。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，在间隔开的源极/漏极区（或其扩展区）与沟道外延层之间，存在由基板原始材料（即“基板的一部分”）构成的空间或区域。这使得掺杂区（无论是深注入区还是外延掺杂区）与高迁移率沟道（沟道外延层）不直接接触。该结构在对比文件中的作用是实现器件隔离和形成LDD，而目标专利中用于在截止态抑制泄漏，虽然具体作用描述不同，但“间隔”的物理结构已被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述掺杂区从所述源极区朝所述高迁移率沟道延伸。<br>**《隐含公开》** | [30] “그 결과, 상기 N 게이트 전극(150n)의 주변에 노출된 N 활성영역 내에 한 쌍의 N 소오스/드레인 익스텐션들(N source/drain extensions; ne)이 형성된다. 상기 N 소오스/드레인 익스텐션들(ne)은 상기 N 채널 에피층(131)의 양측에 각각 접속할 수 있다.”<br>（结果，在所述N栅电极(150n)周围暴露的N活性区域内形成了一对N源极/漏极扩展区。所述N源极/漏极扩展区(ne)可以分别连接到所述N沟道外延层(131)的两侧。） | 技术特征E是技术特征C的下位限定，指定了掺杂区从“源极区”延伸。对比文件公开了成对的“源极/漏极扩展区”（[30]段的ne），它们分别位于沟道两侧。根据MOS晶体管工作原理，沟道一侧的扩展区必然与源极区电学连接并从中延伸出来，另一侧则与漏极区连接。虽然对比文件未明确指定哪一侧是源极，但本领域技术人员知晓，在对称的MOSFET结构中，源极和漏极在物理结构上是对称的，任一侧均可作为源极。因此，从沟道任意一侧的扩展区，都可以合理地推断出存在一个从该侧源极区朝沟道延伸的掺杂区。这是本领域的公知常识。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述掺杂区从所述漏极区朝所述高迁移率沟道延伸。<br>**《隐含公开》** | [30] “그 결과, 상기 N 게이트 전극(150n)의 주변에 노출된 N 활성영역 내에 한 쌍의 N 소오스/드레인 익스텐션들(N source/drain extensions; ne)이 형성된다. 상기 N 소오스/드레인 익스텐션들(ne)은 상기 N 채널 에피층(131)의 양측에 각각 접속할 수 있다.”<br>（结果，在所述N栅电极(150n)周围暴露的N活性区域内形成了一对N源极/漏极扩展区。所述N源极/漏极扩展区(ne)可以分别连接到所述N沟道外延层(131)的两侧。） | 与特征E同理，这是技术特征C的另一下位限定。对比文件公开了成对的源极/漏极扩展区。基于MOS晶体管结构的对称性，沟道两侧中未被选为源极的一侧自然就是漏极。因此，可以合理推断存在从漏极区朝高迁移率沟道延伸的掺杂区（即扩展区）。该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，进一步包括栅极，其中所述高迁移率沟道耦合到所述栅极。<br>**《直接公开》** | [25] “상기 채널 에피층 상에 상기 개구부의 적어도 하부영역을 채우는 게이트 전극을 형성한다.”<br>（在所述沟道外延层上形成填充所述开口的至少下部区域的栅电极。）<br>[27] “상기 N 채널 에피층(131)과 상기 N 게이트 전극(150n)은 상기 제1 개구부(123n)에 의해 패터닝되었으므로, 상기 N 채널 에피층(131)은 상기 N 게이트 전극(150n)에 자기 정렬(self-align)될 수 있다.”<br>（由于所述N沟道外延层(131)和所述N栅电极(150n)由所述第一开口(123n)图案化，因此所述N沟道外延层(131)可以与所述N栅电极(150n)自对准。） | 对比文件[25]段明确记载了在沟道外延层（채널 에피층）上形成栅电极（게이트 전극）。[27]段进一步说明沟道外延层与栅电极是自对准的，表明两者在位置上是紧密关联且接触的，即“耦合”。图2g、2j等也清楚显示了栅电极150n/150p形成于沟道外延层131/141之上。因此，“包括栅极，且高迁移率沟道耦合到栅极”这一特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括耦合到所述栅极的分隔件，其中所述掺杂区与所述分隔件接触。<br>**《隐含公开》** | [32] “상기 하부 스페이서 절연막(161) 상에 상부 스페이서 절연막을 형성하고, 상기 상부 스페이서 절연막을 이방성 식각(anisotropic etch)하여 상부 스페이서(163)형성한 후, 상기 상부 스페이서(163)를 마스크로 하여 상기 하부 스페이서 절연막(161)을 식각하여 L형인 하부 스페이서(161')를 형성할 수 있다.”<br>（在所述下部间隔物绝缘膜(161)上形成上部间隔物绝缘膜，将所述上部间隔物绝缘膜各向异性蚀刻以形成上部间隔物(163)后，以所述上部间隔物(163)为掩模蚀刻所述下部间隔物绝缘膜(161)，可以形成L型的下部间隔物(161')。）<br>[33] “상기 제5 포토레지스트 패턴, 상기 N 게이트 전극(150n) 및 상기 N 게이트 전극(150n)의 측벽에 위치하는 스페이서들(161', 163)을 마스크로 하여 상기 N 활성영역 내에 n형 불순물을 이온주입한다. 그 결과, 상기 스페이서들(161', 163)의 주변에 노출된 N 활성영역 내에 한 쌍의 N 소오스/드레인들(N source/drain regions; nsd) 즉, 한 쌍의 n형 불순물 확산영역들이 형성된다。”<br>（以所述第五光刻胶图案、所述N栅电极(150n)及位于所述N栅电极(150n)侧壁的间隔物们(161', 163)为掩模，向所述N活性区域内离子注入n型杂质。结果，在所述间隔物们(161', 163)周围暴露的N活性区域内形成一对N源极/漏极(N source/drain regions; nsd)，即一对n型杂质扩散区域。） | 对比文件[32]段描述了在栅电极侧壁形成间隔物（스페이서，即spacer，等同于分隔件）。[33]段明确记载了以“位于栅电极侧壁的间隔物们(161', 163)”作为掩模进行离子注入，从而形成源极/漏极区（nsd）。这意味着形成的源极/漏极区（即掺杂区）的边界是由间隔物定义的，因此该掺杂区必然与间隔物相邻并接触。图2i也清晰地显示了这一结构。因此，“分隔件耦合到栅极”以及“掺杂区与分隔件接触”这两个技术特征被对比文件直接公开（分隔件结构）和隐含公开（接触关系，由注入掩模工艺必然得出）。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述掺杂区与所述源极区或所述漏极区接触，并且其中所述掺杂区与所述基板和分隔件接触。<br>**《隐含公开》** | [33] “상기 제5 포토레지스트 패턴, 상기 N 게이트 전극(150n) 및 상기 N 게이트 전극(150n)의 측벽에 위치하는 스페이서들(161', 163)을 마스크로 하여 상기 N 활성영역 내에 n형 불순물을 이온주입한다. 그 결과, 상기 스페이서들(161', 163)의 주변에 노출된 N 활성영역 내에 한 쌍의 N 소오스/드레인들(N source/drain regions; nsd) 즉, 한 쌍의 n형 불순물 확산영역들이 형성된다。”<br>（以所述第五光刻胶图案、所述N栅电极(150n)及位于所述N栅电极(150n)侧壁的间隔物们(161', 163)为掩模，向所述N活性区域内离子注入n型杂质。结果，在所述间隔物们(161', 163)周围暴露的N活性区域内形成一对N源极/漏极(N source/drain regions; nsd)，即一对n型杂质扩散区域。）<br>结合[30]段关于扩展区(ne)从属于源极/漏极区的描述。 | 该特征包含三个接触关系：1) 掺杂区与源/漏区接触；2) 掺杂区与基板接触；3) 掺杂区与分隔件接触。<br>对于1)：对比文件[30]段表明扩展区(ne)是源极/漏极区的一部分或与之连接。[33]段形成的深源/漏区(nsd)本身即是重掺杂的源极/漏极区。因此，掺杂区（无论是扩展区ne/pe还是深区nsd/psd）与源极/漏极区是一体或接触的。<br>对于2)：掺杂区是通过向活性区域（활성영역）注入杂质形成的（[33]段），活性区域是基板的一部分。因此，掺杂区必然形成于基板内并与基板材料接触。<br>对于3)：已在特征H中论述，掺杂区以间隔物为掩模形成，故必然与间隔物接触。<br>因此，这三个接触关系均能从对比文件的描述和标准MOSFET制造工艺中合理推断出来，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，在所述半导体器件处于导通状态时，所述掺杂区与所述源极区或所述漏极区之间的结启用从所述源极区到所述漏极区的高迁移率载流子路径。<br>**《未公开》** | 对比文件未明确描述导通状态下“掺杂区与源极/漏极区之间的结”对“启用高迁移率载流子路径”的具体作用机制。 | 目标专利说明书[0050]段描述，在导通状态时，“掺杂区与源极/漏极区之间的结可以在导通状态时启用源极/漏极区之间的高迁移率载流子路径”。这是一种对结在器件工作中所起功能的特定描述。对比文件虽然公开了包含高迁移率沟道和掺杂区（扩展区）的MOSFET结构，并且其整体目的也是提高迁移率（[2], [3], [10]段），但并未具体阐述“掺杂区与源极/漏极区之间的结”在导通时对于“启用高迁移率载流子路径”所起的独特作用。对比文件关注于通过应变材料本身（沟道外延层）和源/漏外延层施加的应力来提高迁移率（[42], [50]段），而非通过特定的结功能来“启用”路径。因此，该功能性限定未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，在所述半导体器件处于截止状态时，所述掺杂区与所述高迁移率沟道之间的结提供用于抑制电流泄漏的阻挡层。<br>**《未公开》** | 对比文件未提及在截止状态下“掺杂区与高迁移率沟道之间的结”具有提供“抑制电流泄漏的阻挡层”的功能。 | 目标专利说明书[0007], [0009], [0050]等段多次强调，其发明的一个关键点在于通过使掺杂区与高迁移率沟道分离（中间有基板部分），利用两者之间的结在截止态抑制泄漏电流。这是目标专利要解决的核心技术问题之一。对比文件全文均未提及或暗示其结构具有在截止态抑制经由高迁移率沟道泄漏电流的功能或优势。对比文件要解决的是“충분한 변형을 유도할 수 없어”（无法诱导充分变形）的问题（[4]段），其技术效果是提高迁移率（[10]段）。因此，该关于截止状态泄漏抑制的功能性特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述基板的所述部分与一分隔件接触，并且其中所述基板包括硅。<br>**《直接公开》** | [13] “상기 기판(100)은 실리콘 단결정 기판(silicon single crystal substrate) 또는 SOI(Silicon On Insulator)기판의 실리콘 단결정층일 수 있다.”<br>（所述基板(100)可以是硅单晶基板或SOI基板的硅单晶层。）<br>结合特征D的论述及图2i，位于掺杂区与沟道外延层之间的活性区域（基板部分）紧邻由间隔物定义的注入窗口。 | 对比文件[13]段明确公开基板（기판）包含硅（실리콘）。关于“基板的所述部分与一分隔件接触”，在特征D和H的论述基础上，位于掺杂区（如nsd）与沟道外延层之间的那部分基板（活性区域），其靠近栅极的一侧边界是由间隔物(161', 163)定义的。在如图2i所示的结构中，间隔物直接位于这部分基板区域的上方侧壁，两者之间存在物理接触。这是MOSFET间隔物结构的必然结果。因此，该特征被对比文件直接公开（基板材料）和隐含公开（接触关系）。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述掺杂区不在所述栅极下延伸。<br>**《隐含公开》** | [33] “상기 제5 포토레지스트 패턴, 상기 N 게이트 전극(150n) 및 상기 N 게이트 전극(150n)의 측벽에 위치하는 스페이서들(161', 163)을 마스크로 하여 상기 N 활성영역 내에 n형 불순물을 이온주입한다.”<br>（以所述第五光刻胶图案、所述N栅电极(150n)及位于所述N栅电极(150n)侧壁的间隔物们(161', 163)为掩模，向所述N活性区域内离子注入n型杂质。） | 对比文件[33]段描述，深源/漏区（nsd/psd）是以栅电极和其侧壁的间隔物共同作为掩模进行离子注入形成的。使用间隔物作为掩模是标准的MOSFET工艺，其目的正是为了防止掺杂杂质注入到栅极正下方的沟道区域，从而形成与栅极自对准但被间隔物横向偏移开的深结。因此，以这种方式形成的掺杂区（深源/漏区）必然“不在栅极下延伸”。虽然扩展区(ne/pe)可能部分位于栅极下方（因为是栅极单独作为掩模注入的），但权利要求中的“掺杂区”可以理解为包括深源/漏区。从对比文件公开的工艺可以合理推断，存在一种掺杂区（即深源/漏区）不在栅极下延伸。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，所述高迁移率沟道不在分隔件下延伸。<br>**《直接公开》** | [27] “상기 N 채널 에피층(131)은 상기 N 게이트 전극(150n)에 자기 정렬(self-align)될 수 있다. 이로써, 상기 N 채널 에피층(131) 내부에만 채널이 형성될 수 있어...”<br>（所述N沟道外延层(131)可以与所述N栅电极(150n)自对准。由此，可以仅在所述N沟道外延层(131)内部形成沟道...）<br>[16] “상기 N 채널 트렌치 폭(W_TCN)은 상기 제1 개구부의 폭(W_123n)과 실질적으로 동일할 수 있다.”<br>（所述N沟道沟槽的宽度(W_TCN)可以与所述第一开口的宽度(W_123n)实质上相同。） | 对比文件[27]段强调，沟道外延层（高迁移率沟道）与栅电极自对准，且沟道仅形成于该外延层内部。[16]段说明沟道沟槽的宽度由硬掩模开口的宽度定义。参考图2g，栅电极150n填充了该开口的下部。间隔物是在形成栅电极之后才在栅电极侧壁上形成的（[32]段）。因此，沟道外延层（131/141）的宽度由最初的沟槽决定，并与栅电极同宽。后续形成的间隔物位于栅电极侧壁之外，覆盖在沟道外延层两侧的基板（活性区域）上。所以，高迁移率沟道（外延层）的横向范围被限定在栅电极宽度内，不会延伸到后续形成的分隔件（间隔物）下方。该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述基板的所述部分与所述掺杂区之间的结位于分隔件之下。<br>**《隐含公开》** | [33] “그 결과, 상기 스페이서들(161', 163)의 주변에 노출된 N 활성영역 내에 한 쌍의 N 소오스/드레인들(N source/drain regions; nsd) 즉, 한 쌍의 n형 불순물 확산영역들이 형성된다。”<br>（结果，在所述间隔物们(161', 163)周围暴露的N活性区域内形成一对N源极/漏极(N source/drain regions; nsd)，即一对n型杂质扩散区域。）<br>结合图2i，掺杂区(nsd)的边界（即其与基板的结）由间隔物掩模的边缘定义。 | 对比文件[33]段说明，掺杂区（深源/漏区nsd）是在间隔物（스페이서들）周围暴露的活性区域中形成的。这意味着掺杂区的内边界（即靠近沟道的一端）是由间隔物的外边缘定义的。因此，掺杂区与未被注入的基板材料（即“基板的所述部分”）之间的冶金结，必然位于间隔物的正下方或紧邻间隔物边缘下方的区域。这是以间隔物为注入掩模工艺的自然结果。因此，本领域技术人员能够合理推断“结位于分隔件之下”。该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述高迁移率沟道和所述掺杂区被集成在至少一个半导体管芯中。<br>**《隐含公开》** | 全文描述了在基板（기판）上制造包含沟道外延层和掺杂区的MOS/CMOS晶体管。例如[6]段描述了MOS晶体管的结构，[69]-[72]段列出了附图说明。 | 对比文件公开的是一种半导体晶体管及其制造方法。本领域技术人员公知，通过所述制造方法形成的晶体管结构，最终会被制作在半导体晶圆上，并经过切割、封装等步骤成为独立的半导体管芯（die）。因此，将所公开的晶体管结构“集成在至少一个半导体管芯中”是该技术领域的常规和必然结果。该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述高迁移率沟道和所述掺杂区被集成到移动电话、蜂窝电话、便携式计算机、无线电装置、卫星无线电装置、通信设备、便携式音乐播放器、便携式数字视频播放器、导航设备、个人数字助理(PDA)、移动位置数据单元、或其组合中。<br>**《隐含公开》** | 对比文件未明确列举具体的终端应用设备。 | 对比文件[2]段指出“MOS 트랜지스터는 전자 산업에서 널리 사용되고 있는 소자로서”（MOS晶体管是电子产业中广泛使用的器件）。高迁移率晶体管是提高集成电路性能的关键部件。本领域技术人员知晓，此类通用性能提升的半导体器件，可以应用于各种电子设备，包括但不限于权利要求所列的移动电话、计算机、通信设备、便携式娱乐及导航设备等。这是半导体器件行业的普遍常识和应用场景。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述高迁移率沟道和所述掺杂区被集成到机顶盒、娱乐单元、固定位置数据单元、台式计算机、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、音乐播放器、数字音乐播放器、视频播放器、数字视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、或其组合中。<br>**《隐含公开》** | 对比文件未明确列举具体的终端应用设备。 | 与特征Q同理，对比文件公开的高性能MOS/CMOS晶体管作为一种基础电子元件，其应用范围非常广泛，不仅包括移动设备，也必然包括各种固定位置的电子设备，如家用电器（电视、机顶盒）、计算机外围设备、音视频播放设备等。将这些器件集成到此类设备中，是本领域技术人员容易想到的常规应用。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
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