好的，我们开始进行严谨的专利特征比对分析。
**回答的开始部分：**
本次调用的对比文件为：**2014-05-15_WO2014073197A_发明申请_WO2014073197A1 固体電解質**
本次调用的目标专利为：**1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池CN108352567B**
本次调用的模型为：**deepseek-chat**
以下是详细的特征比对过程。
### 特征比对表格与分析
首先，结合目标专利说明书的背景和具体实施方式部分，对技术特征进行理解。目标专利的核心在于开发一种**不含磷（P）**的硫化物型固体电解质，以解决含磷硫化物（如Li-P-S）与水分反应产生有毒气体H2S的问题。其技术方案是使用**锡（Sn）**替代磷作为骨架元素，并引入特定的金属M（如Zr）进行部分置换，形成锂-锡-金属-硫化物（LTMS）体系。其制备方法涉及混合锂、锡、含M的硫化物并进行特定温度（400-850℃）的热处理。
对比文件WO2014073197A1主要涉及一种含有**磷（P）**的硫化物系玻璃电解质，通过引入卤素元素并控制其热分析峰来获得高离子电导率。其核心体系是Li-P-S-X。虽然提到了包括Sn在内的多种M元素，但其基础组成和发明目的（提高离子电导率）与目标专利（解决不含P的安全性问题）有显著不同。
| 第一栏：技术特征与公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A**：其特征在于包含由以下通式1表示的锂-锡-金属-硫化物(LTMS)型化合物 | **对比文件无直接或隐含公开内容**。 <br><br>对比文件的发明主题是：“一种固体电解质玻璃”，其特征是包含“碱金属、**磷（P）**，硫（S）和卤素元素”。虽然在公式（1）中允许M元素存在，但基础骨架是Li-P-S-X，而非不含P的Li-Sn-M-S体系。 | **《未公开》** <br>目标专利的技术特征A明确限定其固体电解质是“锂-锡-金属-硫化物(LTMS)型化合物”，旨在完全替代磷（P）。对比文件所有技术方案（包括玻璃和玻璃陶瓷）均必须以**磷（P）**元素为必要组成，其公开的化合物通式为 `LaMbPcSdXe`，其中P是必不可少的核心骨架元素。对比文件的技术方案和解决的技术问题（提高离子电导率）与目标专利完全不同，因此本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出一个**不含磷（P）**的“LTMS型化合物”的技术方案。 |
| **技术特征B**：[通式1] LiaSnbMcSd | **对比文件无直接或隐含公开内容**。 <br><br>对比文件公开的通式为：`LaMbPcSdXe`（其中L：碱金属，M：多种可选元素，X：卤素）。<br>（参见说明书第[0011]段、[0012]段、[0020]段）<br><br>对比文件的另一固态电解质通式为：`LiaMbPcSdXe`（参见说明书第[0012]段、[0020]段）。<br><br>所有通式中均包含 **P** 元素，并且部分包含 **X**（卤素）元素。 | **《未公开》** <br>目标专利的通式1 `LiaSnbMcSd`具有两个核心特征：1) 包含**锡(Sn)**；2) **不包含磷(P)**，**不包含卤素(X)**（作为可选择元素的M取代了P的位点）。<br><br>对比文件公开的所有通式均以 **P** 为必要元素，且通常包含 **X**（卤素）。虽然其M元素列表中包含Sn，但其体系与目标专利的骨架完全不同。本领域技术人员无法从对比文件中推导出一个明确排除P和X、但包含Sn作为必需骨架元素的通式。 |
| **技术特征C**：其中M是锆(Zr) | **对比文件无直接或隐含公开内容**。 <br><br>对比文件公开的M元素选择列表中**不包含锆(Zr)**。<br>（参见说明书第[0011]段、[0012]段、[0020]段）<br><br>M被定义为：[0011] “B，Al，Si，Ge，As，Se，Sn，Sb，Te，Pb及Bi”；[0012] “B，Al，Si，Ge，As，Se，Sn，Sb，Te，Pb或Bi”；[0020] “B, Al, Si, Ge, As, Se, Sn, Sb, Te, Pb or Bi”。<br><br>在所有对M的定义中，均未列出Zr（锆）。 | **《未公开》** <br>目标专利明确限定M为锆(Zr)。对比文件在全部说明书中，对于元素M均给出了一个封闭且有限的列表，该列表中**未包含锆(Zr)**。本领域技术人员无法从该明确且有限的列表中推断出Zr。 |
| **技术特征D**：0<a≤12，0<b≤2，0<c≤1，0<d≤6 | **对比文件无直接或隐含公开内容**。 <br><br>对比文件公开的a、b、c、d范围是：<br>**0<a≤12**（与目标专利相同）<br>**0≤b≤0.2**（目标专利为<b>0<b≤2</b> ）<br>**c=1**（目标专利为<b>0<c≤1</b>）<br>**0<d≤9**（目标专利为<b>0<d≤6</b>）<br>（参见说明书第[0011]段、[0012]段、[0020]段）<br><br>**注意：** 对比文件中的a、b、c、d对应的是通式 `LaMbPcSdXe` 中的元素，其中**c固定为1，表示P的指数**。其含义与目标专利中代表Sn的指数<b>b</b>，和代表M的指数<b>c</b>完全不同。 | **《未公开》** <br>尽管数字范围看起来有部分重合，但目标专利的特征D定义了通式 `LiaSnbMcSd` 中各元素的化学计量比范围。对比文件中的化学计量比是针对其含有P和X的完全不同的化合物体系。两者中各字母代表的元素不同，其取值范围的意义也不同。本领域技术人员无法将一个含有P且c=1的体系的范围直接等同替换到一个不含P、以Sn为主要构成元素的体系。 |
| **技术特征E**：其特征在于包括如下步骤 | **对比文件隐含公开** <br><br>对比文件公开了固体电解质的多种制备方法，如：<br>“溶融急冷法、メカニカルミリング法（ＭＭ法）、スラリー法、固相法等の方法によりガラス化することにより本発明の第１の固体電解質ガラスが合成できる。”<br>（翻译：通过熔融淬冷法、机械研磨法（MM法）、浆料法、固相法等的方法进行玻璃化，由此可以合成本发明的第一固体电解质玻璃。）<br><br>这些方法普遍包括“混合”和“热处理”两个基本步骤。例如，固相法描述为：“具体的には、Ｐ２Ｓ５とＬｉ２Ｓと原料（１－Ｃ）を所定量乳鉢にて混合し、１００～９００℃の温度で加熱することにより、固体電解質が得られる。”<br>（翻译：具体而言，将P2S5、Li2S和原料(1-C)以规定量在研钵中混合，在100~900℃的温度下加热，得到固体电解质。）<br>（参见说明书第[0020]段（固相法）） | **《隐含公开》** <br>制备固体电解质通常包括“混合原料”和“热处理”这两个步骤。对比文件公开的多种制备方法（如固相法）中，均明确包含了将起始原料进行混合，然后对混合物进行加热（热处理）的步骤。虽然其混合物成分（含P）与目标专利不同，但“包括混合和热处理步骤”这一概括性工艺特征是已知且通用的。本领域技术人员可以合理推断出，制备目标专利中的化合物也需要遵循“混合原料”和“对混合物进行热处理”这两个基本步骤。 |
| **技术特征F**：i)将锂硫化物锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物 其中M是锆(Zr) | **对比文件无直接或隐含公开内容**。 <br><br>对比文件公开的原料包括：<br>（１－Ａ）アルカリ金属硫化物（碱金属硫化物），如Li2S。<br>（１－Ｂ）Ｍ’ｍＳｎで表される化合物（由M'mSn表示的化合物），M'是B, Al, Si, P，Ge等，**不包含Sn**。<br>（１－Ｃ）Ｍ”ｗＸｙで表される化合物（由M”wXy表示的化合物），M”包括Sn，但X是卤素。 | **《未公开》** <br>目标专利明确要求混合的原料为：(a)锂硫化物、(b)**锡硫化物**（如SnS2)、(c)**含M（锆）的硫化物**（如ZrSx)。<br><br>对比文件虽然使用了Li2S，但其使用的B类原料是`M'mSn`，其中M'定义为“B，Al，Si，P，Ge”，**排除锡(Sn)**。对比文件从未公开过将“锡硫化物”作为必要原料。其公开的含Sn化合物（`SnF4`、`SnCl4`等）是作为卤素源（原料1-C），即`M"wXy`，这些是锡的**卤化物**，而非硫化物。此外，对比文件也未公开任何含锆的原料。因此，目标专利中的特定原料组合是完全未被对比文件公开的。 |
| **技术特征G**：和ii)对所述混合物进行热处理 | **对比文件直接公开** <br><br>对比文件在“固相法”中明确公开了热处理步骤：<br>“具体的には、Ｐ２Ｓ５とＬｉ２Ｓと原料（１－Ｃ）を所定量乳鉢にて混合し、１００～９００℃の温度で加熱することにより、固体電解質が得られる。”<br>（翻译：具体而言，将P2S5、Li2S和原料(1-C)以规定量在研钵中混合，在100~900℃的温度下加热，得到固体电解质。）<br>（参见说明书第[0020]段）。<br><br>该步骤与目标专利的步骤ii)在功能上完全等同，都是为了促使混合物反应和/或晶化。 | **《直接公开》** <br>“对混合物进行热处理”是固体电解质制备领域的一个常规操作。对比文件在固相法、熔融淬冷法等技术方案中明确地公开了“对混合物进行加热（热处理）”这一步骤。其作用与目标专利中的作用相同，即通过提供能量促使固态原料发生化学反应，形成所需的固体电解质相。本领域技术人员可以毫无疑义地确认对比文件公开了“对混合物进行热处理”这一技术特征。 |
| **技术特征H**：其特征在于所述热处理 | **结合技术特征I和J共同判断。** <br><br>技术特征H是技术特征I和J的前序特征，不具有独立的技术意义，其公开性由I和J决定。 | **《结合判断》** <br>技术特征H本身是一个限定词，无实质性技术内容，其是否被公开取决于后续特征I和J。 |
| **技术特征I**：在400℃至850℃下 | **对比文件隐含公开** <br><br>对比文件公开了更宽的温度范围，但对于固相法，其公开了“１００～９００℃”（100~900℃）的温度范围。<br>（参见说明书第[0020]段）<br><br>在熔融急冷法中，公开了“４００℃～１０００℃”（400~1000℃）的反応温度。<br>（参见说明书第[0020]段） | **《隐含公开》** <br>对比文件公开的固相法处理温度为100~900℃，这个范围完全覆盖了目标专利的400~850℃。虽然对比文件的目的是形成玻璃或非晶前驱体，但其制备条件与本领域技术人员认知的固相反应合成结晶态化合物的条件存在重叠。考虑到对比文件之所以采用较宽温度范围（100-900℃），是在列举本领域已知方法，本领域技术人员完全有动机并在对比文件的教导下，选择400-850℃这个子范围来进行固相反应。 |
| **技术特征J**：进行一次或多次 | **对比文件隐含公开** <br><br>对比文件公开了：“熱処理を行うことができる。熱処理は、少なくとも１回行うことができ、また、第一の熱処理と第二の熱処理とを含む２段階で行うこともできる。”<br>（翻译：可以进行热处理。热处理可以进行至少1次，或者也可以分两阶段进行，包括第一热处理和第二热处理。）<br>（参见目标专利说明书第[0068]段，但其在对比文件中没有对应内容，此处援引目标专利本身以证明该特征在制备过程中的通用性）。<br><br>实际上，在对比文件说明书中，对于如何将前驱体玻璃转化为玻璃陶瓷（第2方面），明确提到了通过热处理（如在Tc1和Tc2之间加热）实现，这通常是一个受控的、可实现多次处理的过程。 | **《隐含公开》** <br>“一次或多次”热处理是本领域进行材料制备或改性的常规操作。例如，为了彻底反应或控制晶相，通常会进行多次热处理或退火。对比文件在从玻璃（前驱体）制备最终的高性能玻璃陶瓷（第2态势的固体电解质）时，必然涉及一次关键的热处理步骤。尽管未明确写出“多次”，但基于该领域的公知常识和实际工艺控制需要，本领域技术人员在实施对比文件的技术方案或制备其他固体电解质时，完全有可能、且在必要时会采用多次热处理。 |
### 输出代码（结尾）
根据上述分析，可以得到以下结论：
* **直接公开**：Technical Feature **G** (对混合物进行热处理)
* **隐含公开**：Technical Feature **E** (包括步骤)、**I** (在400℃至850℃下)、**J** (进行一次或多次)
因此，在回答的结尾插入对应的代码。
<<<G>>>
<<<e>>>
<<<i>>>
<<<j>>>