对比文件名称：2014-10-01_KR1020140116158A_发明公开_KR1020140116158A 황화물 고체 전해질 재료, 전지 및 황화물 고체 전해질 재료의 제조 방법
目标专利名称：1622硫化物型固体电解质和应用其的全固态电池 CN108352567B
调用模型名称：GPT-4
---
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（译成中文） | 公开性论述 | |
| **技术特征A**：其特征在于包含由以下通式1表示的锂‑锡‑金属‑硫化物(LTMS)型化合物<br>**公开性判断：未公开** | [0036] “提供一种硫化物固体电解质材料，其含有M1元素、M2元素及S元素，所述M1是选自Li、Na、K、Mg、Ca、Zn中的至少一种，所述M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，并且所述M2至少含有P和Sn。” | 对比文件明确要求所述M2必须包含P和Sn，所公开的硫化物固体电解质均为Li–M2–S体系且必然含有磷。目标专利的通式1为锂‑锡‑金属‑硫化物（LTMS）型化合物，其核心特征是不含磷元素（参见目标专利说明书[0031]：“一定含有锂(Li)和硫(S)但不含磷元素(P)”）。对比文件未公开任何不含磷的LTMS型化合物，故本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出技术特征A所述的技术方案，也未能从对比文件合理推断出不含磷的LTMS型化合物。 | |
| **技术特征B**：[通式1] LiaSnbMcSd<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件中出现的最接近的通式为Li(4‑x)Sn(1‑x)PxS4（[0049]等）或Li(4‑x)(Ge1‑δSnδ)(1‑x)PxS4（[0047]），均为Li‑Sn‑P‑S四元体系通式，未出现仅由Li、Sn、M（本发明M为Zr）、S四种元素组成的通式LiaSnbMcSd。 | 对比文件的所有通式均包含磷元素，且M2位置至少同时含有P和Sn，不存在如通式1所示的仅由Li、Sn、M、S四种元素构成的通式。本领域技术人员无法由对比文件得到该特定通式形式。 | |
| **技术特征C**：其中M是锆(Zr)<br>**公开性判断：未公开** | [0009] “所述M2是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种”且“所述M2至少含有P和Sn”。<br>[0036] 同样列出Zr作为可选元素。 | 虽然对比文件在M2元素列表中包含了Zr，但其核心限定是M2必须同时含有P和Sn，故Zr仅作为可选的附加元素存在，且实际所有实施例均未使用Zr。目标专利的技术特征C要求M是锆(Zr)，即通式1中金属M唯一地为Zr，且该化合物不含磷（通过[0031]明确排除P）。对比文件没有公开任何不含P且M为Zr的固体电解质，也无任何示例表明可单独以Zr替代P。因此，本领域技术人员不能从对比文件“M2可包括Zr”的记载直接或合理推断出M=Zr且不含P的技术方案。 | |
| **技术特征D**：0<a≤13, 0<b≤2, 0<c≤2, 3<d≤15<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件实施例1组成Li3.275Sn0.275P0.725S4（[0108]），对应a=3.275, b=0.275, c=0.725, d=4，数值上落入所述范围。但该化合物中c对应P而非Zr，且体系含P。 | 特征D是基于通式1且M=Zr的特定化合物的组成范围。对比文件公开的数值虽在数值上与该范围重叠，但其是针对含磷体系（M2至少含有P和Sn）的Li‑Sn‑P‑S化合物，并非目标专利所要求的不含磷的Li‑Sn‑Zr‑S体系。因此，对比文件未公开在M=Zr前提下满足该数值范围的化合物，本领域技术人员也无法从对比文件得到该范围的技术启示。 | |
| **技术特征E**：其特征在于包括如下步骤<br>**公开性判断：直接公开** | [0082] “提供一种硫化物固体电解质材料的制造方法，其特征在于具有：……的离子传导性材料合成工序，和……的加热工序。” | 对比文件明确公开了其制造方法包含一系列步骤，该文字直接表明方法包括步骤。特征E仅为方法前序的一般性表述，对比文件中存在对应的步骤公开。 | |
| **技术特征F**：i)将锂硫化物、锡硫化物和含M的硫化物混合以得到混合物，其中M是锆(Zr)<br>**公开性判断：未公开** | [0046]、[0107]等实施例均以Li2S（锂硫化物）、P2S5（磷硫化物）、SnS2（锡硫化物）为原料，未使用任何含锆的硫化物（如ZrS3等）。<br>[0089]列出的M2硫化物包括MeS2类（ZrS2），但未在具体实施例中实施。 | 对比文件的方法中从未使用含锆的硫化物作为原料，且其原料组成必须包含P2S5以满足M2至少含P和Sn的要求。目标专利的特征F明确要求M是Zr，即原料中必须使用含Zr硫化物，并且不含磷硫化物。对比文件无任何公开或暗示可选用含Zr硫化物替代磷硫化物，故本领域技术人员不能从对比文件得到该混合步骤。 | |
| **技术特征G**：和ii)对所述混合物进行热处理<br>**公开性判断：未公开** | [0082] “通过加热所述非晶质化离子传导性材料得到所述硫化物固体电解质材料的加热工序。”<br>[0084]说明先对原料进行球磨获得非晶质化离子传导性材料，再加热该非晶质材料。 | 对比文件中的加热步骤是针对经机械研磨得到的非晶质化离子传导性材料进行的，而不是直接对初始混合的原料粉末（混合物）进行热处理。对比文件强调机械研磨的必要性（[0085]认为一次非晶质化后加热才能获得高离子电导率相），因此本领域技术人员无法从对比文件得出可省略机械研磨、直接对混合物进行热处理的方案。特征G未被直接或隐含公开。 | |
| **技术特征H**：其特征在于所述热处理<br>**公开性判断：未公开** | 该特征是对步骤ii中“热处理”的引述，其含义为“所述热处理”具有后续限定的特征。由于步骤ii（特征G）本身未被公开，该引述失去基础，并且对比文件中热处理的对象和时机均不相同，故特征H未公开。 | 特征H系对特征G中热处理的进一步说明，在对比文件的方法中不存在相同的热处理步骤（见特征G论述），故不能认为对比文件公开了该特征。 | |
| **技术特征I**：在400℃至850℃下<br>**公开性判断：隐含公开** | [0098] “加热温度优选300℃以上，更优选350℃以上，进一步优选400℃以上，特别优选450℃以上；另一方面，所述加热温度优选1000℃以下，更优选700℃以下，进一步优选650℃以下，特别优选600℃以下。” | 对比文件公开了加热温度的宽范围（300‑1000℃）及多个优选子范围（如400‑600℃）。400‑850℃完全落入其所公开的300‑1000℃的范围之内，且包含了其优选的下限400℃和上限600℃；850℃作为1000℃以下的温度也被覆盖。本领域技术人员阅读对比文件后能够合理使用该温度区间进行加热，故认为特征I被对比文件隐含公开。 | 允许合理推断该温度区间可用于类似材料的热处理。 |
| **技术特征J**：进行一次或多次<br>**公开性判断：隐含公开** | [0082]‑[0098]仅描述了一次加热工序，未明确记载重复加热。 | 在固体电解质材料的热处理中，进行一次或多次加热是本领域的常规技术手段，对比文件虽未明示但亦未排除多次加热的可能性。本领域技术人员根据对比文件的总体教导，可以合理选择进行多次热处理以达到所需结晶度，因此特征J被隐含公开。 |
---
### 公开性代码总结
根据上述判断，仅技术特征E被对比文件直接公开，技术特征I和J被对比文件隐含公开，其余特征均未公开。
对应代码插入如下：
<<<E>>>
<<<i>>>
<<<j>>>