对比文件名称：2014-12-04_US2014354924A_发明申请_US20140354924A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
目标专利名称：1640偏光板CN108603966B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1-32B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：应用于对波长为550nm的光的反射率为12%或更大的显示面板《隐含公开》** | 对比文件[0085]公开了“液晶显示装置具有其中滤色器层形成在第一基板上的TFT上而没有黑矩阵的COT类型”。[0048]公开了“突起图案由至少两种彩色滤色器构成，阻挡可见光以起到黑矩阵的作用”。 | 对比文件明确公开了一种不包含黑矩阵（BM）的液晶面板结构，且滤色器形成在下基板（第一基板）上。此类面板由于不存在BM，外部光反射率通常显著升高。本领域技术人员根据对比文件公开的无BM结构，结合液晶面板领域公知常识，可以合理推断该面板对550nm光的反射率很可能达到12%或更大（高反射面板）。因此，根据极宽松的隐含公开标准，技术特征A被隐含公开。 |
| **技术特征B：满足式1：1-0.187×exp(0.22×bs)≤R(450)/R(650)≤1-0.083×exp(0.38×bs)** | 无相关内容 | 对比文件未提及任何涉及R(450)/R(650)比值、单色bs或式1的关系。既无直接教导，也无任何暗示或推导基础。因此，技术特征B未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C：其中，bs是所述偏光板的单色** | 无相关内容 | 对比文件中未出现“单色(bs)”或任何CIE Lab色空间参数的描述。因此，技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D：R(450)是在所述偏光板位于对波长为550nm的光的反射率为23%的反射表面上的状态下测量的所述偏光板对波长为450nm的光的反射率，单位：%** | 无相关内容 | 对比文件没有公开任何关于R(450)的测量方法、条件或数值，也未提及反射率为23%的反射表面。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：R(650)是在所述偏光板位于对波长为550nm的光的反射率为23%的反射表面上的状态下测量的所述偏光板对波长为650nm的光的反射率，单位：%** | 无相关内容 | 对比文件没有公开任何关于R(650)的测量方法、条件或数值。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：其中所述反射表面为透射液晶面板的上基材的表面《直接公开》** | [0010]：“第一偏光板（未示出）形成在阵列基板的外表面上，第二偏光板（未示出）形成在滤色器基板的外表面上。”[0036]描述第二基板194为与第一基板102对置的上基板。 | 对比文件明确指出第二偏光板（即观看侧偏光板）形成在滤色器基板（上基材）的外表面。因此，当测量该偏光板反射性能时，反射表面自然就是上基材的表面。技术特征F被直接公开。 |
| **技术特征G：所述透射液晶面板具有所述上基材、下基材以及介于所述上基材和所述下基材之间的液晶，；并且中所述透射液晶面板具有：其中不存在黑矩阵的结构《直接公开》** | [0085]：“根据本发明第一至第六实施例的液晶显示装置具有其中滤色器层形成在第一基板上的TFT上而没有黑矩阵的COT类型。”[0048]：“突起图案阻挡可见光以起到黑矩阵的作用。” | 对比文件明确记载液晶面板具有上基材（第二基板）、下基材（第一基板）及液晶层，且不存在单独的黑矩阵层（采用突起图案替代BM，并非传统BM）。技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H：其中滤色器和黑矩阵不存在于所述上基材上但存在于所述下基材上的结构《直接公开》** | [0044]：“包含红色、绿色和蓝色滤色器的滤色器层形成在钝化层上（第一基板）。”[0085]：“没有黑矩阵。”[0048]：“突起图案起到黑矩阵的作用，位于第一基板。” | 对比文件公开了滤色器层完全形成在第一基板（下基材）上，上基材（第二基板）上不存在滤色器和黑矩阵。技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：；或中不包括黑矩阵的滤色器存在于所述下基材上的结构《直接公开》** | [0044]和[0085]同上。 | 对比文件公开了滤色器存在于下基材上，并且该面板没有单独的黑矩阵（突起图案由彩色滤色器堆叠构成，不属于传统黑矩阵）。技术特征I被直接公开。 |
| **技术特征J：其中所述偏光板具有偏光元件《直接公开》** | [0010]：“第一偏光板（未示出）形成在阵列基板的外表面上，第二偏光板（未示出）形成在滤色器基板的外表面上。” | 对比文件明确记载了偏光板（第二偏光板）的存在，偏光板自然包含偏光元件。技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K：所述偏光元件包括基于PVA的膜** | 无相关内容 | 对比文件未提及偏光元件的具体材料或结构，尤其是未提到PVA（聚乙烯醇）膜。本领域技术人员不能从对比文件唯一确定偏光元件基于PVA。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：和在所述基于PVA的膜上吸附并取向的各向异性吸收材料** | 无相关内容 | 对比文件未描述偏光元件中的各向异性吸收材料，也未提及吸附或取向过程。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：其中所述各向异性吸收材料为碘** | 无相关内容 | 对比文件未提及碘或任何各向异性吸收材料的具体种类。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其中所述偏光元件通过在所述基于PVA的膜上进行至少染色过程、交联过程和拉伸过程来生产** | 无相关内容 | 对比文件未涉及偏光元件的制造方法，尤其是没有提及染色、交联、拉伸等工艺过程。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其中所述偏光板通过使用染色溶液或交联溶液来生产** | 无相关内容 | 对比文件未涉及偏光板制造中使用的溶液。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：其中所述染色溶液或所述交联溶液通过将碘和碘化物溶解在溶剂中来制备** | 无相关内容 | 对比文件未公开任何溶液配方。因此，技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述碘和所述碘化物的重量比控制在1至100的范围内** | 无相关内容 | 对比文件未提及碘与碘化物的重量比。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R：；或中所述染色溶液或所述交联溶液通过将碘、碘化物和硼酸化合物溶解在溶剂中来制备** | 无相关内容 | 对比文件未涉及硼酸化合物在溶液中的使用。因此，技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S：其中所述碘和所述碘化物的重量比控制在1至100的范围内** | 无相关内容 | 同特征Q，对比文件未公开。 |
| **技术特征T：所述硼酸化合物的浓度控制在0.1重量%至10重量%的范围内** | 无相关内容 | 对比文件未公开硼酸化合物浓度。因此，技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U：其中基于所述基于PVA的膜的原始长度，总拉伸比为3倍至10倍** | 无相关内容 | 对比文件未公开拉伸比。因此，技术特征U未被公开。 |
| **技术特征V：其中所述单色bs在0.5至3.0的范围内** | 无相关内容 | 对比文件未公开任何bs值或其范围。因此，技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W：其中所述偏光板的单透射率Ts在40%至45%的范围内** | 无相关内容 | 对比文件未公开单透射率Ts或其范围。因此，技术特征W未被公开。 |
| **技术特征X：满足条件1至3中的至少两个条件** | 无相关内容 | 条件1-3（CIELab色空间中的a值、b值等）在对比文件中完全没有记载。因此，技术特征X未被公开。 |
| **技术特征Y：满足所有条件1至3** | 无相关内容 | 同X，对比文件未公开条件1-3。因此，技术特征Y未被公开。 |
| **技术特征Z：其中所述偏光板应用于对波长为550nm的光的反射率为12%或更大的液晶面板的观看侧《隐含公开》** | [0010]：“第二偏光板形成在滤色器基板的外表面上。”（观看侧）；[0085]：“没有黑矩阵的COT类型。”（高反射面板结构） | 对比文件公开了偏光板设置在液晶面板的观看侧（上基材外侧），且面板为无BM、滤色器在下基材的高反射结构。虽然未明确给出反射率数值，但本领域技术人员可合理推断该面板反射率可能达到12%或更大。因此，根据宽松的隐含公开标准，技术特征Z被隐含公开。 |
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