对比文件名称：2014-12-04_US2014352770A_发明申请_US20140352770A1 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
模型名称：GPT-4（默认）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（已翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤；《直接公开》 | [0009]：“根据本发明的另一方面，提供了一种制造太阳能电池的方法，包括准备具有第一导电类型的半导体基板、在半导体基板的至少一个表面上形成导电类型区域、以及形成连接到导电类型区域的电极。” | 对比文件直接公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法明确包括多个步骤，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模；未公开 | [0081]：“掩模112（例如边缘掩模）被放置在半导体基板的表面上。” [0083]：“掩模112具有设置在半导体基板110中心的开口113，因此具有沿半导体基板110边缘形成的框架形状。” | 对比文件的掩模是覆盖基板边缘的框架形掩模，用于在形成背电场区域时同时形成隔离部分，并未涉及目标专利中位于单元部分之间的划线部分。该掩模的设置位置和作用与目标专利完全不同，对比文件未公开技术特征B。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分；未公开 | 对比文件未提及“单元部分”的概念。 | 对比文件仅描述了单个基板及基板上的多个导电区域，但没有公开或暗示该基板被预先划分为多个单元部分，技术特征C未公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间；未公开 | 对比文件无相关描述。 | 对比文件没有公开划线部分以及单元部分之间的位置关系，技术特征D未公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域；未公开 | [0081]：“放置掩模后，离子注入第一导电类型掺杂物以形成背电场区域30。” [0085]：“第一导电类型掺杂物被掺杂到半导体基板110中形成背电场区域30。” | 对比文件通过离子注入在基板内部形成掺杂的导电区域（背电场区域），而不是在半导体基板和掩模上沉积一层导电材料。目标专利的第一导电区域是通过沉积形成的导电层，掩模上也会形成该层，二者形成方式、结构均不同，技术特征E未公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极；《直接公开》 | [0088]：“接触发射极区20的第一电极24形成在半导体基板110的前表面上。” | 对比文件在导电区域（发射极区）上形成第一电极，该电极与导电区域接触。因此对比文件直接公开了在第一导电区域上形成第一电极的步骤，技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接；《直接公开》 | [0088]：“第一电极24接触发射极区20”，表明电连接关系。 | 对比文件中第一电极与发射极区直接接触，形成电联接，技术特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模；《隐含公开》 | [0081]描述放置掩模进行离子注入，但未明确记载去除掩模的步骤。 | 在离子注入工艺中，掩模在完成注入后通常会被去除，这是本领域公知常识。本领域技术人员可以合理推断存在去除掩模的步骤，因此技术特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分；未公开 | 对比文件没有在掩模上形成第一导电区域，故不存在相应部分。 | 目标专利中，第一导电区域同时形成在基板和掩模上，去除掩模时连带去除掩模上的部分。对比文件的导电区域形成在基板内部，掩模上无导电层，因此技术特征I未公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述划线部分来分割所述基板；未公开 | [0007]提及现有技术中“通过激光照射或蚀刻形成隔离部分”，但这是作为背景技术的问题描述；本发明方法未采用激光分割步骤。 | 对比文件的方法从始至终没有通过激光照射划线部分来分割基板的步骤，其解决隔离问题的方案与划线分割无关，技术特征J未公开。 |
| 技术特征K：其中；《直接公开》 | [0009]：“其中，所述形成导电类型区域包括形成第一导电类型区域和第二导电类型区域……” | 对比文件在方法描述中使用了“其中”（wherein）来引导进一步的限定，目标专利的“其中”作为连接词，对比文件公开了相同用法，故直接公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述划线部分暴露；未公开 | 对比文件去除掩模后暴露的是被掩模覆盖的边缘区域（隔离部分），而非划线部分。 | 目标专利的掩模覆盖划线部分，去除后暴露划线部分；对比文件的掩模覆盖边缘，去除后暴露边缘区域，二者暴露的区域完全不同，技术特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中；《直接公开》 | 同特征K，对比文件多处使用“wherein”。 | 同特征K论述，技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤；《直接公开》 | [0088]：“形成接触发射极区20的第一电极24……”；[0056]描述了电极形成过程。 | 对比文件明确执行了形成第一电极的步骤，因此公开了“形成第一电极包括步骤”，技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层；未公开 | [0056]：“第一电极24包括多个指状电极24a和汇流条电极24b”，未提及透明电极层。 | 对比文件的第一电极由金属指状线和汇流条直接构成，没有形成透明电极层的步骤，技术特征O未公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；未公开 | 同上，无透明电极层。 | 由于对比文件未公开透明电极层，自然也未公开在其上形成金属电极层的步骤，技术特征P未公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤；未公开 | 对比文件仅形成金属电极（指状线等），但未限定形成金属电极层的具体步骤划分，且依赖于前序透明电极层的存在。 | 技术特征Q作为从属限定，其前提条件（透明电极层）未公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层；未公开 | 对比文件未定义“单元部分”。 | 对比文件没有单元部分的概念，技术特征R未公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层；未公开 | 对比文件无划线部分。 | 对比文件未涉及划线部分，技术特征S未公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤；《直接公开》 | 对比文件从[0076]起描述了多个步骤（ST10-ST40），显然“还包括”其他步骤。 | 对比文件的方法包括除基本步骤外的更多处理（如纹理化、形成膜、形成电极等），公开了“还包括步骤”，技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前；未公开 | 对比文件先放置掩模，然后离子注入形成背电场区域，没有在掩模之前进行的额外步骤（如形成钝化层）。 | 对比文件未公开在设置掩模之前执行任何其他步骤（如形成钝化层），技术特征U未公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层；未公开 | [0086]：“在形成导电类型区域之后，在半导体基板的正面和背面分别形成防反射膜22和钝化膜32。” | 对比文件的钝化膜（防反射膜）是在导电区域形成之后制作的，且不是设置在基板与导电区域之间的隧穿钝化层。目标专利的第一钝化层设置在基板上且位于导电区域之前，结构和形成顺序均不同，技术特征V未公开。 |
| 技术特征W：其中；《直接公开》 | 同特征K。 | 同特征K论述，技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤；《隐含公开》 | 同特征H，未明确记载去除步骤，但工艺上必然存在。 | 基于与特征H相同的理由，去除掩模必然包含步骤，技术特征X被隐含公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模；《隐含公开》 | 同H。 | 同H，技术特征Y被隐含公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述划线部分上的部分暴露；未公开 | 对比文件在去除掩模后，暴露的是边缘区域（隔离部分），该区域上可能没有钝化层或钝化层位于导电区域之上，并非目标专利中划线部分上的钝化层。 | 目标专利的第一钝化层预先形成在基板上，掩模覆盖划线部分，去除掩模后暴露该钝化层部分。对比文件没有这种对应关系，技术特征Z未公开。 |
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