对比文件的名称：2014-12-11_JP2014232821A_发明专利_JP2014232821A 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
目标专利的名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
本次调用的模型名称：DeepSeek AI Assistant
以下是根据目标专利权利要求的技术特征与对比文件进行的特征比对表格。表格中，第一栏为技术特征描述及公开性判断（直接公开/隐含公开/未公开），第二栏为对比文件原文引用（翻译成中文并标注段落或部分），第三栏为公开性论述。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件涉及一种太阳能电池及其制造方法（段落[0002]：“本发明涉及太阳能电池及其制造方法。进一步，本发明涉及太阳能电池模块。”） | 目标专利的方法是制造太阳能电池的方法，对比文件公开了太阳能电池的制造方法，故技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模《未公开》 | 对比文件未公开在划线部分设置掩模的步骤。相反，对比文件强调不使用掩模（例如，段落[2]：“不使用掩模，通过CVD法或溅射法等形成上述各层的情况下……”。） | 目标专利的该特征要求设置掩模，对比文件明确采用无掩模工艺，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分《隐含公开》 | 对比文件中使用单晶硅晶圆（实施例：“n型单晶硅晶圆”）等，本领域公知在晶圆上通常制作多个太阳能电池单元后分割。 | 虽然对比文件未明确写出“多个单元部分”，但制造多个电池单元是太阳能电池领域的普遍实践，本领域技术人员可以合理推断基板包含多个单元区域，因此该特征隐含公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间《未公开》 | 对比文件未提及单元之间的划线部分。对比文件的绝缘区域形成于基板周缘部（段落[2]：“作为绝缘领域，从基板端部至0.5mm的周缘部照射激光”）。 | 对比文件没有公开单元之间用于分割的划线部分，其绝缘处理在电池边缘，不涉及单元之间的区域，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域《未公开》 | 对比文件在半导体基板上形成导电型硅系薄膜（实施例：“p型非晶硅”等），但没有掩模，因此未在掩模上形成。 | 目标专利要求在基板和掩模上形成第一导电区域，对比文件没有掩模，全部导电层直接形成在基板上，故该技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件在导电型硅系薄膜上依次形成透明电极层和集电极（实施例：“光入射侧透明电极层6a”和“第一导电层71”）。 | 对比文件的第一导电区域为导电型硅系薄膜，在其上形成了透明电极和集电极（包含第一导电层），即形成了第一电极，且电连通。因此该特征直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接《直接公开》 | 对比文件中集电极通过透明电极层与导电型硅系薄膜电连接（实施例：“第一导电层71上的第二导电层72与第一导电层导通”）。 | 对比文件中透明电极和集电极直接接触导电型硅层，实现了电联接，故直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模《未公开》 | 对比文件无掩模，无去除掩模的步骤。 | 目标专利要求去除掩模，对比文件不存在掩模，因此该特征未公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分《未公开》 | 对比文件无掩模，从而无该步骤。 | 由于没有掩模，无法通过去除掩模来去除掩模上的部分，故未公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板《未公开》 | 对比文件中激光照射用于形成绝缘肩结构，并非分割基板（实施例：“激光从光入射面侧照射，形成跨过主面和侧面的肩结构”）。 | 目标专利的激光照射目的是分割基板（切割划线部分），对比文件的激光照射目的是去除边缘薄膜形成绝缘区域，不用于分割，且未涉及划线部分，故未公开。 |
| 技术特征K：其中《直接公开》 | 该词为连接词，对比文件的方法步骤之间自然存在逻辑连接。 | 该特征仅为语句连接，对比文件的方法描述中包含类似含义，故视为直接公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露《未公开》 | 对比文件中基板暴露是通过激光去除薄膜实现的（实施例：“通过激光照射使硅基板暴露”），不是去除掩模。 | 目标专利要求去除掩模暴露基板，对比文件通过激光直接去除薄膜暴露基板，机制不同，故未公开。 |
| 技术特征M：其中《直接公开》 | 同特征K。 | 视为直接公开。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件公开了形成集电极的步骤，包括形成透明电极层和第一导电层（实施例：“光入射侧透明电极层6a”和“第一导电层71”的形成）。 | 该特征是对形成第一电极步骤的引入，对比文件明确教导了形成电极的步骤，故直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层《直接公开》 | 对比文件在导电型硅系薄膜上形成了透明电极层（实施例：“作为透明电极层，氧化铟锡（ITO）成膜100nm”）。 | 对比文件的第一透明电极层与目标专利对应，因此直接公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层；并且中《直接公开》 | 对比文件在透明电极层上形成第一导电层（由低熔点金属和高熔点金属组成，属金属电极层）（实施例：“印刷第一导电层”）。 | 对比文件的第一导电层是金属层，形成在透明电极层上，故直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件记载了第一导电层的形成步骤（实施例：“丝网印刷形成第一导电层”）。 | 目标专利的该特征为形成第一金属电极层的步骤引入，对比文件公开了相应的步骤，故直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层《隐含公开》 | 对比文件的第一导电层通过丝网印刷形成具有集电极图案的层，通常图案局限于有效区域（单元部分）（实施例：“使用对应集电极图案的丝网版印刷”）。 | 虽然对比文件未明确写出“单元部分”，但丝网印刷的图案自然避开了边缘切割道等非有效区域，本领域技术人员可以合理推断第一金属电极层仅形成在单元区域，因此隐含公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层《隐含公开》 | 对比文件的第一导电层通过印刷形成，印刷图案不涉及边缘（划线部分），或后续激光去除边缘部分，确保边缘无金属（实施例：“激光处理去除周缘部的薄膜”）。 | 对比文件通过印刷选择性形成图案或后续去除，使得划线部分（边缘）无第一导电层，本领域技术人员可以预期该特征，故隐含公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件的方法自然包括多个步骤（形成钝化层、导电层、电极等）。 | 该特征为方法步骤的引入语，对比文件的方法包括多个步骤，故直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前《未公开》 | 对比文件无掩模，无法确定“在设置掩模之前”的时序。 | 目标专利要求掩模设置前进行某操作，对比文件没有掩模，故该时序不适用，未公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层《直接公开》 | 对比文件在基板上形成本征非晶硅层（i型非晶硅），起钝化作用（实施例：“i型非晶硅薄膜5nm成膜”）。 | 对比文件的本征非晶硅层即为钝化层，且形成在基板上，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中《直接公开》 | 同特征K。 | 视为直接公开。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤《未公开》 | 对比文件无掩模，无该步骤。 | 由于无掩模，该特征未公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模《未公开》 | 同X。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露《未公开》 | 对比文件中激光处理暴露基板，而不是暴露第一钝化层（实施例：“通过激光照射使硅基板表面露出”）。 | 目标专利要求通过去除掩模使钝化层在划线部分暴露，对比文件无掩模且暴露的是基板本身而非钝化层，故未公开。 |
根据上述表格的公开性判断，对比文件直接公开的技术特征有：A、F、G、K、M、N、O、P、Q、T、V、W；隐含公开的技术特征有：C、R、S。未公开的特征不在结尾插入代码。
<<<A>>><<<F>>><<<G>>><<<K>>><<<M>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<T>>><<<V>>><<<W>>><<<c>>><<<r>>><<<s>>>