对比文件名称：2015-08-27_US2015243834A_发明申请_US20150243834A1 SOLAR CELL MODULE
目标专利名称：1649太阳能电池及其制造方法（CN108110072B）
本次调用模型名称：DeepSeek R1（AI专利分析模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件[0032]：“下面将描述通过处理晶圆来制造太阳能电池模块的方法。”<br>[0035]至[0047]具体描述了依次放置掩模、沉积导电膜、形成电极、激光切割等步骤。 | 对比文件明确公开了一种制造方法，整体包含一系列工艺步骤，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该方法包含“步骤”概念，与目标专利的步骤前序实质相同。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模《隐含公开》 | 对比文件[0036]：“掩模300被放置在晶圆W的一表面上以形成透明导电膜。掩模300可包括多个开口310以沉积透明导电膜。”<br>结合[0034]晶圆沿隐藏线切割，隐藏线对应单元间的划线部分。 | 对比文件的掩模覆盖区域对应于最终沟槽（分割线）的位置，且隐藏线位于单元之间，该区域功能与目标专利的划线部分一致。本领域技术人员可合理推断掩模设置在后续用于分割的划线部分上，从而防止导电膜形成于该区域。 |
| 技术特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分《直接公开》 | 对比文件图5说明及[0034]：“根据本发明示例性实施例的汇集了太阳能电池模块的电池的晶圆的平面图。”<br>[0034]：“晶圆W可以是圆形的，可以根据太阳能电池模块的形状沿着隐藏线进行切割。” | 晶圆上汇集多个电池（单元），即半导体基板包含多个单元部分，该特征被明确公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间《隐含公开》 | 对比文件[0034]：“晶圆W…沿着隐藏线根据太阳能电池模块的形状进行切割。”隐藏线位于单元之间，如图5所示。<br>[0036]掩模的开口310对应单元区域，掩模覆盖区域对应隐藏线（划线部分）。 | 隐藏线（划线部分）自然位于相邻单元部分之间，本领域技术人员从对比文件晶圆的布局能直接推出划线部分的位置位于单元之间，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域《隐含公开》 | 对比文件[0036]：“通过掩模300的多个开口310在晶圆W上沉积薄膜，以形成透明导电膜。”<br>通常的溅射沉积工艺中，导电材料不仅沉积在基板开口区域，也会沉积在掩模表面上。 | 虽然对比文件未特别说明掩模上沉积，但本领域公知在掩模沉积过程中掩模表面会形成导电层，且后续去除掩模时会随之剥离。因此可以合理推断出在基板和掩模上形成了第一导电区域，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件[0025]：“上电极150形成在透明导电膜140的表面上。” | 透明导电膜140作为第一导电区域，上电极150形成于其上，即第一电极形成在第一导电区域上，该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接《直接公开》 | 对比文件[0043]：“载流区域S1电连接到电极150。”<br>[0025]电极150直接形成在透明导电膜140上。 | 电极150与透明导电膜140（第一导电区域）直接接触，必然实现电联接，该特征被直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模《隐含公开》 | 对比文件[0036]至[0043]的顺序：放置掩模沉积后，形成电极和沟槽，掩模必然在后续步骤前被去除。图10、11显示掩模已被移去。 | 沉积导电膜后必须去除掩模才能进行后续电极和激光加工，该步骤是制造流程的隐含必需步骤，本领域技术人员能合理推理出。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分《隐含公开》 | 对比文件[0036]掩模上不可避免沉积导电膜，去除掩模时该部分导电膜随掩模一同剥离。 | 利用掩模进行选择性沉积后，掩模上的导电膜会在去除掩模时被一并去除，这是众所周知的剥离（lift‑off）工艺。对比文件虽未明确论述，但基于其工艺可合理推断该特征。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板《未公开》 | 对比文件[0045]：“沟槽145通过激光切割形成V形形状…以将透明导电膜分成载流区域和非载流区域。”<br>[0047]：“沟槽深度…可等于或大于透明导电膜的厚度但小于太阳能电池模块厚度的一半。” | 对比文件激光照射的目的是形成沟槽以分隔导电膜，并未将半导体基板完全分割成独立单元；其激光深度小于模块厚度的一半，不涉及沿划线部分分割基板。目标专利的激光分割步骤完全未被公开或暗示。 |
| 技术特征K：其中《未公开》 | 无对应实质内容。 | 该词仅为连接词，对比文件未单独公开技术含义，不构成公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露《隐含公开》 | 对比文件[0036]掩模覆盖区域无导电膜，去除掩模后该区域（对应于划线部分）露出下层结构（基板或本征层）。图10中沟槽区下方基板亦被暴露。 | 掩模去除后，划线部分（原掩模覆盖区）因为没有导电膜覆盖，半导体基板或其上钝化层自然暴露。本领域技术人员可合理得出此结论。 |
| 技术特征M：其中《未公开》 | 无对应实质内容。 | 同特征K。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤《隐含公开》 | 对比文件[0025]依次形成透明导电膜140和上电极150，这些步骤共同形成电极结构。 | 对比文件的制造流程中形成电极必然包含具体工艺步骤（如沉积、图案化），本领域技术人员可合理推断其包含连续步骤。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层《隐含公开》 | 对比文件[0025]：“透明导电膜140形成在P型非晶硅层130上。”<br>该透明导电膜可同时充当透明电极（如ITO），并随后与金属电极相连。 | 对比文件中透明导电膜140即起到透明电极层的作用，其形成步骤对应于本特征。虽然对比文件未将其归入“第一电极”的子步骤，但本领域技术人员可将其视为第一电极的组成部分，故隐含公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层《直接公开》 | 对比文件[0025]：“上电极150形成在透明导电膜140的表面上。” | 透明导电膜140即为第一透明电极层，上电极150为第一金属电极层，该特征被直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤《隐含公开》 | 对比文件[0025]：“上电极150彼此平行且间隔地形成。”形成需要沉积、图案化等步骤。 | 金属电极的形成必然包括多个工艺步骤（如印刷、电镀、干燥），对比文件虽未详述，但本领域技术人员可合理推断其包含具体步骤。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层《隐含公开》 | 对比文件[0043]-[0044]：“电极150形成在载流区域S1（透明导电膜均匀厚度的区域）上。”载流区域S1对应单元部分。<br>图10、11显示电极只在模块内部区域，不在边缘沟槽处。 | 金属电极150仅形成于透明导电膜的均匀区域（S1），该区域对应目标专利的单元部分，而未形成于非载流区域（S2，对应划线部分），特征被隐含公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层《隐含公开》 | 对比文件[0045]-[0046]：沟槽145沿边缘形成，将透明导电膜分隔，电极150位于沟槽内部（载流区域），沟槽所在区域（非载流区域S2）无电极。 | 非载流区域S2可视为划线部分，对比文件明确该区域不设置电极，因此本领域技术人员可合理推出金属电极未形成在划线部分。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 整个对比文件方法包含放置掩模、沉积、形成电极、激光划线等步骤之外，还有形成本征层等步骤（见[0025]）。 | 对比文件公开的方法包含多个预处理和后处理步骤，本特征作为方法步骤的集合性用语被实质公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前《隐含公开》 | 对比文件[0025]：“本征非晶硅层120形成在晶圆110上，P型非晶硅层130沉积在其上，随后形成透明导电膜。”<br>掩模放置是在至少形成部分非晶硅层之后（因为透明导电膜在非晶硅层上通过掩模沉积）。 | 本征非晶硅层（钝化层）的形成必然在放置掩模之前完成，该时序被隐含公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层《直接公开》 | 对比文件[0025]：“本征非晶硅层120形成在晶圆110上。”<br>该本征层具有钝化作用，相当于第一钝化层。 | 本征非晶硅层作为钝化层形成于半导体基板上，该特征被直接公开。 |
| 技术特征W：其中《未公开》 | 无对应实质内容。 | 同特征K。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤《隐含公开》 | 对比文件在沉积后、电极形成前，掩模必然被去除，该去除动作本身包含多个可能步骤（如剥离、清洗）。 | 从对比文件的工艺顺序可合理推断去除掩模是一个包含具体操作步骤的过程，尽管未详细描写。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模《隐含公开》 | 同特征H。对比文件[0036]放置掩模，后续显然需要去除掩模才能暴露划线部分。 | 去除掩模是完成沉积和后续加工的必然步骤，本领域技术人员能合理推断。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露《隐含公开》 | 对比文件[0036]掩模覆盖区域无透明导电膜，下层的本征非晶硅层（第一钝化层）在去除掩模后暴露；图10中沟槽区域下方也暴露本征层。 | 去除掩模后，原掩模覆盖的划线部分暴露出底部的第一钝化层，该效果可合理推出。 |
### 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开或隐含公开了以下特征：
直接公开：A, C, F, G, P, T, V
隐含公开：B, D, E, H, I, L, N, O, Q, R, S, U, X, Y, Z
特征J、K、M、W未公开，特征J因对比文件无分割基板步骤，特征K、M、W为无实质内容的连接词，均不插入代码。
输出代码：
<<<A>><<<C>><<<F>><<<G>><<<P>><<<T>><<<V>>><<<b>><<<d>><<<e>><<<h>><<<i>><<<l>><<<n>><<<o>><<<q>><<<r>><<<s>><<<u>><<<x>><<<y>><<<z>>>