对比文件的名称：2016-10-05_CN105990465A_发明公开_CN105990465A 异质结硅晶太阳能电池及其制造方法
目标专利的名称：1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
本次调用的模型名称：DeepSeek AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A. 该方法包括以下步骤（直接公开） | [0059]：“本发明第一较佳实施例的异质结硅晶太阳能电池的制造方法包含以下步骤：” | 对比文件明确公开了制造方法包括多个步骤，本领域技术人员可以直接得出该前序特征。 |
| B. 在半导体基板的划线部分上设置掩模（未公开） | [0076]：“在第一表面的第一透明导电层与第二表面的第二透明导电层上分别形成一第一掩模与一第二掩模” | 对比文件公开了设置掩模，但掩模覆盖整个透明导电层表面，并非专门设置在“划线部分”；且对比文件未定义划线部分，因此未公开。 |
| C. 其中，所述半导体基板包括多个单元部分（未公开） | 对比文件全文未提及“单元部分”或“multiple unit parts” | 对比文件描述单一电池制造，未公开基板划分成多个单元部分，因此未公开。 |
| D. 所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间（未公开） | 对比文件全文未披露划线部分及单元部分之间的位置关系 | 对比文件无划线部分和单元部分的任何概念，因此未公开。 |
| E. 在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域（未公开） | [0072]步骤S102：“在第一缓冲层表面上形成一第一非晶半导体层”；[0075]步骤S105：“在第一非晶半导体层上形成一第一透明导电层”；均在掩模形成（S106）之前 | 对比文件在掩模形成之前已形成所有导电层（非晶半导体层和透明导电层），不存在在掩模上形成第一导电区域的步骤，因此未公开。 |
| F. 在所述第一导电区域上形成第一电极（直接公开） | [0080]：“在第一开口与第二开口形成电极8、8a”；第一导电区域（第一非晶半导体层3）在先形成于基板上，其上覆盖有第一透明导电层6 | 电极8形成于第一透明导电层6上，而第一透明导电层6直接位于第一导电区域（第一非晶半导体层3）上，因此本领域技术人员可直接认定第一电极形成在第一导电区域上。 |
| G. 所述第一电极与所述第一导电区域电联接（直接公开） | [0071]-[0080]的结构示出电极8通过第一透明导电层6与第一非晶半导体层3电连接 | 第一透明导电层为导电层，确保电极与第一导电区域形成电联接，特征被直接公开。 |
| H. 去除所述掩模（直接公开） | [0081]：“执行步骤S111移除第一掩模与第二掩模” | 对比文件明确公开了去除掩模的步骤，直接公开。 |
| I. 以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分（未公开） | 对比文件无相应步骤；掩模形成时直接覆盖在透明导电层上，掩模上未设置第一导电区域 | 目标专利通过lift-off去除掩模上的导电区域；对比文件掩模与导电区域之间无重叠，未公开此特征。 |
| J. 通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板（未公开） | 对比文件全文未涉及激光分割；其通过化学蚀刻去除侧壁层，不分割基板 | 对比文件未公开任何激光分割步骤，也未定义划线部分，因此未公开。 |
| K. 其中（直接公开） | [0001]等：全文多处使用“其中”作为连接词 | 对比文件中频繁出现“其中”用语，该语言形式被直接公开。 |
| L. 所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露（未公开） | [0081]去除掩模后露出第一透明导电层，并非半导体基板本身；无划线部分 | 对比文件去除掩模后暴露的是透明导电层，不是半导体基板，且无划线部分概念，未公开。 |
| M. 其中（直接公开） | 同K | 同K，直接公开。 |
| N. 形成所述第一电极包括以下步骤（直接公开） | [0079]：“在第一掩模与第二掩模上进行一图案化制程，使第一掩模与第二掩模分别形成至少一第一开口与至少一第二开口”；[0080]：“在第一开口与第二开口进行一电镀制程，通过在第一开口与第二开口形成电极” | 对比文件公开了形成第一电极的具体步骤，特征被直接公开。 |
| O. 形成第一透明电极层（直接公开） | [0075]：“在第一非晶半导体层上形成一第一透明导电层” | 对比文件明确公开了形成第一透明导电层，相当于第一透明电极层，直接公开。 |
| P. 在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层（直接公开） | [0080]：“在开口中形成电极8、8a”，电极8为金属电极，形成于第一透明导电层（透明电极层）上 | 对比文件公开了在透明导电层上形成金属电极，特征被直接公开。 |
| Q. 形成所述第一金属电极层包括以下步骤（直接公开） | [0079]-[0080]描述了图案化制程和电镀形成电极的步骤 | 对比文件公开了形成金属电极的具体步骤，直接公开。 |
| R. 在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层（隐含公开） | [0080]形成电极8；侧壁区域的层被蚀刻去除，电极位于基板表面的中央有效区域 | 虽然对比文件未明确使用“单元部分”，但本领域技术人员可合理推断金属电极形成于电池的有源区（即单元部分），而非被去除的边缘，因此隐含公开。 |
| S. 而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层（未公开） | 对比文件无划线部分；金属电极未形成于侧壁区域，但侧壁区域不同于目标专利的划线部分 | 目标专利的划线部分是用于分割的内部线，对比文件无此概念，也未公开任何阻止在划线部分形成金属电极的限定，因此未公开。 |
| T. 该方法还包括以下步骤（直接公开） | [0060]-[0081]公开了S101至S111多个步骤 | 对比文件的方法包括多个步骤，该前序特征被直接公开。 |
| U. 在设置所述掩模之前（直接公开） | [0071]-[0075]步骤S101-S105在形成掩模（S106）之前执行 | 对比文件明确在形成掩模之前有多个制备步骤，直接公开。 |
| V. 在所述半导体基板上形成第一钝化层（直接公开） | [0071]：“在硅晶半导体基板的一第一表面与一侧壁表面上形成一第一缓冲层”；该第一缓冲层可为本征非晶硅（i-aSi） | 第一缓冲层起钝化作用，相当于第一钝化层，直接公开。 |
| W. 其中（直接公开） | 同K | 直接公开。 |
| X. 去除所述掩模包括以下步骤（直接公开） | [0081]：“执行步骤S111移除第一掩模与第二掩模” | 对比文件公开了去除掩模的步骤，直接公开。 |
| Y. 去除所述掩模（直接公开） | 同X | 直接公开。 |
| Z. 以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露（未公开） | 对比文件去除掩模后暴露的是透明导电层，不是第一钝化层；且无划线部分 | 目标专利通过去除掩模暴露划线部分上的钝化层；对比文件无此结构，未公开。 |
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