对比文件名称：1993-01-14_None_发明专利_JPH056766A Battery
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
本次调用的模型名称：DeepSeek（深度求索）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，标注段落编号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料《直接公开》 | 对比文件[0026]‑[0027]段：“将作为负极活性物质担载体的碳材料（沥青焦炭）90重量份与作为粘结剂的聚偏二氟乙烯(PVDF)10重量份混合，制成负极合剂。将该负极合剂分散于溶剂N‑甲基吡咯烷酮中制成浆料。将该负极合剂浆料均匀涂布于由Ra为0.15μm的钛箔构成的负极集电体9的两面9a、9b上，干燥，然后压缩成型、切断，得到带状负极1。”<br>对比文件[0028]段对正极也有类似涂布描述。 | 对比文件明确公开了将含有电极活性材料的浆料涂布在集电体上形成电极，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态《直接公开》 | 对比文件[0021]‑[0022]段：“将厚度10μm的钛箔浸渍于30重量%的硫酸水溶液中，保持45℃。经过一定时间后从硫酸水溶液中取出钛箔，充分水洗后，测定钛箔的表面粗糙度（Ra及Rmax）。此外，改变将钛箔浸入硫酸水溶液的粗面化处理时间，分别测定钛箔的表面粗糙度。”<br>对比文件[0053]‑[0054]段提到用砂纸打磨铝箔并浸入盐酸进行粗化。 | 对比文件通过酸蚀、砂纸打磨等粗化工艺对集电体整个表面进行处理，形成具有特定粗糙度的形态，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力《直接公开》 | 对比文件[0009]段：“本发明的目的是提供一种电池，其改善了电极的集电体与电极构成物质层之间的密着性，从而改善电池性能。”<br>对比文件[0018]段：“由于平面状集电体的表面被适度粗面化，集电体表面与电极构成物质层之间的密着性提高。”<br>对比文件[0046]段：“若集电体具有适度的粗面，则电极构成物质能够与集电体表面接触的面积变大，集电体表面与电极构成物质层之间的密着性变好。” | 对比文件多处明确说明表面粗化处理提高了集电体与电极构成物质层之间的密着性（粘附力），因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理《未公开》 | 对比文件全文未记载使用具有浮雕图案的辊对集电体进行辊压的内容。对比文件公开的粗面化方法包括酸处理、砂纸打磨、喷砂等，未涉及任何辊压或图案化工艺。 | 对比文件未公开任何关于浮雕图案辊及辊压处理的技术内容，本领域技术人员也不能从对比文件合理推断出该特征，因此本技术特征既未直接公开也未隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm《未公开》 | 对比文件未记载集电体表面图案的横截面形状，也未记载不规则处之间的间隔范围。 | 对比文件只给出表面粗糙度Ra、Rmax参数，未涉图案截面形状及不规则间隔，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm《未公开》 | 对比文件未公开不规则处谷深度的具体范围。虽提到Rmax（最大高度），但未限定0.001～10μm的范围，且Rmax可通过Ra推算（Rmax=8.3Ra），当Ra=0.15μm时Rmax≈1.25μm，当Ra=3.0μm时Rmax≈24.9μm，超出10μm。 | 对比文件没有给出谷深度范围为0.001～10μm的明确教导，本领域技术人员不能从对比文件必然得出该范围，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm《直接公开》 | 对比文件[0036]段：实施例5使用Ra=1.0μm的钛箔，实施例6使用Ra=3.0μm的钛箔。<br>对比文件[0038]段：比较例1使用Ra=5.0μm的钛箔。<br>对比文件[0010]段：优选Ra为0.15～3.0μm。 | 对比文件直接公开了Ra=3.0μm（满足>1且≤10）以及Ra=5.0μm（满足>1且≤10）的具体数值，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种《直接公开》 | 对比文件[0012]段：“此外，可以将具有上述表面粗糙度的集电体用于负极和正极双方或任一方。” | 对比文件明确说明集电体可用于负极、正极或其任一方，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4《未公开》 | 对比文件[0026]段：负极活性物质使用碳材料（沥青焦炭）。对比文件全文未提及锂钛氧化物（LTO）作为负极活性材料。 | 对比文件未公开LiaTibO4类负极活性材料，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5《未公开》 | 对比文件未涉及式LiaTibO4，自然未公开a、b的数值范围。 | 由于式4未公开，其参数范围也未公开。 |
| 技术特征K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm《直接公开》 | 对比文件[0021]段：使用厚度10μm的钛箔。<br>对比文件[0028]段：使用厚度20μm的铝箔作为正极集电体。<br>对比文件[0054]段：使用厚度10μm的铜箔作为负极集电体。<br>对比文件[0023]段：还提到厚度100μm的钛箔。 | 对比文件公开了多种集电体厚度（10μm、20μm、100μm等），均落在3～500μm范围内，因此本技术特征被直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz《未公开》 | 对比文件[0028]段：正极活性物质使用LiCoO2。<br>对比文件[0061]段：正极活性物质还可使用MnO2、V2O5、FeS、锂‑钴复合氧化物、锂‑钴‑镍复合氧化物等，但均不属于式1的尖晶石型锰基氧化物。 | 对比文件未公开式1所示的尖晶石结构锂锰复合氧化物作为正极活性材料，因此本技术特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中0.9≤x≤1.2，0<M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi《未公开》 | 对比文件未涉及式1，故无相应x、M的内容。 | 对比文件未公开特征M中限定的化学式及参数。 |
| 技术特征N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子《未公开》 | 对比文件未涉及式1中的阴离子A。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4《未公开》 | 对比文件未公开式2所示的镍锰尖晶石氧化物。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5《未公开》 | 对比文件未公开式2及其参数范围。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4《未公开》 | 对比文件未公开这些具体化合物。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4《未公开》 | 对比文件未公开这些锂钛氧化物。 | 对比文件未公开该特征。 |
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